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公开(公告)号：CN110875174A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910739722.1
申请日：2019-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/768
Abstract: 在一种半导体装置的制造方法中，具有开口的第一层在基板上形成。第二层形成于第一层与基板上方。光阻图案形成于第一层开口上的第二层的上方；以热处理制程回焊光阻图案；执行回蚀操作以平坦化第二层。
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公开(公告)号：CN109585285A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810438794.8
申请日：2018-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3105
Abstract: 半导体装置的形成方法包括形成自基板凸起的结构，形成介电层以覆盖结构，形成虚置层以覆盖介电层，以及进行平坦化工艺以完全移除虚置层。平坦化工艺对虚置层的移除速率小于对介电层的移除速率。
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公开(公告)号：CN109585285B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201810438794.8
申请日：2018-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3105
Abstract: 半导体装置的形成方法包括形成自基板凸起的结构，形成介电层以覆盖结构，形成虚置层以覆盖介电层，以及进行平坦化工艺以完全移除虚置层。平坦化工艺对虚置层的移除速率小于对介电层的移除速率。
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公开(公告)号：CN1825603A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610001625.5
申请日：2006-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/14 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14654
Abstract: 本发明提供一种形成在内层介电层(ILD)的导光特征(light－directing feature)，结合抗反射层(AR)，可同时有效增加量子效率与抗扰性，因此改善感光集成电路之光子表现的方法。其步骤包含形成多个光传感器单元在半导体基材上，接着，形成抗反射层在这些光传感器单元上，此抗反射层实质上不会使入射光产生反射，然后，形成内层介电层在此抗反射层之上，其中内层介电层包含形成在其开口的多个导光特征，且这些导光特征位于抗反射层上以及部分光传感器单元之上方。
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公开(公告)号：CN111128861B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201911051128.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , H01L23/544
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包含，第一层间介电层形成于基材上，化学机械研磨停止层形成于第一层间介电层上，经由图案化化学机械研磨停止层以及第一层间介电层形成沟槽，金属层形成于化学机械研磨停止层上以及沟槽中，化学机械研磨牺牲层形成于金属层上，于化学机械研磨牺牲层以及金属层上执行化学机械研磨操作，以移除化学机械研磨停止层上方的金属层的部分，并移除沟槽上的化学机械研磨牺牲层的剩余部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100378955C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510075335.0
申请日：2005-06-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明是关于一种适用于影像感测器的透镜结构及其制造方法。该影像感测器包括双微透镜结构，是具有一外微透镜排列于一内微透镜上方，两微透镜是排列于对应的光感测器上方。可经由硅化法形成内或外微透镜，其中光阻材料的反应性部分是与含硅药剂反应。可通过梯级蚀刻法形成内或外微透镜，梯级蚀刻法包括一系列交替的蚀刻步骤，是包括非等向性蚀刻步骤及造成图案化的光阻侧向地缩减的蚀刻步骤。可使用接续的非等向性蚀刻法来平坦化蚀刻过的梯级结构，并且形成平滑的透镜。亦可使用热安定及感光性聚合/有机材料形成永久的内或外透镜。涂覆感光材料，接着使用微影使其图案化，回流，接着熟化，以形成永久的透镜结构。
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公开(公告)号：CN109768011B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201810450493.7
申请日：2018-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L45/00 , H01L23/538 , H01L27/24
Abstract: 一种方法包括提供具有导电柱的衬底、位于导电柱上方的介电层和位于介电层上方的多个牺牲块，从顶视图中多个牺牲块围绕导电柱；沉积覆盖多个牺牲块的牺牲层，牺牲层具有正位于导电柱之上的凹槽；在牺牲层上方沉积硬掩模层；从凹槽的底部去除硬掩模层的部分，使用硬掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻凹槽的底部，从而暴露导电柱的顶面；并且在凹槽内形成导电材料，导电材料与导电柱的顶面物理接触。本发明的实施例还涉及通孔结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109768011A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201810450493.7
申请日：2018-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L45/00 , H01L23/538 , H01L27/24
Abstract: 一种方法包括提供具有导电柱的衬底、位于导电柱上方的介电层和位于介电层上方的多个牺牲块，从顶视图中多个牺牲块围绕导电柱；沉积覆盖多个牺牲块的牺牲层，牺牲层具有正位于导电柱之上的凹槽；在牺牲层上方沉积硬掩模层；从凹槽的底部去除硬掩模层的部分，使用硬掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻凹槽的底部，从而暴露导电柱的顶面；并且在凹槽内形成导电材料，导电材料与导电柱的顶面物理接触。本发明的实施例还涉及通孔结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN100373627C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610001625.5
申请日：2006-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/14 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14654
Abstract: 本发明提供一种形成在内层介电层(ILD)的导光图案层(light-directingfeature)，结合抗反射层(AR)，可同时有效增加量子效率与抗扰性，因此改善感光集成电路之光子表现的方法。其步骤包含形成多个光传感器单元在半导体基材上，接着，形成抗反射层在这些光传感器单元上，此抗反射层实质上不会使入射光产生反射，然后，形成内层介电层在此抗反射层之上，其中内层介电层包含形成在其开口的多个导光图案层，且这些导光图案层位于抗反射层上以及部分光传感器单元之上方。
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公开(公告)号：CN107293640B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201611222541.4
申请日：2016-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在第一材料层中形成具有锥形轮廓的开口。开口的上部宽度大于开口的底部宽度。该方法还包括在开口中形成第二材料层并且形成硬掩模以覆盖部分第二材料层。硬掩模与开口对准并且具有小于开口的上部宽度的宽度。该方法还包括通过使用硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻第二材料层以形成具有锥形轮廓的部件的上部。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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