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公开(公告)号：CN109585646B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201810631318.8
申请日：2018-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供具有蚀刻停止层的存储单元。存储单元包含底部电极设置于基底上方。开关介电质设置于底部电极上方并且具有可变电阻。顶部电极设置于开关介电质上方。侧壁间隔层沿着底部电极、开关介电质和顶部电极的多个侧壁往上延伸。下蚀刻停止层设置于下介电层上方并且衬于侧壁间隔层的外侧壁。下蚀刻停止层是由与侧壁间隔层不同的材料形成，并且保护顶部电极免于制造程序期间的损伤。也提供用于制造存储单元的方法。
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公开(公告)号：CN117840916A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410174142.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B53/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明实施例涉及一种化学机械抛光设备及其操作方法。一种用于化学机械抛光的设备包含垫调节器。所述垫调节器包含具有第一表面的第一盘及具有第二表面的第二盘。所述第一表面含有具有第一平均粒径的多个第一磨粒且所述第二表面含有具有大于所述第一平均粒径的第二平均粒径的多个第二磨粒。
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公开(公告)号：CN109807749A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201810992219.2
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017 , B24B37/10
Abstract: 本发明实施例涉及一种化学机械抛光设备及其操作方法。一种用于化学机械抛光的设备包含垫调节器。所述垫调节器包含具有第一表面的第一盘及具有第二表面的第二盘。所述第一表面含有具有第一平均粒径的多个第一磨粒且所述第二表面含有具有大于所述第一平均粒径的第二平均粒径的多个第二磨粒。
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公开(公告)号：CN109585646A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810631318.8
申请日：2018-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供具有蚀刻停止层的存储单元。存储单元包含底部电极设置于基底上方。开关介电质设置于底部电极上方并且具有可变电阻。顶部电极设置于开关介电质上方。侧壁间隔层沿着底部电极、开关介电质和顶部电极的多个侧壁往上延伸。下蚀刻停止层设置于下介电层上方并且衬于侧壁间隔层的外侧壁。下蚀刻停止层是由与侧壁间隔层不同的材料形成，并且保护顶部电极免于制造程序期间的损伤。也提供用于制造存储单元的方法。
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公开(公告)号：CN102129900A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010170233.8
申请日：2010-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01C17/075 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/20 , H01L21/76801 , H01L21/76843 , H01L21/76864 , H01L21/76865 , H01L27/016 , H01L28/24
Abstract: 本发明提供一种薄膜电阻器的制造方法，包括：形成一掺杂区于一半导体基板中；形成一介电层于该基板上；形成一薄膜电阻器于该介电层上；于该薄膜电阻器进行回火之前，形成一接触孔于该介电层中，其中该接触孔露出一部分的该掺杂区；以及于形成该接触孔之后，对该薄膜电阻器实施一快速热回火。本发明可减少工艺时间，且经调整后的薄膜电阻器(TFR)特性不会因后续第二次的回火步骤而受影响。
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公开(公告)号：CN109822448A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201810973334.5
申请日：2018-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及估计膜厚的化学机械平坦化装置及方法。本发明实施例涉及一种用于在CMP中估计膜厚的方法，所述方法包含以下操作。将其上形成有膜的衬底安置于抛光垫上方，其中在所述膜与所述抛光垫之间施配浆料。执行CMP操作以减小所述膜的厚度。在所述CMP操作期间通过电化学阻抗频谱EIS器件执行原位EIS测量以实时估计所述膜的所述厚度。当从第一等效电路模型的拟合参数获得的所述膜的所述估计厚度达到目标厚度时，结束所述CMP操作。
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公开(公告)号：CN102129900B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010170233.8
申请日：2010-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01C17/075
CPC classification number: H01L28/20 , H01L21/76801 , H01L21/76843 , H01L21/76864 , H01L21/76865 , H01L27/016 , H01L28/24
Abstract: 本发明提供一种薄膜电阻器的制造方法，包括：形成一掺杂区于一半导体基板中；形成一介电层于该基板上；形成一薄膜电阻器于该介电层上；于该薄膜电阻器进行回火之前，形成一接触孔于该介电层中，其中该接触孔露出一部分的该掺杂区；以及于形成该接触孔之后，对该薄膜电阻器实施一快速热回火。本发明可减少工艺时间，且经调整后的薄膜电阻器(TFR)特性不会因后续第二次的回火步骤而受影响。
