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公开(公告)号：CN108242412A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611215254.0
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3105 , C23C16/48
Abstract: 一种半导体元件固化装置、基材处理系统以及半导体元件固化方法。半导体元件固化装置包含壳体以及多个灯头组件。壳体具有通气开口以及多个灯头盖体。灯头盖体由通气开口的边缘延伸至壳体中，且各具有至少一穿孔。灯头组件设置于壳体中，且配置以朝实质上远离通气开口的方向发出紫外线。灯头盖体分别至少部分覆盖于灯头组件上。
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公开(公告)号：CN108231685B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201711051864.6
申请日：2017-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 一种方法包括提供半导体结构，该半导体结构具有有源区域和邻近于有源区域的隔离结构，该有源区域具有夹置晶体管的沟道区域的源极和漏极区域，该半导体结构还具有位于沟道区域上方的栅极结构。该方法还包括在源极和漏极区域的一个中蚀刻沟槽，其中，该沟槽暴露隔离结构的侧壁的部分，在沟槽中外延生长第一半导体层，在第一半导体层上方外延生长第二半导体层，通过蚀刻工艺改变第二半导体层的顶面的部分的晶体刻面取向，并且在改变晶体刻面取向之后，在第二半导体层上方外延生长第三半导体层。
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公开(公告)号：CN108242412B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201611215254.0
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3105 , C23C16/48
Abstract: 一种半导体元件固化装置、基材处理系统以及半导体元件固化方法。半导体元件固化装置包含壳体以及多个灯头组件。壳体具有通气开口以及多个灯头盖体。灯头盖体由通气开口的边缘延伸至壳体中，且各具有至少一穿孔。灯头组件设置于壳体中，且配置以朝实质上远离通气开口的方向发出紫外线。灯头盖体分别至少部分覆盖于灯头组件上。
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公开(公告)号：CN107887254A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710624915.3
申请日：2017-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/0214 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L21/76804 , H01L23/5384
Abstract: 本发明实施例公开了一种用于半导体制造的方法。该方法包括接收具有第一表面的器件，通过该表面暴露第一金属或第一金属的氧化物。该方法还包括在第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜，从而使得介电膜在靠近第一表面的介电膜的第一部分中具有比在介电膜的第二部分中更高的N和C浓度，该介电膜的第二部分比第一部分进一步远离第一表面。该方法还包括在介电膜上方形成导电部件。介电膜将导电部件与第一金属或第一金属的氧化物电绝缘。本发明实施例涉及用于半导体制造的改进的介电膜。
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公开(公告)号：CN115663006A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211439745.9
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。
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公开(公告)号：CN115589765A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211406598.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。所述方法包括在衬底上方形成底部电极层。在所述底部电极层上方形成磁隧道结(MTJ)层。在所述MTJ层上方形成顶部电极层。图案化所述顶部电极层。在图案化所述顶部电极层之后，在所述MTJ层和所述底部电极层上实施一个或者多个工艺周期。图案化的顶部电极层、图案化的MTJ层、以及图案化的底部电极层形成MTJ结构。所述一个或者多个工艺周期的每一个包括：在所述MTJ层和所述底部电极层上以第一持续时间实施蚀刻工艺，以及在所述MTJ层和所述底部电极层上以第二持续时间实施磁处理。
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公开(公告)号：CN115249687A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210492424.9
申请日：2022-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H01L49/02
Abstract: 本公开实施例的高密度电容器包括具有形成三维结构的导电材料的顶部电极。三维结构包括在垂直方向上延伸的多个垂直部分和水平部分，水平部分在垂直部分内交错设置并在第一水平方向上延伸。高密度电容器还包括形成在顶部电极上方的介电层和包括导电材料的底部电极，使得底部电极与顶部电极通过介电层分离。此外，底部电极包围顶部电极的多个垂直部分中的一些垂直部分。本公开实施例的高密度电容器还包括与第一水平方向对齐的多个支撑结构，使得顶部电极的水平部分形成在相应的支撑结构下方。高密度电容器的电容与电容器的体积成比例。
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公开(公告)号：CN109728091A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810201183.1
申请日：2018-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L23/535
Abstract: 半导体元件包含：位于基材上的鳍片结构；横跨鳍片结构以覆盖鳍片结构的中心部分的栅极特征；沿着鳍片结构且配置于栅极特征的相对侧的一对源极/漏极特征；以及由钨形成的多个接触结构，其中栅极特征的栅极电极及此对源极/漏极特征各自直接与对应的接触结构之一耦合。
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公开(公告)号：CN109578581A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810343907.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: F16J15/00
Abstract: 一种包含金属覆盖的密封件、其制造方法及其使用方法。密封件包括主体及设置于主体的至少一表面上的覆盖层。主体包括聚合弹性体，例如全氟化弹性体或氟化弹性体。覆盖层包括至少一金属。密封件可以是密封口、垫圈、O型密封圈、T型密封圈或任何合适的产品。密封件对紫外光和电浆具有耐受性，且可以用于密封半导体制程室。
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公开(公告)号：CN108962922A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710646919.1
申请日：2017-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种制造影像感测器的方法，包括沉积第一介电层于基板上，去除第一介电层的一部分以形成沟槽，沉积导电层于第一介电层上和沟槽中，形成沿着导电层的顶表面和在导电层中的凹槽的侧壁和底表面的保护层，以及去除导电层的一部分以形成格子结构。对应于沟槽的凹槽是形成于导电层中。
