公开(公告)号：CN115497844A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210172293.6

申请日：2022-02-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧豪毅 ,  吴国铭 ,  陈俊良 ,  陈昇照

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明是关于用于分析经接合工件的界面的方法和相关的工艺工具。所述方法包括产生电磁辐射，电磁辐射定向朝着一对经接合的工件的周边且定向朝着设置在经接合的工件的周边后方的辐射传感器。沿着以电磁辐射进行扫描。测量整个所述扫描冲击在辐射传感器上的电磁辐射的强度。测量强度包括沿延伸通过一对经接合的工件的顶表面及底表面的垂直轴在多个不同的位置处记录电磁辐射的多个强度值。基于多个强度值的最大测量到的强度值，来确定一对经接合的工件之间的界面的位置。本发明可以提高经接合的工件之间的界面的位置的准确性。

公开(公告)号：CN115491661A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210015166.5

申请日：2022-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李昇展 ,  陈昇照 ,  周正贤 ,  蔡正原

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/52

Abstract: 一种薄膜沉积系统包括位于晶片上方且配置成在薄膜沉积工艺期间产生等离子体的顶板。所述系统包括配置成生成表示位于晶片及顶板之间的间隙的传感器信号的间隙传感器。所述系统包括配置成在薄膜沉积工艺期间响应传感器信号来调整间隙的控制系统。

公开(公告)号：CN111128861B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201911051128.X

申请日：2019-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄才铭 ,  黄伟杰 ,  匡训冲 ,  朱彦璋 ,  鍾政哲 ,  梁晋玮 ,  郭景森 ,  陈界璋 ,  许峰嘉 ,  陈昇照

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L23/544

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包含，第一层间介电层形成于基材上，化学机械研磨停止层形成于第一层间介电层上，经由图案化化学机械研磨停止层以及第一层间介电层形成沟槽，金属层形成于化学机械研磨停止层上以及沟槽中，化学机械研磨牺牲层形成于金属层上，于化学机械研磨牺牲层以及金属层上执行化学机械研磨操作，以移除化学机械研磨停止层上方的金属层的部分，并移除沟槽上的化学机械研磨牺牲层的剩余部分。

公开(公告)号：CN109585646B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201810631318.8

申请日：2018-06-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昇照 ,  萧清泰 ,  张耀文 ,  匡训沖 ,  蔡正原

IPC: H10B61/00 ,  H10B63/00 ,  H10N70/00 ,  H10N50/01 ,  H10N50/10

Abstract: 提供具有蚀刻停止层的存储单元。存储单元包含底部电极设置于基底上方。开关介电质设置于底部电极上方并且具有可变电阻。顶部电极设置于开关介电质上方。侧壁间隔层沿着底部电极、开关介电质和顶部电极的多个侧壁往上延伸。下蚀刻停止层设置于下介电层上方并且衬于侧壁间隔层的外侧壁。下蚀刻停止层是由与侧壁间隔层不同的材料形成，并且保护顶部电极免于制造程序期间的损伤。也提供用于制造存储单元的方法。

公开(公告)号：CN114649359A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210178632.1

申请日：2022-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  郭文昌 ,  陈昇照 ,  洪丰基 ,  李昇展

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器及形成图像传感器的方法。根据本发明的半导体器件包括半导体层、设置在该半导体层中的多个金属隔离部件、设置在该多个金属隔离部件正上方的金属栅格以及设置在该金属栅格上方的多个微透镜部件。本申请的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN119400773A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411410702.7

申请日：2024-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴国铭 ,  李汝谅 ,  陈昇照

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L23/538 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 通过在第一半导体管芯中的接合焊盘处用第二半导体管芯中的接合通孔接合第一半导体管芯和第二半导体管芯并且通过接合第一半导体管芯中和第二半导体管芯中的介电层来形成半导体器件。从第二半导体器件省略接合焊盘，而是使用接合通孔来接合第一半导体管芯和第二半导体管芯，在第二半导体管芯的接合通孔之间提供更大量的间隔，因为接合通孔具有比接合焊盘小的宽度。这使得第二半导体器件的介电层的更大量的介电材料能够放置在接合通孔之间，而不(或最小程度地)增加第二半导体管芯的横向尺寸。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN117995695A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311506447.1

申请日：2023-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴国铭 ,  杨开云 ,  陈昇照 ,  萧豪毅 ,  杨哲维 ,  蔡正原 ,  喻中一

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/54 ,  H01L23/24 ,  H10B80/00

Abstract: 本文描述的一些实施包括形成集成电路的方法。此方法包括使用支撑填充混合物，其包括在半导体衬底的堆叠的侧向间隙区中以及沿着半导体衬底的堆叠的周边区的各种类型的复合颗粒的组合。组合中包含的一种类型的复合颗粒可以是尺寸相对较小，并包含光滑的表面，可允许复合颗粒深入到侧向间隙区中。包含多种类型的复合颗粒组合的支撑填充混合物的特性可以控制下游制造期间的热诱导应力，以减少支撑填充混合物及/或半导体衬底的堆叠中出现缺陷的可能性。

公开(公告)号：CN114122032A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110161527.2

申请日：2021-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁晋玮 ,  陈昇照 ,  匡训冲 ,  李昇展

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 一种半导体器件的制造方法包括：接收器件衬底；在该器件衬底的正面上形成互连结构；以及将凹槽蚀刻到该器件衬底的背面中，直到互连结构的部分暴露为止。该凹槽具有凹槽深度，并且凹槽的边缘由器件衬底的侧壁限定。在凹槽中形成导电接合焊盘，并且第一多个层覆盖导电接合焊盘，沿着器件衬底的侧壁延伸，并且覆盖器件衬底的背面。第一多个层共同具有小于凹槽深度的第一总厚度。执行第一化学机械平坦化以去除第一多个层的部分，以使得第一多个层的剩余部分覆盖导电接合焊盘。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法以及半导体结构。

公开(公告)号：CN111128861A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911051128.X

申请日：2019-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄才铭 ,  黄伟杰 ,  匡训冲 ,  朱彦璋 ,  鍾政哲 ,  梁晋玮 ,  郭景森 ,  陈界璋 ,  许峰嘉 ,  陈昇照

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L23/544

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包含，第一层间介电层形成于基材上，化学机械研磨停止层形成于第一层间介电层上，经由图案化化学机械研磨停止层以及第一层间介电层形成沟槽，金属层形成于化学机械研磨停止层上以及沟槽中，化学机械研磨牺牲层形成于金属层上，于化学机械研磨牺牲层以及金属层上执行化学机械研磨操作，以移除化学机械研磨停止层上方的金属层的部分，并移除沟槽上的化学机械研磨牺牲层的剩余部分。

公开(公告)号：CN116631942A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310468848.6

申请日：2023-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴国铭 ,  萧豪毅 ,  陈品孜 ,  黄仲仁 ,  陈昇照

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/304

Abstract: 本公开的各个实施例涉及形成半导体结构的方法。该方法包括将第一半导体晶圆接合到第二半导体晶圆。接合界面设置在第一半导体晶圆和第二半导体晶圆之间。第一半导体晶圆具有横向地围绕中心区域的外围区域。在第一半导体晶圆的第一外边缘和第二半导体晶圆的第二外边缘之间形成支撑结构。支撑结构设置在外围区域内。对第二半导体晶圆执行减薄工艺。本发明的实施例还提供了形成集成芯片的方法。