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公开(公告)号：CN107316842A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201610326414.2
申请日：2016-05-17
申请人： 矽品精密工业股份有限公司
IPC分类号： H01L23/13
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/02145 , H01L2224/0215 , H01L2224/02205 , H01L2224/0221 , H01L2224/02373 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05557 , H01L2224/05569 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13022 , H01L2224/13026 , H01L2224/131 , H01L2224/81192 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/06 , H01L2924/014 , H01L23/13
摘要： 一种基板结构，包括：具有电性接点的基板本体、形成于该基板本体上并外露该电性接点的绝缘层、以及形成于该绝缘层部分表面上的绝缘保护层，该绝缘保护层具有对应位于单一该电性接点的多个开口，其中，至少一该开口位于该电性接点的外围，以于该基板结构经过高温作业时，该绝缘保护层可通过该些开口分散制造方法所产生的残留应力。
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公开(公告)号：CN102201351B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201110073590.7
申请日：2011-03-25
申请人： 新科金朋有限公司 , 星科金朋(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/49811 , H01L21/76877 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05026 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/10126 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明涉及半导体器件和形成用于无铅凸块连接的双UBM结构的方法。一种半导体器件具有包括接触焊盘的衬底。第一绝缘层形成在衬底和接触焊盘上。第一凸块下金属化（UBM）形成在第一绝缘层上并且被电连接到接触焊盘。第二绝缘层形成在第一UBM上。第二UBM在第二绝缘层被固化之后形成在第二绝缘层上。第二UBM被电连接到第一UBM。第二绝缘层在第一和第二UBM的多个部分之间并且分隔第一和第二UBM的多个部分。接触焊盘上的具有开口的光致抗蚀剂层被形成在第二UBM上。导电凸块材料被沉积在光致抗蚀剂层中的开口内。光致抗蚀剂层被除去，并且导电凸块材料被回流以形成球形凸块。
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公开(公告)号：CN103151329B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210258782.X
申请日：2012-07-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L22/34 , G01R31/2884 , H01L21/76885 , H01L22/32 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02126 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/0554 , H01L2224/10126 , H01L2224/13005 , H01L2224/16225 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
摘要： 以上描述的实施例提供用于在封装的集成电路(IC)芯片上方形成金属焊盘上金属凸块和测试焊盘的机制。形成钝化层，以覆盖测试焊盘和可能覆盖金属焊盘的部分。钝化层不覆盖远离测试焊盘区和金属焊盘区的表面。通过钝化层有限地覆盖测试焊盘和金属焊盘的部分减小了在金属焊盘和金属凸块之间形成的UBM层的界面阻抗。这种界面阻抗的减小导致金属凸块的阻抗的减小。本发明还提供了用于封装芯片的钝化层。
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公开(公告)号：CN104269390A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410474255.1
申请日：2011-07-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/0235 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05008 , H01L2224/05012 , H01L2224/05014 , H01L2224/05015 , H01L2224/05018 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05541 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05562 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/06131 , H01L2224/10126 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/11912 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01028 , H01L2924/01022 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。
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公开(公告)号：CN103531487A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310456566.0
申请日：2013-09-29
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48
CPC分类号： H01L2224/02126 , H01L2224/03001 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/10126 , H01L2224/11009 , H01L2224/1147 , H01L2224/11903 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L21/4853
摘要： 一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体基底，半导体基底上形成有焊垫层；形成覆盖所述半导体基底和焊垫层表面的钝化层，钝化层中具有暴露焊垫层表面的第一开口；在第一开口上形成凸下金属层；在凸下金属层上形成金属柱；刻蚀去除金属柱两侧的凸下金属层，金属柱底部剩余的凸下金属层的边缘具有向金属柱底部凹陷的底切缺陷；形成牺牲层，牺牲层填充所述底切缺陷；形成覆盖牺牲层、钝化层和金属柱的第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有暴露牺牲层一端表面的第三开口；沿第三开口去除所述牺牲层，形成空腔，所述空腔与第三开口连通；形成填补所述底切缺陷的补偿层，所述补偿层的材料为金属。本发明的方法提高了封装结构的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN103094243A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110384315.7
申请日：2011-11-28
