晶体振子及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110401429A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201910327438.3

    申请日:2019-04-23

    IPC分类号: H03H9/13 H03H9/19

    摘要: 本发明提供一种晶体振子及其制造方法,具有新的结构,且可谋求晶体阻抗的改善。晶体振子包括AT切割晶体片。所述晶体片的平面形状为长方形状且一部分成为厚壁部。所述晶体片中,当观察在晶体片的短边的中央附近沿长边方向切割的截面时,从一方的短边侧起,依次包括第一端部、凹部、厚壁部及第二端部。凹部是:从厚壁部朝向第一端部的一侧而设置的凹部,凹部的表面以规定角度θa凹陷,然后凸出,而与第一端部连接。从厚壁部的第一端部的一侧的上端至第一端部的前端为止的尺寸L,成为:L=λ(n/4±0.25)。n为奇数,λ为在所述晶体振子的X轴方向上传播的弯曲振动的波长。

    AT切割晶片、晶体共振器及晶体振子

    公开(公告)号:CN106921359A

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201611225568.9

    申请日:2016-12-27

    IPC分类号: H03H9/02 H03H9/19

    CPC分类号: H03H9/19 H03H9/02023 H03H9/02

    摘要: 本发明提供特性优异的新颖的AT切割晶片、晶体共振器及晶体振子。使与晶体的Z'轴交叉的两个侧面包含第一面(11a)~第三面(11c)这三个面。第一面为相当于使所述晶片的主面(11d)以晶体的X轴为旋转轴而旋转了4°±3°所得的面,第二面为相当于使主面以晶体的X轴为旋转轴而旋转了‑57°±3°所得的面,第三面为相当于使主面以晶体的X轴为旋转轴而旋转了‑42°±3°所得的面。在将第一面的所述角度表示为θ1,第一面的晶体的Z'轴方向上的长度表示为D,所述晶片的主面的厚度表示为t,且表示为M=D/t,所述晶片的从厚度扭转振动向面滑动振动的转换率表示为fn(M,(θ1))时,θ1及M以fn(M,(θ1))为规定值Th以下的方式设定。

    压电元件及其制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114928347A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202110431276.5

    申请日:2021-04-21

    IPC分类号: H03H9/17 H03H9/02

    摘要: 本发明提供一种压电元件及其制作方法,改善包括AT切割晶体片的压电元件的晶体阻抗,所述AT切割晶体片的平面形状为四边形形状,与晶体的Z'轴交叉的侧面包含:规定的第一面、第二面、第三面。晶体片在与Z'轴平行的两边中的碰触晶体的X轴的‑X侧的边即第一边侧,通过导电性粘接剂而连接固定于容器。在将与所述第一边相向的第二边的沿着所述Z'轴的直线部分的尺寸表示为W1、将所述AT切割晶体片的沿着所述Z'轴的尺寸表示为W0时,W1/W0为0.91以上。第二边的沿着所述Z'轴的直线部分的两侧成为:与晶体片的沿着晶体的X轴的边相连的大致直角的角部。

    弹性表面波装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110176915A

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201910116341.8

    申请日:2019-02-15

    IPC分类号: H03H9/64

    摘要: 本发明提供一种弹性表面波装置,含有Q值的特性良好,并且可获得充分的装置的反射特性。所述弹性表面波装置包含:晶体层、压电层及梳形电极。关于晶体层,是以如下状态的z1轴的正交面为切断面而切断,并且将与x1轴平行的方向设为弹性表面波的传输方向的层。所述状态是:当将晶体层的右螺旋方向上的旋转设为正(+)时,使包含与晶体层的晶体的晶轴XYZ分别相一致的x1轴、y1轴、z1轴的三维坐标系,以x1轴为旋转轴在相对于+125.25°为±3°的范围内旋转,其次,使所述三维坐标系以z1轴为旋转轴在相对于+45°为±2°的范围内旋转,接着,使所述三维坐标系以x1轴为旋转轴在相对于-45°为±2°的范围内旋转后的状态。

    压电振动片及压电装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107026632A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201611196508.9

