金属化晶圆级封装方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105405819B

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201510753700.2

    申请日:2015-11-06

    Inventor: 丁万春

    Abstract: 本发明提供了一种金属化晶圆级封装方法,包括:在包括多个芯片的晶圆的上表面形成第一光刻胶层,第一光刻胶层上具有露出晶圆上的芯片的功能面的开口部;在开口部内形成金属层,去除第一光刻胶层;在晶圆上表面形成切割道,且在晶圆上表面形成塑封层,塑封层的顶面高于金属层的顶面;对塑封层的上表面进行打磨,露出金属层;对晶圆的下表面进行打磨,露出切割道;在金属层上植焊球,沿切割道切割,形成多个封装体;对多个封装体的下表面和侧面进行金属镀,形成具有金属镀层的封装体。本发明提供封装方法,在封装体的下表面和侧面形成金属镀层,尽量不改变芯片的面积和体积,实现芯片之间的抗电磁干扰,提高封装精度,具有较高的集成度和整合度。

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