公开(公告)号：CN119789492A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411852685.2

申请日：2024-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何彦忠 ,  姜慧如 ,  魏惠娴 ,  杨子庆 ,  赖昕钰 ,  蒋国璋 ,  吴咏捷

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01

Abstract: 本公开的各个实施例涉及具有氢吸收层的薄膜晶体管(TFT)及其形成方法。TFT包括堆叠的半导体沟道、栅电极和栅极介电层，其中栅极介电层将栅电极与半导体沟道分隔开。第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极分别位于半导体沟道的不同部分上。此外，氢吸收层与栅电极、第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极或它们的组合相邻。氢吸收层捕获氢和其它游离粒子而使它们不与TFT的半导体材料相互作用，以防止性能和可靠性降低。本申请的实施例还涉及包括半导体器件的集成电路、半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN115084371A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210012055.9

申请日：2022-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昕钰 ,  姜慧如

IPC: H01L49/02 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种用于制造堆叠电容器结构的方法，包括：在基板上方形成第一图案化结构；在该第一图案化结构上方形成第一底部电极；在该第一底部电极上方沉积第一介质膜；在该第一介质膜上方沉积第一顶部电极层；形成第一垂直互连结构；在该第一顶部电极层上方形成第二图案化结构；在该第二图案化结构上方形成第二底部电极，且该第二底部电极通过该第一垂直互连结构电连接至该第一底部电极；在该第二底部电极上方沉积第二介质膜；在该第二介质膜上方沉积第二顶部电极层；以及形成从该第一顶部电极层延伸的第二垂直互连结构。第二顶部电极层通过第二垂直互连结构电连接至第一顶部电极层。

公开(公告)号：CN115528170A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210051032.9

申请日：2022-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈姿妤 ,  赖昕钰 ,  石昇弘 ,  张富宸 ,  涂国基

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/11502

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括在基板上沉积铁电层；进行第一游离物理沉积制程以在铁电层上沉积上电极层；图案化上电极层为上电极；以及图案化铁电层为铁电元件，位于上电极下方。

公开(公告)号：CN115249687A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210492424.9

申请日：2022-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴正一 ,  姜慧如 ,  林仲德 ,  赖昕钰 ,  高韵峯

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/64 ,  H01L49/02

Abstract: 本公开实施例的高密度电容器包括具有形成三维结构的导电材料的顶部电极。三维结构包括在垂直方向上延伸的多个垂直部分和水平部分，水平部分在垂直部分内交错设置并在第一水平方向上延伸。高密度电容器还包括形成在顶部电极上方的介电层和包括导电材料的底部电极，使得底部电极与顶部电极通过介电层分离。此外，底部电极包围顶部电极的多个垂直部分中的一些垂直部分。本公开实施例的高密度电容器还包括与第一水平方向对齐的多个支撑结构，使得顶部电极的水平部分形成在相应的支撑结构下方。高密度电容器的电容与电容器的体积成比例。

公开(公告)号：CN115148740A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202110918486.7

申请日：2021-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卫怡扬 ,  李璧伸 ,  赖昕钰 ,  金海光 ,  林杏莲 ,  匡训冲

IPC: H01L27/11507 ,  H01L27/11509

Abstract: 本发明各种实施例涉及一种集成芯片、存储器装置及其形成方法，所述存储器装置包括位于衬底之上的第一底部电极层。铁电开关层设置在第一底部电极层之上。第一顶部电极层设置在铁电开关层之上。第二底部电极层设置在第一底部电极层与铁电开关层之间。第二底部电极层与第一底部电极层相比更不容易氧化。