    申请日:2016-12-22

    IPC分类号: H03H9/13

    摘要: 本发明提供一种压电振动片与压电装置。本发明的压电振动片包括:振动片本体,具有振动部;以及至少一对激振电极,分别形成于振动部的表面及背面。振动片本体为2次旋转晶体振动片。所述一对激振电极在由以+X″轴方向为基准而以Y″轴为中心逆时针地旋转了260°~300°所得的X″′轴而规定的Z″′轴方向上排列,且相对于Y″轴方向倾斜地配置。所述一对激振电极各自形成为具有沿X″′轴方向延伸的直线部分的半圆状,并且彼此以直线部分重叠的状态配置。在激振电极的直线部分具有朝向所述激振电极的端部而厚度逐渐变薄的倾斜部。

    压电振动片以及压电元件

    公开(公告)号:CN108336983B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN201810025589.9

    申请日:2018-01-11

    IPC分类号: H03H9/13 H03H9/17

    摘要: 本发明提供一种压电振动片及压电元件,通过输出两个频率的信号,并在平板状的压电基板上所形成的激振电极的周围形成尺寸经适当调整的倾斜,从而抑制了无用振动。压电振动片包括:压电基板以及激振电极。激振电极具有主厚部与倾斜部,所述主厚部形成固定厚度,所述倾斜部形成在主厚部的周围,并且以厚度从与主厚部相接的部分直到激振电极的最外周而逐渐变薄的方式形成,倾斜部的宽度即倾斜宽度形成为如下所述的长度,所述长度为厚度切变振动的基本波中的弯曲振动的波长即第1弯曲波长的0.84倍以上且1.37倍以下、且厚度切变振动的3倍波中的弯曲振动的波长即第2弯曲波长的2.29倍以上且3.71倍以下。

    AT切割晶片、晶体共振器及晶体振子

    公开(公告)号:CN106921359B

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN201611225568.9

    申请日:2016-12-27

    IPC分类号: H03H9/02 H03H9/19

    摘要: 本发明提供特性优异的新颖的AT切割晶片、晶体共振器及晶体振子。使与晶体的Z'轴交叉的两个侧面包含第一面(11a)~第三面(11c)这三个面。第一面为相当于使所述晶片的主面(11d)以晶体的X轴为旋转轴而旋转了4°±3°所得的面,第二面为相当于使主面以晶体的X轴为旋转轴而旋转了‑57°±3°所得的面,第三面为相当于使主面以晶体的X轴为旋转轴而旋转了‑42°±3°所得的面。在将第一面的所述角度表示为θ1,第一面的晶体的Z'轴方向上的长度表示为D,所述晶片的主面的厚度表示为t,且表示为M=D/t,所述晶片的从厚度扭转振动向面滑动振动的转换率表示为fn(M,(θ1))时,θ1及M以fn(M,(θ1))为规定值Th以下的方式设定。

    弹性表面波装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110198159A

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201910136789.6

    申请日:2019-02-25

    IPC分类号: H03H9/64 H03H9/02

    摘要: 本发明提供一种弹性表面波装置,关于包含频率温度特性的各特性为良好。弹性表面波装置包含:晶体层;非晶氧化硅层,层叠于所述晶体层上;压电层,层叠于所述非晶氧化硅层上;以及梳形电极,形成于所述压电层上,用于在所述压电层上激励弹性表面波。当将所述弹性表面波的波长设为λ时,0.1≤所述非晶氧化硅层的厚度/λ≤1,0.08<压电层的厚度/λ≤1。

    压电振动片以及压电元件
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108336983A

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201810025589.9

    申请日:2018-01-11

    IPC分类号: H03H9/13 H03H9/17

    摘要: 本发明提供一种压电振动片及压电元件,通过输出两个频率的信号,并在平板状的压电基板上所形成的激振电极的周围形成尺寸经适当调整的倾斜,从而抑制了无用振动。压电振动片包括:压电基板以及激振电极。激振电极具有主厚部与倾斜部,所述主厚部形成固定厚度,所述倾斜部形成在主厚部的周围,并且以厚度从与主厚部相接的部分直到激振电极的最外周而逐渐变薄的方式形成,倾斜部的宽度即倾斜宽度形成为如下所述的长度,所述长度为厚度切变振动的基本波中的弯曲振动的波长即第1弯曲波长的0.84倍以上且1.37倍以下、且厚度切变振动的3倍波中的弯曲振动的波长即第2弯曲波长的2.29倍以上且3.71倍以下。