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公开(公告)号：CN115148740A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110918486.7
申请日：2021-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11507 , H01L27/11509
Abstract: 本发明各种实施例涉及一种集成芯片、存储器装置及其形成方法，所述存储器装置包括位于衬底之上的第一底部电极层。铁电开关层设置在第一底部电极层之上。第一顶部电极层设置在铁电开关层之上。第二底部电极层设置在第一底部电极层与铁电开关层之间。第二底部电极层与第一底部电极层相比更不容易氧化。
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公开(公告)号：CN112151673A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010592590.7
申请日：2020-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例针对电阻式随机存取存储器(RRAM)单元，该RRAM单元包括：顶电极阻挡层，被配置为阻挡氮或一些其它合适的非金属元素从RRAM单元的顶电极至RRAM单元的有源金属层的移动。阻挡非金属元素的移动可以防止有源金属层和顶电极之间的不期望的切换层的形成。不期望的切换层将增加RRAM单元的寄生电阻，从而使得顶电极阻挡层可以通过防止不期望的切换层的形成来减小寄生电阻。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109817662A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811366380.5
申请日：2018-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/528 , H01L45/00
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构、存储器装置及用于形成半导体结构的方法。半导体结构包含第一导电层和第二导电层，以及所述第一导电层与所述第二导电层之间的存储器装置。所述存储器装置包含顶部电极、邻近于所述第一导电层的底部电极，以及所述顶部电极与所述底部电极之间的相变材料。所述底部电极包含第一部分和所述第一部分与所述第一导电层之间的第二部分。
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公开(公告)号：CN106158899B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201510148819.7
申请日：2015-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路或半导体结构。RRAM单元包括底电极和布置在底电极上方的具有可变电阻的数据存储区。此外，RRAM单元还包括布置在数据存储区上方的扩散阻挡层、布置在扩散阻挡层上方的离子库区以及布置在离子库区上方的顶电极。本发明也提供了用于制造RRAM单元的集成电路或半导体结构的方法。本发明还涉及改进电阻式随机存取存储器(RRAM)的保持性能的高k方案。
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公开(公告)号：CN109560040A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811108925.2
申请日：2018-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本申请涉及一种包含用以增进电极粘合性的粘合层的集成电路及其形成方法。一些实施例中，集成电路包含连通柱介电层、粘合层及第一电极。粘合层上覆连通柱介电层，第一电极上覆并直接接触粘合层。粘合层在第一电极接触粘合层的界面处具有第一表面能，第一电极在界面处具有第二表面能。并且，第一表面能大于第二表面能，用以增进粘合性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104425717B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310589912.2
申请日：2013-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L51/002 , H01L51/0021 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0046 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供了形成具有有机光电二极管的图像传感器的实施例。有机光电二极管使用在邻近有机光电二极管的阳极处形成的双电子阻挡层来降低暗电流。通过使用电子阻挡层，使得用于邻近的阳极层和有机电子阻挡层的最高已占分子轨道（HOMO）的值与双电子阻挡层中的一个相适配，从而形成具有良好性能的光电二极管。双电子阻挡层的最低已占分子轨道（LOMO）的值被选择为小于邻近的阳极层的值，从而降低暗电流。本发明还公开了具有双电子阻挡层的有机光电二极管。
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公开(公告)号：CN112687791B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202010411079.2
申请日：2020-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置及其制作方法。本发明实施例提供一种半导体装置，其包含扩散势垒结构、底部电极、所述底部电极上方的顶部电极、切换层及罩盖层。所述底部电极在所述扩散势垒结构上方。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述罩盖层在所述顶部电极与所述切换层之间。所述扩散势垒结构的热导率大于近似20W/mK。
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公开(公告)号：CN112670407B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010639969.9
申请日：2020-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例涉及电阻式随机存取存储器(RRAM)器件及其形成方法。在一些实施例中，可以通过在衬底上方形成第一电极结构来执行该方法。在第一电极结构上方形成掺杂的数据存储元件。通过在第一电极结构上方形成第一数据存储层以及在第一数据存储层上方形成第二数据存储层来形成掺杂的数据存储元件。第一数据存储层形成为具有第一掺杂浓度的掺杂剂，并且第二数据存储层形成为具有第二掺杂浓度的掺杂剂，该第二掺杂浓度小于第一掺杂浓度。在掺杂的数据存储元件上方形成第二电极结构。
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公开(公告)号：CN112151673B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010592590.7
申请日：2020-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例针对电阻式随机存取存储器(RRAM)单元，该RRAM单元包括：顶电极阻挡层，被配置为阻挡氮或一些其它合适的非金属元素从RRAM单元的顶电极至RRAM单元的有源金属层的移动。阻挡非金属元素的移动可以防止有源金属层和顶电极之间的不期望的切换层的形成。不期望的切换层将增加RRAM单元的寄生电阻，从而使得顶电极阻挡层可以通过防止不期望的切换层的形成来减小寄生电阻。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113113533B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110255835.1
申请日：2021-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例涉及存储器单元，该存储器单元包括设置在顶部电极与底部电极之间的数据存储结构。该数据存储结构包括覆盖在底部电极上的下部交换层和覆盖在下部交换层上的上部交换层。下部交换层包括掺杂有第一掺杂剂的介电材料。本申请的实施例还涉及集成芯片、存储器件及其形成方法。
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