公开(公告)号：CN106992764A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201611119497.4

申请日：2016-12-07

Applicant: 日本电波工业株式会社

Inventor： 平塚祐也 ,  木村悟利 ,  大塚隆宏

IPC: H03H3/04

CPC classification number: H03H3/04 ,  H03H9/09 ,  H03H9/17 ,  H03H2003/0407 ,  H03H2003/0428 ,  H03H2003/0435

Abstract: 本发明涉及一种压电振子的频率调整方法及压电振子，可以抑制由压电振子的频率调整所引起的频率温度特性的恶化。压电振子是通过宽度纵模及长度纵模的结合而进行振动，包括平面形状为矩形的第1振动部、与第1振动部的一端连接并且平面形状为矩形的第2振动部、以及与第1振动部的另一端连接并且平面形状为矩形的第3振动部。将第2振动部沿宽度纵模的振动方向，从第1振动部侧起定义为第1区域、第2区域及第3区域。将第3振动部从第1振动部侧起定义为第1区域、第2区域、第3区域。频率调整是通过减少第2振动部及第3振动部各自的第1区域及第3区域的质量，或在所述区域内添加质量来进行。

公开(公告)号：CN115412051A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210568849.3

申请日：2022-05-24

Applicant: 日本电波工业株式会社

Inventor： 松尾清治 ,  大塚隆宏

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/19 ,  H03H9/13 ,  H03H3/04

Abstract: 一种包括谋求激励电平特性的改善的新颖结构的AT切的晶体振子及晶体振子中间物以及晶体振子的制造方法。本发明的晶体振子(10)包括：AT切的晶体片(20)，平面形状为长方形状，将与晶体的X轴平行的方向设为长边；激振用电极(21a)及激振用电极(21b)，设置于所述晶体片的表背；及容器(30)，安装晶体片。在将所述晶体片的厚度表示为T，将设置于所述晶体片的表背的所述激振用电极的厚度的合计值表示为t时，两者的比即t/T为0.026～0.030。或在将晶体片的设置有激振用电极的区域中的晶体的质量表示为M，将所述区域中的所述表背的激振用电极的质量表示为m时，两者的比即m/M为0.192～0.216。

公开(公告)号：CN120016997A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411459729.5

申请日：2024-10-18

Applicant: 日本电波工业株式会社

Inventor： 大塚隆宏 ,  宫原畅 ,  大沢和彦

IPC: H03H9/13

Abstract: 本发明提供一种即使在增加每个晶片的芯片的个数的情况下也容易进行芯片的切取加工的晶片。晶片(1)具有：框部(11)，包围形成有多个芯片(30)的芯片形成区域(10)；第一梁部(21)，两端与框部(11)连接；第二梁部(22)，两端与框部(11)连接，在芯片形成区域(10)中与第一梁部(21)交叉；多个第三梁部(23)，分别以能够切取的方式设置有多个芯片(30)，在芯片形成区域(10)中相互平行地延伸；以及第四梁部(24a～24d)，一端与框部(11)连接，另一端与第二梁部(22)连接。第三梁部(23)的一端与一个第四梁部(24a～24d)连接，另一端与框部(11)或第一梁部(21)连接。

公开(公告)号：CN114928347A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202110431276.5

申请日：2021-04-21

Applicant: 日本电波工业株式会社

Inventor： 渡邉彻也 ,  大塚隆宏 ,  大沢和彦 ,  广田和博 ,  手岛芳朗

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02

Abstract: 本发明提供一种压电元件及其制作方法，改善包括AT切割晶体片的压电元件的晶体阻抗，所述AT切割晶体片的平面形状为四边形形状，与晶体的Z'轴交叉的侧面包含：规定的第一面、第二面、第三面。晶体片在与Z'轴平行的两边中的碰触晶体的X轴的‑X侧的边即第一边侧，通过导电性粘接剂而连接固定于容器。在将与所述第一边相向的第二边的沿着所述Z'轴的直线部分的尺寸表示为W1、将所述AT切割晶体片的沿着所述Z'轴的尺寸表示为W0时，W1/W0为0.91以上。第二边的沿着所述Z'轴的直线部分的两侧成为：与晶体片的沿着晶体的X轴的边相连的大致直角的角部。