公开(公告)号：CN101231971A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710148569.2

申请日：2007-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘铭棋 ,  傅士奇 ,  刘源鸿 ,  陈威智 ,  罗际兴

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有接合垫的互补式金属氧化物半导体影像感测器及其形成方法，上述互补式金属氧化物半导体影像感测器包括：半导体衬底，具有像素区域以及电路区域；钝化层，位于该半导体衬底上，该钝化层具有开口；以及接合垫，位于该电路区域中，其中该接合垫不延伸于该钝化层的上方。本发明可明显降低接合垫与钝化层之间的高度差，因此可消除半导体衬底上因旋转涂布导致的散射缺陷，并可降低平坦化层的厚度从而提高CMOS影像感测器的光学性能。

公开(公告)号：CN101231971B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200710148569.2

申请日：2007-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘铭棋 ,  傅士奇 ,  刘源鸿 ,  陈威智 ,  罗际兴

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有接合垫的互补式金属氧化物半导体影像感测器及其形成方法，上述互补式金属氧化物半导体影像感测器包括：半导体衬底，具有像素区域以及电路区域；钝化层，位于该半导体衬底上，该钝化层具有开口；以及接合垫，位于该电路区域中，其中该接合垫不延伸于该钝化层的上方。本发明可明显降低接合垫与钝化层之间的高度差，因此可消除半导体衬底上因旋转涂布导致的散射缺陷，并可降低平坦化层的厚度从而提高CMOS影像感测器的光学性能。