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公开(公告)号:CN110401429A
公开(公告)日:2019-11-01
申请号:CN201910327438.3
申请日:2019-04-23
Applicant: 日本电波工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种晶体振子及其制造方法,具有新的结构,且可谋求晶体阻抗的改善。晶体振子包括AT切割晶体片。所述晶体片的平面形状为长方形状且一部分成为厚壁部。所述晶体片中,当观察在晶体片的短边的中央附近沿长边方向切割的截面时,从一方的短边侧起,依次包括第一端部、凹部、厚壁部及第二端部。凹部是:从厚壁部朝向第一端部的一侧而设置的凹部,凹部的表面以规定角度θa凹陷,然后凸出,而与第一端部连接。从厚壁部的第一端部的一侧的上端至第一端部的前端为止的尺寸L,成为:L=λ(n/4±0.25)。n为奇数,λ为在所述晶体振子的X轴方向上传播的弯曲振动的波长。
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公开(公告)号:CN114928347A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202110431276.5
申请日:2021-04-21
Applicant: 日本电波工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种压电元件及其制作方法,改善包括AT切割晶体片的压电元件的晶体阻抗,所述AT切割晶体片的平面形状为四边形形状,与晶体的Z'轴交叉的侧面包含:规定的第一面、第二面、第三面。晶体片在与Z'轴平行的两边中的碰触晶体的X轴的‑X侧的边即第一边侧,通过导电性粘接剂而连接固定于容器。在将与所述第一边相向的第二边的沿着所述Z'轴的直线部分的尺寸表示为W1、将所述AT切割晶体片的沿着所述Z'轴的尺寸表示为W0时,W1/W0为0.91以上。第二边的沿着所述Z'轴的直线部分的两侧成为:与晶体片的沿着晶体的X轴的边相连的大致直角的角部。
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公开(公告)号:CN116707473A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310058735.9
申请日:2023-01-18
Applicant: 日本电波工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种晶体晶片以及晶体振子的制造方法,所述晶体晶片能够减轻操作及搬送时所产生的破裂,能够提升生产性。晶体晶片(10)在外周部(20)的一部分或全部包括双晶化区域(21)。双晶化区域是从晶体晶片的外周向中心至少2mm的区域,所述区域的80%以上经双晶化。在包括双晶化区域的晶体晶片以矩阵状形成用于形成多个晶体振子的外形的耐蚀刻掩模(13),将所述晶体晶片浸渍于以氢氟酸为主的蚀刻液中而形成所述外形。
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公开(公告)号:CN112787619A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN202011130124.3
申请日:2020-10-21
Applicant: 日本电波工业株式会社
Abstract: 本发明提出一种改善了晶体阻抗的压电元件及其制造方法,压电元件包括AT切割晶体片。AT切割晶体片的平面形状为四边形形状。与晶体的Z'轴交叉的侧面,具有:规定的第一面、第二面、第三面。晶体片依次包括:将晶体的X轴作为旋转轴,使主面旋转了4°±3.5°的第一面;将晶体的X轴作为旋转轴,使主面旋转了‑57°±5°的第二面;以及将晶体的X轴作为旋转轴,使主面旋转了‑42°±5°的第三面。晶体片在与Z'轴平行的两边中的第一边侧,通过导电性粘接剂来连接固定在容器。晶体片的与所述第一边相向的第二边侧的两个角部,在俯视时,分别成为85度~90度之间的角度。晶体片的前端的直线状的部分的尺寸W1与晶体片的宽度尺寸W0的比W1/W0为0.96以上。
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公开(公告)号:CN109391240A
公开(公告)日:2019-02-26
申请号:CN201810877580.0
申请日:2018-08-03
Applicant: 日本电波工业株式会社
CPC classification number: H01L41/332 , H01L41/0477 , H01L41/0533 , H03B5/32 , H03B2200/0018 , H03H3/02 , H03H9/02023 , H03H9/177 , H03H9/19 , H03H2003/022 , H03H9/05 , H03H9/10
Abstract: 本发明提供一种晶体振子及其制造方法,可使晶体阻抗改善的具有新型的台面构造。晶体振子包含AT切割晶体片(10)。所述晶体片中,平面形状为长方形状,并且使一部分为厚壁部。所述晶体片中,当观察在其短边的中央附近沿长边方向切割的截面时,从一个短边侧起,依次具备第一端部(10a)、第一凹部(10b)、厚壁部(10e)、第二凹部(10c)及第二端部(10d)。第一凹部是从厚壁部以规定角度(θa)下降至第一端部侧然后上升而与第一端部连接的凹部。第二凹部是从厚壁部以规定角度(θb)下降至第二端部侧然后上升而与第二端部连接的凹部。
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