公开(公告)号：CN113178434B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202110002263.6

申请日：2021-01-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林永隆 ,  周正贤 ,  蔡正原 ,  吴国铭 ,  萧豪毅

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/18

摘要： 本发明涉及用于形成多维集成芯片结构的方法。在一些实施例中，方法可以通过将第二衬底接合至第一衬底的上表面来实施。第一边缘修整切割沿第一环路实施，并且延伸至第二衬底的第一外围部分中。第二边缘修整切割沿第二环路实施，并且延伸至第二衬底的第二外围部分中并且延伸至第一衬底中。第三边缘修整切割沿第三环路实施，并且延伸至第一衬底的第三外围部分中。本申请的实施例还涉及多维集成芯片结构。

公开(公告)号：CN109585646B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201810631318.8

申请日：2018-06-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈昇照 ,  萧清泰 ,  张耀文 ,  匡训沖 ,  蔡正原

IPC分类号： H10B61/00 ,  H10B63/00 ,  H10N70/00 ,  H10N50/01 ,  H10N50/10

摘要： 提供具有蚀刻停止层的存储单元。存储单元包含底部电极设置于基底上方。开关介电质设置于底部电极上方并且具有可变电阻。顶部电极设置于开关介电质上方。侧壁间隔层沿着底部电极、开关介电质和顶部电极的多个侧壁往上延伸。下蚀刻停止层设置于下介电层上方并且衬于侧壁间隔层的外侧壁。下蚀刻停止层是由与侧壁间隔层不同的材料形成，并且保护顶部电极免于制造程序期间的损伤。也提供用于制造存储单元的方法。

公开(公告)号：CN115881700A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210492239.X

申请日：2022-05-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林杏莲 ,  朱瑞霖 ,  蔡正原

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H10N97/00

摘要： 本发明的各个实施例针对用于金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的非晶底部电极结构(BES)。MIM电容器包括底部电极、位于底部电极上面的绝缘层以及位于绝缘层上面的顶部电极。底部电极包括晶体BES和非晶BES，并且非晶BES位于晶体BES上面并且形成底部电极的顶面。因为非晶BES是非晶的，而不是晶体的，所以与晶体BES的顶面相比，非晶BES的顶面可以具有小粗糙度。因为非晶BES形成底部电极的顶面，所以与如果晶体BES形成顶面的情况相比，底部电极的顶面可以具有小粗糙度。小粗糙度可以提高MIM电容器的使用寿命。本申请的实施例还涉及集成电路(IC)以及形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法。

公开(公告)号：CN107342300B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN201611155540.2

申请日：2016-12-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 朱彦璋 ,  杜友伦 ,  蔡正原

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 提供一种用于在图像传感器中形成像素的系统和方法。在实施例中，一种半导体器件包含：图像传感器，图像传感器包含位于衬底中的第一像素区和第二像素区，第一像素区邻近第二像素区；位于第一像素区上方的第一抗反射涂层，第一抗反射涂层为第一波长范围的入射光减少反射；位于第二像素区上方的第二抗反射涂层，第二抗反射涂层为第二波长范围的入射光减少反射，第二波长范围不同于第一波长范围。本发明实施例还提供一种半导体器件及制造图像传感器器件的方法。

公开(公告)号：CN115020385A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210723549.8

申请日：2016-12-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林杏莲 ,  金海光 ,  蔡正原

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L49/02

摘要： 本发明的实施例提供了金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器及其形成方法。该方法包括：在半导体衬底上形成第一金属板，在第一金属板的表面上形成具有第一介电常数的第一介电层，在第一介电层的表面上形成具有第二介电常数的第二介电层，在第二介电层的表面上形成具有第三介电常数的第三介电层，以及在第三介电层的表面上形成第二金属板。第二介电常数不同于第一介电常数并且不同于第三介电常数。

公开(公告)号：CN114952594A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210445941.0

申请日：2022-04-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林永隆 ,  吴国铭 ,  周正贤 ,  陈奕男 ,  陈升照 ,  蔡正原

IPC分类号： B24B37/00 ,  B24B37/11 ,  B24B37/34 ,  B24B1/00

摘要： 本公开的各种实施例是针对一种化学机械抛光(CMP)系统，所述化学机械抛光(CMP)系统包括第一CMP头及第二CMP头。第一CMP头被配置成保持工件，且包括跨及第一压力控制板设置的多个第一压力元件。第二CMP头被配置成保持工件。第二CMP头包括跨及第二压力控制板设置的多个第二压力元件。跨及第一压力控制板的所述多个第一压力元件的分布不同于跨及第二压力控制板的所述多个第二压力元件的分布。

公开(公告)号：CN114823679A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110918219.X

申请日：2021-08-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 金海光 ,  卫怡扬 ,  李璧伸 ,  江法伸 ,  匡训冲 ,  蔡正原

IPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L27/11514

摘要： 在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括配置在衬底之上的一个或多个内连线介电层。底部电极设置在导电结构之上且延伸穿过所述一个或多个内连线介电层。顶部电极设置在底部电极之上。铁电层设置在底部电极与顶部电极之间且接触底部电极及顶部电极。铁电层包括第一下部水平部分、第一上部水平部分及第一侧壁部分，所述第一上部水平部分配置在第一下部水平部分上方，所述第一侧壁部分将所述第一下部水平部分耦合到所述第一上部水平部分。

公开(公告)号：CN114664833A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202110747101.5

申请日：2021-07-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李璧伸 ,  林子羽 ,  卫怡扬 ,  金海光 ,  匡训冲 ,  蔡正原

IPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L27/1159

摘要： 在一些实施例中，本公开涉及一种存储器件、形成其的方法及包括存储单元的存储器件，所述存储器件包括半导体衬底、设置在半导体衬底之上的第一电极、设置在第一电极与半导体衬底之间的铁电层及将第一电极与铁电层隔开的第一应力源层。第一应力源层具有比铁电层的热膨胀系数大的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN113809041A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202011433089.2

申请日：2020-12-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨哲维 ,  曹淳凯 ,  陈升照 ,  李升展 ,  蔡正原

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146

摘要： 本公开提供一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器、一种具有金属‑绝缘体‑金属电容器的集成半导体装置以及其制造方法。所述金属‑绝缘体‑金属电容器包含第一金属层、第二金属层以及位于第二金属层与第一金属层之间的介电层。第一金属层、第二金属层以及介电层可形成梳状结构，其中所述梳状结构包含第一齿结构和至少一个第二齿结构。

公开(公告)号：CN113675202A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110256000.8

申请日：2021-03-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李璧伸 ,  卫怡扬 ,  林杏莲 ,  匡训冲 ,  蔡正原 ,  金海光

IPC分类号： H01L27/11507

摘要： 方法包括形成底部电极层，以及在底部电极层上方沉积第一铁电层。第一铁电层是非晶的。在第一铁电层上方沉积第二铁电层，并且第二铁电层具有多晶结构。该方法还包括在第二铁电层上方沉积第三铁电层，其中，第三铁电层是非晶的，在第三铁电层上方沉积顶部电极层，以及图案化顶部电极层、第三铁电层、第二铁电层、第一铁电层和底部电极层，以形成铁电随机存取存储器单元。本申请的实施例还涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件及其形成方法。