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公开(公告)号：CN116634778A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310635608.0
申请日：2019-02-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明的实施例提供一种形成存储器器件的方法，包括：在衬底上方形成绝缘体层，其中所述绝缘体层定义第一开口；在所述第一开口内形成导通孔；在所述导通孔上方形成存储单元堆叠，其中所述存储单元堆叠包含上覆于吸气剂金属层的第一电极、上覆于所述第一电极的第一相变层以及上覆于所述第一相变层的第二电极；以及使所述存储单元堆叠图案化成存储单元，使所述顶部电极的侧壁与所述吸气剂金属层的侧壁对准。
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公开(公告)号：CN115020385A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210723549.8
申请日：2016-12-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器及其形成方法。该方法包括：在半导体衬底上形成第一金属板，在第一金属板的表面上形成具有第一介电常数的第一介电层，在第一介电层的表面上形成具有第二介电常数的第二介电层，在第二介电层的表面上形成具有第三介电常数的第三介电层，以及在第三介电层的表面上形成第二金属板。第二介电常数不同于第一介电常数并且不同于第三介电常数。
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公开(公告)号：CN114823679A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110918219.X
申请日：2021-08-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11507 , H01L27/11514
摘要： 在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括配置在衬底之上的一个或多个内连线介电层。底部电极设置在导电结构之上且延伸穿过所述一个或多个内连线介电层。顶部电极设置在底部电极之上。铁电层设置在底部电极与顶部电极之间且接触底部电极及顶部电极。铁电层包括第一下部水平部分、第一上部水平部分及第一侧壁部分，所述第一上部水平部分配置在第一下部水平部分上方，所述第一侧壁部分将所述第一下部水平部分耦合到所述第一上部水平部分。
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公开(公告)号：CN114664833A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110747101.5
申请日：2021-07-01
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11507 , H01L27/1159
摘要： 在一些实施例中，本公开涉及一种存储器件、形成其的方法及包括存储单元的存储器件，所述存储器件包括半导体衬底、设置在半导体衬底之上的第一电极、设置在第一电极与半导体衬底之间的铁电层及将第一电极与铁电层隔开的第一应力源层。第一应力源层具有比铁电层的热膨胀系数大的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN113675202A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110256000.8
申请日：2021-03-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11507
摘要： 方法包括形成底部电极层，以及在底部电极层上方沉积第一铁电层。第一铁电层是非晶的。在第一铁电层上方沉积第二铁电层，并且第二铁电层具有多晶结构。该方法还包括在第二铁电层上方沉积第三铁电层，其中，第三铁电层是非晶的，在第三铁电层上方沉积顶部电极层，以及图案化顶部电极层、第三铁电层、第二铁电层、第一铁电层和底部电极层，以形成铁电随机存取存储器单元。本申请的实施例还涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113471247A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110665425.4
申请日：2021-06-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一种存储器器件包括场效应晶体管和可变电容电容器。栅极结构包括栅极电介质和中间电极。该可变电容电容器包括：下电容器板，包括中间电极；上电容器板，包括控制栅极电极；以及可变电容节点电介质，并包括电场可编程金属氧化物材料。该电场可编程金属氧化物材料提供可变有效介电常数，并且数据位可作为可变电容节点电介质的介电状态存储在存储器器件中。该可变电容节点电介质提供其中的金属原子的可逆电场相依电阻率调制或可逆电场相依移动。本发明的实施例还涉及操作存储器器件的方法。
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公开(公告)号：CN113314550A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010960076.4
申请日：2020-09-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开的各种实施例涉及一种图像传感器。所述图像传感器包括设置在衬底内的图像传感器元件。衬底包含第一材料。图像传感器元件包括有源层，有源层包含与第一材料不同的第二材料。缓冲层设置在有源层与衬底之间。缓冲层沿着有源层的外侧壁及底表面延伸。顶盖结构上覆在有源层上。有源层的外侧壁在顶盖结构的外侧壁之间在侧向上间隔开，使得顶盖结构在有源层的外边缘之上连续地延伸。
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公开(公告)号：CN113285018A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202011629122.9
申请日：2020-12-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片、存储器器件及其形成方法。存储器器件包括设置在衬底上方的下部层间介电(ILD)层内的下部互连上方的底部电极。数据存储结构位于底部电极上方。第一顶部电极层设置在数据存储结构上方，第二顶部电极层位于第一顶部电极层上。与第一顶部电极层相比，第二顶部电极层不易被氧化。顶部电极通孔位于第二顶部电极层上方并且电耦合到第二顶部电极层。
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公开(公告)号：CN112687791A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010411079.2
申请日：2020-05-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明实施例涉及半导体装置及其制作方法。本发明实施例提供一种半导体装置，其包含扩散势垒结构、底部电极、所述底部电极上方的顶部电极、切换层及罩盖层。所述底部电极在所述扩散势垒结构上方。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述罩盖层在所述顶部电极与所述切换层之间。所述扩散势垒结构的热导率大于近似20W/mK。
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公开(公告)号：CN110783452A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910119439.9
申请日：2019-02-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明的实施例提供一种相变存储器器件，包含具有安置在相变元件与介电层之间的吸气剂金属层的相变存储器结构。相变存储器结构包含介电层、底部电极、通孔、相变元件以及吸气剂金属层。介电层安置在衬底上方。底部电极上覆于介电层。通孔从介电层的底部表面延伸穿过介电层到介电层的顶部表面。相变元件上覆于底部电极。吸气剂金属层安置在介电层与相变元件之间。
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