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公开(公告)号：CN109087990A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810911164.8
申请日：2018-08-10
Applicant: 付伟
Inventor： 付伟
IPC: H01L41/053 , H01L41/047 , H01L41/23 , H01L41/29
CPC classification number: H01L41/053 , H01L41/0475 , H01L41/23 , H01L41/29
Abstract: 本发明揭示了一种带有双围堰、金属柱及焊锡的芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，具有外部引脚；滤波器芯片，具有电极；围堰，包括位于电极内侧的第一围堰及位于电极外侧的第二围堰，第一围堰与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔，第二围堰的外侧缘与滤波器芯片的外侧缘齐平；封装基板具有供若干互连结构通过的若干通孔，互连结构包括金属柱结构、焊锡及电镀层结构，金属柱结构导通电极，电镀层结构导通外部引脚，焊锡用于导通金属柱结构及电镀层结构。本发明通过设置围堰形成空腔，避免在封装结构制作过程中或在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
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公开(公告)号：CN109037430A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810911429.4
申请日：2018-08-10
Applicant: 付伟
Inventor： 付伟
IPC: H01L41/053 , H01L41/047 , H01L41/23 , H01L41/29
CPC classification number: H01L41/053 , H01L41/0475 , H01L41/23 , H01L41/29
Abstract: 本发明揭示了一种带有双围堰及外移通孔的芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，具有若干外部引脚；滤波器芯片，具有若干电极；围堰，包括位于若干电极的内侧的第一围堰及位于若干电极外侧的第二围堰，第一围堰与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔；其中，封装基板具有若干通孔，互连结构包括相互导通的第一互连结构及第二互连结构，第一互连结构导通电极，第二互连结构导通外接引脚，第二互连结构通过通孔，且通孔位于第一互连结构远离空腔的一侧。本发明通过设置围堰形成空腔，避免在封装结构制作过程中或是在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
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公开(公告)号：CN109037428A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810911155.9
申请日：2018-08-10
Applicant: 付伟
Inventor： 付伟
IPC: H01L41/053 , H01L41/047 , H01L41/23 , H01L41/29
CPC classification number: H01L41/053 , H01L41/0475 , H01L41/23 , H01L41/29
Abstract: 本发明揭示了一种带有双围堰的芯片封装结构及其制作方法，封装结构包括：封装基板，封装基板的一侧具有若干外部引脚；滤波器芯片，芯片下表面与基板上表面面对面设置，芯片下表面具有若干电极；若干互连结构，用于导通若干电极及若干外部引脚；围堰，包括位于若干电极内侧的第一围堰及位于若干电极外侧的第二围堰，第一围堰与芯片下表面及基板上表面配合而围设形成空腔，第二围堰的外侧缘与滤波器芯片的外侧缘齐平。本发明通过设置围堰形成空腔，可以有效避免在封装结构制作过程中或是在封装结构使用过程中外界物质进入空腔内部而影响滤波器芯片的正常使用，从而提高封装结构的整体性能。
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公开(公告)号：CN108709669A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810258121.4
申请日：2018-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G01L5/0061 , B25J13/085 , G01L1/16 , H01L41/0477 , H01L41/053 , H01L41/083 , H01L41/1132 , H01L41/277 , H01L41/313 , Y10S901/27 , Y10S901/46 , B25J19/028 , G01L5/226
Abstract: 一种传感器器件、力检测装置以及机器人，能够降低外力的检测精度下降。传感器器件的特征在于，具备层叠体，所述层叠体包含：第一压电元件；第二压电元件；以及高分子聚合物膜，位于所述第一压电元件与所述第二压电元件之间。此外，优选的是，所述第一压电元件和所述第二压电元件分别具有通过压电效应产生电荷的压电体层和设置于所述压电体层并输出与所述电荷对应的信号的电极，所述高分子聚合物膜设置于所述第一压电元件所具有的所述电极与所述第二压电元件所具有的所述电极之间。
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公开(公告)号：CN105492128B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201480047080.4
申请日：2014-08-14
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
CPC classification number: B06B1/0607 , A61B8/12 , A61B8/4209 , A61B8/4483 , B06B1/0292 , G10K11/004 , H01L41/053 , H01L41/29
Abstract: 本发明涉及一种超声换能器组件(10)，尤其是用于血管内超声系统的超声换能器组件。组件(10)包括换能器阵列(12)，所述换能器阵列包含用于发射和接收超声波的多个换能器元件(14)。提供了两个支撑元件(16、18)，以支撑弯曲的或多边形形状的换能器阵列(12)。支撑元件(16、18)经由柔性连接层(20)连接到换能器阵列(12)以使支撑元件(16、18)柔性地连接到换能器阵列(12)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108298065A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711453731.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 波音公司
