发明公开
- 专利标题： 存储器件、形成其的方法及包括存储单元的存储器件
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申请号： CN202110747101.5申请日： 2021-07-01
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公开(公告)号： CN114664833A公开(公告)日： 2022-06-24
- 发明人: 李璧伸 , 林子羽 , 卫怡扬 , 金海光 , 匡训冲 , 蔡正原
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 代理机构： 南京正联知识产权代理有限公司
- 代理商 王素琴
- 优先权： 63/157,022 20210305 US 17/306,103 20210503 US
- 主分类号： H01L27/11507
- IPC分类号： H01L27/11507 ; H01L27/1159
摘要：
在一些实施例中，本公开涉及一种存储器件、形成其的方法及包括存储单元的存储器件，所述存储器件包括半导体衬底、设置在半导体衬底之上的第一电极、设置在第一电极与半导体衬底之间的铁电层及将第一电极与铁电层隔开的第一应力源层。第一应力源层具有比铁电层的热膨胀系数大的热膨胀系数。
IPC分类:
