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公开(公告)号:CN106158824B
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:CN201510171945.4
申请日:2015-04-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/145 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/96 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/03 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/11 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13111 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/81001 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/92124 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2224/81805 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
Abstract: 本发明提供了集成电路封装件及其形成方法。在载体上形成一个或多个再分布层。在RDL的第一侧上形成第一连接件。使用第一连接件将管芯接合至RDL的第一侧。在RDL的第一侧上和管芯周围形成密封剂。从上面的结构剥离载体,以及在RDL的第二侧上形成第二连接件。切割产生的结构以形成单独的封装件。
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公开(公告)号:CN104900544B
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201510093046.7
申请日:2015-03-02
Applicant: 马克西姆综合产品公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/492
CPC classification number: H01L24/14 , H01L21/561 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/03334 , H01L2224/0346 , H01L2224/0384 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05005 , H01L2224/05541 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05611 , H01L2224/131 , H01L2224/16058 , H01L2224/161 , H01L2224/291 , H01L2224/32058 , H01L2224/321 , H01L2224/85 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/0645 , H01L2924/0665 , H01L2924/0695 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
Abstract: 本发明描述了一种晶片级封装装置、电子装置和用于制造该晶片级封装装置的制造方法,该方法包括在晶片级封装装置上形成暴露的引线末端,以便当将晶片级封装装置结合到另一电部件时提供焊料支撑结构。在各实现方式中,晶片级封装装置包括至少一个集成电路管芯、金属垫、第一电介质层、再分布层、第二电介质层、柱结构、模制层、柱层、和镀覆层,其中柱层被锯切以在晶片级封装装置的至少两个侧面上形成垫触头。暴露的垫触头便于形成焊料角焊缝和支撑结构,结果得到改善的板级可靠性。
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公开(公告)号:CN105405819B
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201510753700.2
申请日:2015-11-06
Applicant: 通富微电子股份有限公司
Inventor: 丁万春
IPC: H01L23/367 , H01L23/552
CPC classification number: H01L2224/0401 , H01L2224/94 , H01L2924/3025 , H01L2224/11 , H01L2224/03
Abstract: 本发明提供了一种金属化晶圆级封装方法,包括:在包括多个芯片的晶圆的上表面形成第一光刻胶层,第一光刻胶层上具有露出晶圆上的芯片的功能面的开口部;在开口部内形成金属层,去除第一光刻胶层;在晶圆上表面形成切割道,且在晶圆上表面形成塑封层,塑封层的顶面高于金属层的顶面;对塑封层的上表面进行打磨,露出金属层;对晶圆的下表面进行打磨,露出切割道;在金属层上植焊球,沿切割道切割,形成多个封装体;对多个封装体的下表面和侧面进行金属镀,形成具有金属镀层的封装体。本发明提供封装方法,在封装体的下表面和侧面形成金属镀层,尽量不改变芯片的面积和体积,实现芯片之间的抗电磁干扰,提高封装精度,具有较高的集成度和整合度。
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公开(公告)号:CN108701691A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201780011825.5
申请日:2017-02-10
Applicant: 苹果公司
IPC: H01L25/075 , H01L25/16 , H01L23/00
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/3121 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L2224/10145 , H01L2224/11002 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/13007 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1601 , H01L2224/16112 , H01L2224/16238 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/3841 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/11
Abstract: 描述了微LED和微驱动器芯片集成方案。在一个实施方案中,微驱动器芯片包括形成在所述微驱动器芯片的底表面中的多个沟槽,其中每个沟槽围绕在所述微驱动器芯片主体的底表面下方延伸的导电立柱。另外,描述了用于提供与导电端子触点和微LED的电连接的集成方案,所述导电端子触点和所述微LED键合到显示器衬底且与微驱动器芯片相邻。
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公开(公告)号:CN108352378A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680059888.3
申请日:2016-10-06
Applicant: 赛灵思公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/00
CPC classification number: H01L23/5385 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L22/14 , H01L23/3114 , H01L23/538 , H01L23/5381 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/68372 , H01L2224/03312 , H01L2224/0332 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/17181 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/1515 , H01L2924/152 , H01L2924/153 , H01L2924/15311 , H01L2224/03 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L21/78 , H01L2221/68304 , H01L2224/81 , H01L21/56 , H01L21/304 , H01L2224/11 , H01L2221/68381 , H01L22/00 , H01L2224/1181
Abstract: 本公开描述了用于提供具有用于裸片到裸片互连的互连裸片(106)的半导体组件、集成电路(IC)封装(100)、制造方法和用于在集成电路封装中路由信号的方法。在一个实施例中,提供一种半导体组件,所述半导体组件包括第一互连裸片(106),所述第一互连裸片通过裸片间连接(108)被耦接至第一集成电路(IC)裸片(102)和第二集成电路裸片(102)。所述第一互连裸片包括固态电路(122),所述固态电路提供集成电路裸片之间的信号传输路径。