IPC: B64C21/08 , F04B45/047 , H02N2/00
CPC classification number: H01L41/0973 , B64C2230/18 , H01L41/053 , H01L41/27 , H04R17/00 , B64C21/08 , F04B45/047 , H02N2/00
Abstract: 本发明涉及用于性能优化的压电双压电晶片圆盘外边界设计和方法。本申请公开双压电晶片圆盘致动器，其包括：基板，其由基板复合材料形成并且具有第一基板表面和第二基板表面；第一压电陶瓷圆盘，其刚性连接到基板的第一基板表面；第二压电陶瓷圆盘，其刚性连接到基板的第二基板表面；以及第一复合环，其由第一环复合材料形成，刚性连接到第一基板表面并且围绕第一压电陶瓷圆盘。第二复合环可刚性连接到第二基板表面并且围绕第二压电陶瓷圆盘。还公开了用于形成双压电晶片圆盘致动器的方法和装置。
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公开(公告)号：CN108291795A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680064638.9
申请日：2016-10-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01B7/16 , H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/113 , H01L41/257 , H01L41/313
CPC classification number: G01L1/16 , G01B7/16 , H01L41/047 , H01L41/0477 , H01L41/053 , H01L41/083 , H01L41/113 , H01L41/1132 , H01L41/1876 , H01L41/257 , H01L41/313
Abstract: 提供一种能够以较高检测效率对被安装的安装基板的挠曲进行检测的压电挠曲传感器。压电挠曲传感器(1)中，在平面形状为矩形或者正方形的第1压电板(11)的第1主面(11a)，经由第1接合材料层(5)来接合第1封装基板(3)，在第1压电板(11)的第2主面(11b)，经由第2接合材料层(6)来接合第2封装基板(4)。在第1压电板(11)的第1主面(11a)以及第2主面(11b)的一方设置有第2电极(12)，在另一方设置有第1、第2分割电极(13、14)。第1压电板(11)的极化轴方向(P)平行于第1以及第2主面(11a、11b)、并且是沿着矩形或者正方形的任意边的方向。在俯视时，在与第1分割电极(13)和第2分割电极(14)之间的第1电极非形成区域的至少一部分重叠的位置，在第1封装基板(3)设置有在与极化轴方向(P)交叉的方向上延伸的槽(10)。
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公开(公告)号：CN107994880A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201710975325.5
申请日：2017-10-16
Applicant: 日本电波工业株式会社
CPC classification number: H03H9/132 , H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/18 , H02N2/0045 , H03H9/10 , H03H9/1007 , H03H9/19 , H03H9/02
Abstract: 本发明提供一种压电振动片以及压电元件，通过在平板状的压电基板上形成的激振电极周围形成尺寸经适当调整的倾斜，从而抑制了无用振动。压电振动片包括：压电基板，形成为平板状且以厚度切变振动来振动；以及激振电极，分别形成在压电基板的两主面。激振电极具有主厚部与倾斜部。主厚部形成为固定厚度。所述倾斜部形成在主厚部的周围，并且，所述倾斜部的厚度从与主厚部相接的部分直到激振电极的最外周而逐渐变薄。倾斜部的宽度即倾斜宽度是形成为：无用振动即弯曲振动的波长即弯曲波长的0.5倍以上且3倍以下的长度。
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公开(公告)号：CN107785479A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610795034.3
申请日：2016-08-31
Applicant: 成都汇通西电电子有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/29 , H01L41/47
CPC classification number: H01L41/0475 , H01L41/053 , H01L41/29 , H01L41/47
Abstract: 本发明公开了压电陶瓷芯片电连接方法及传感器制造方法，所述传感器制造方法，包括，芯片上焊接一体化连接线步骤；芯片粘接在铝壳腔体内步骤；打底胶步骤；在腔体内打发泡胶步骤。本发明提供的技术方案所实现连接结构，以及相应的传感器与传感器总成，本发明连接性能好，生产制造效率高，便于使用。形成的器件性能得以有效提升、传感器的质量、稳定性和一致性高，而且便于自动化生产制造，减少了生产工序，有效提升生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN107785478A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610794736.X
申请日：2016-08-31
Applicant: 成都汇通西电电子有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/053 , H01R4/02 , H01R13/629 , H01R13/02
CPC classification number: H01L41/047 , H01L41/0475 , H01L41/053 , H01R4/029 , H01R13/02 , H01R13/629
Abstract: 本发明公开了传感器芯片连接机构、传感器及其总成，所述传感器芯片连接机构，包括一体化连接线、芯片电极；所述连接线包括用于与芯片电极连接的芯片连接端，用于与外电路连接的外连接端；所述芯片连接端、外连接端分别包括两个具有导电性的连接部，所述芯片连接端的连接部与外连接端的连接部之间由导体建立一一对应的电连接；所述芯片连接端的连接部间距与芯片电极间距相适应，并不易变形；外连接端的连接部之间的间距与需要连接的部件相适应，并不易变形；所述连接线的各个部分构成一个不可分离的整体；所述芯片电极位于压电陶瓷片的同一表面、构成同心环状电极；所述芯片连接端的连接部与所述芯片电极建立电连接，所述芯片连接端的连接部间距与芯片电极之间的间距相适应。
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