申请人： 矽品精密工业股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/3157 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/0231 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/03 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/03622 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05018 , H01L2224/05027 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/10126 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13 , H01L2224/13006 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/06 , H01L2924/07025 , H01L2924/2064 , H01L2924/37001 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
摘要： 一种封装基板结构及其制法，该封装基板结构包括基板、介电层与金属层，该基板的一表面具有至少一电性接触垫，该介电层形成于该基板的表面上，该介电层具有至少一第一开口与第二开口，其中，该第一开口对应外露该电性接触垫，该第二开口对应设置于该第一开口的周缘，该金属层对应形成于该电性接触垫及该介电层上，且延伸至该第二开口的侧壁上。相比于现有技术，本发明可有效减轻凸块底下金属层的外缘的侧蚀现象。
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公开(公告)号：CN102361032A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110380795.X
申请日：2010-03-09
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/48 , H01L23/58
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L27/1464 , H01L27/14683 , H01L2224/02126 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/05096 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/451 , H01L2224/48095 , H01L2224/48463 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/30105 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体装置，包括：半导体基板，具有第一主面及与该第一主面对置的第二主面，并形成有包含多个电路块的集成电路；以及保护环布线，贯通上述第一及第二主面的两面而形成于上述半导体基板，并包围上述集成电路的任意的电路块。
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公开(公告)号：CN100530577C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200480044750.3
申请日：2004-10-29
发明人： 铃木清市
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/02126 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/4943 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01061 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/181 , H01L2924/20753 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法，在包围接合用开口(108)的焊垫(101)各边设有缝隙状的空隙区域(107)，以空隙区域(107a)作为边界，分割为焊垫(101)的接合用开口(108)侧区域(101a)和相邻设置的配线层(102)侧区域(101b)。配线层(102)侧区域(101b)与接合用开口(108)侧区域(101a)分离达空隙区域(107a)的宽度，且因为在该部分有比金属材料更柔软材料的钝化膜(103)的一部分形成被埋入的状态，所以热应力是通过空隙区域(107a)吸收、分散，并且大幅地抑制金属原子从接合用开口(108)侧区域(101a)扩散到配线层(102)侧区域(101b)。
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公开(公告)号：CN101189721A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200580049945.1
申请日：2005-06-02
申请人： 富士通株式会社
发明人： 王文生
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76832 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L24/05 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/57 , H01L28/75 , H01L2224/02126 , H01L2224/02166 , H01L2224/05624 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
摘要： 在半导体衬底(10)的上方形成铁电电容器(42)后，形成直接覆盖铁电电容器(42)的阻挡膜(46)。然后，形成与铁电电容器(42)连接的布线(56a等)。进一步，在布线(42)的上方形成阻挡膜(58)。而且，在形成阻挡膜(46)时形成层叠体，上述层叠体至少具有两种组分不同并且可防止氢或水扩散的防扩散膜(46a以及46b)。
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公开(公告)号：CN101140916A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710166802.X
申请日：2005-05-24
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 黑泽康则
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/05 , H01L2224/02125 , H01L2224/02126 , H01L2224/02235 , H01L2224/0231 , H01L2224/0236 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05548 , H01L2224/10126 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2224/13 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
摘要： 本发明提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基板(10)，形成有电极(14)；树脂层(20)，按照避开所述电极(14)的形式形成；连接盘(32)，设在树脂层(20)上；布线(34)，将电极(14)和连接盘(32)电连接；和外部端子(40)，接合在连接盘(32)上。树脂层(20)包括：第1树脂部(22)，避开连接盘(32)对外部端子(40)的接合面(35)的中央部，并支撑端部；和第2树脂部(24)，与第1树脂部(22)相邻。第1树脂部(22)的弹性系数比第2树脂部(24)低。
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