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公开(公告)号:CN103383923B
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201310156631.8
申请日:2013-03-08
Applicant: 新科金朋有限公司
Inventor: R·D·彭德斯
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76898 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/051 , H01L2224/05552 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/0603 , H01L2224/11 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1403 , H01L2224/141 , H01L2224/14135 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73259 , H01L2224/73265 , H01L2224/81 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81805 , H01L2224/83 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种用于应用处理器和存储器集成的薄3D扇出嵌入式晶片级封装(EWLB)。本发明涉及一种具有多个第一半导体管芯的半导体器件,该第一半导体管芯具有沉积在第一半导体管芯的第一表面上和第一半导体管芯周围的密封剂。在密封剂上和第一半导体管芯的与第一表面相对的第二表面上形成绝缘层。该绝缘层包括在第一半导体管芯上的开口。在第一半导体管芯上在开口内形成第一导电层。在第一导电层上形成第二导电层以形成垂直导电通孔。第二半导体管芯被置于第一半导体管芯上且被电连接到第一导电层。将凸点形成在第一半导体管芯的占位面积外的第二导电层上。第二半导体管芯被置于有效表面或第一半导体管芯的后表面上。
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公开(公告)号:CN105009266B
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201380074382.6
申请日:2013-10-04
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/78 , H01L23/49531 , H01L23/49562 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2224/0345 , H01L2224/0347 , H01L2224/03848 , H01L2224/04026 , H01L2224/05007 , H01L2224/05011 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05563 , H01L2224/05565 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/26145 , H01L2224/29027 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32257 , H01L2224/33181 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/4878 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/831 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2224/03 , H01L2924/00
Abstract: 元件电极(103)设置于半导体元件(101)的表面。金属膜(105)设置于元件电极(103)上,并具有内侧区域(105a)和位于内侧区域(105a)周围的外侧区域(105b1)。在金属膜(105)中设置有在内侧区域(105a)及外侧区域(105b1)之间将元件电极(103)露出的开口(TR)。元件电极(103)具有比金属膜(105)的焊料浸润性低的焊料浸润性。外部电极(117)与金属膜(105)的内侧区域(105a)进行焊料接合。
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公开(公告)号:CN104835792B
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201510060529.7
申请日:2015-02-05
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L24/94 , H01L23/3114 , H01L23/3178 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L29/0657 , H01L2224/0224 , H01L2224/02245 , H01L2224/02255 , H01L2224/0226 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/06165 , H01L2224/10135 , H01L2224/10145 , H01L2224/94 , H01L2924/3512 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括:一半导体基底;一凹口,位于半导体基底内且邻接半导体基底的一侧边,其中半导体基底具有至少一间隔部,该至少一间隔部突出于凹口的一底部;一导线,设置于半导体基底上,且延伸至凹口内。本发明不仅能够降低与导线电性连接的导电结构的高度,还可减少应力而避免半导体基底破裂,且有效缩短导线的导电路径,进而增加输出信号的布局弹性。另外,由于半导体基底具有突出于凹口的底部的间隔部,因此可避免导线发生短路的问题,进而提升晶片封装体的可靠度。
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公开(公告)号:CN105140139B
公开(公告)日:2018-03-30
申请号:CN201510411275.9
申请日:2015-05-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/82 , H01L24/05 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/0312 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/05016 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05082 , H01L2224/05084 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05562 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05672 , H01L2224/80203 , H01L2224/80825 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2224/05624
Abstract: 本发明涉及厚金属焊盘的处理。在本发明的实施例中,形成半导体器件的方法包括提供包含第一芯片区和第二芯片区的半导体衬底。在所述第一芯片区之上形成第一接触焊盘并在所述第二芯片区之上形成第二接触焊盘。所述第一和第二接触焊盘至少与所述半导体衬底一样厚。该方法进一步包括在所述第一和第二接触焊盘之间切割穿过该半导体衬底。所述切割从包括所述第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底一侧执行。在所述第一和第二接触焊盘以及通过切割暴露的半导体衬底的侧壁之上形成导电衬垫。
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公开(公告)号:CN105633033B
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201510993403.5
申请日:2015-12-25
Applicant: 通富微电子股份有限公司
Inventor: 施建根
IPC: H01L23/31 , H01L23/485 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3171 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/94 , H01L2924/10253 , H01L2924/3511 , H01L2224/11 , H01L2224/03
Abstract: 本发明提供了一种半导体晶圆凸点结构的形成方法,包括:在晶圆上表面形成再造钝化层;在晶圆下表面形成聚合物材料层;在聚合物材料层的各裸露面上形成背胶层。与现有技术相比,本发明提供的半导体晶圆凸点结构的形成方法,能够削弱晶圆翘曲,从而有利于切割前的测试、打印、植球等工序的制造。