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公开(公告)号：CN113380843B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110502178.6
申请日：2021-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了具有图像传感器的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上沉积介电层；在介电层和衬底内形成沟槽；在沟槽内形成外延结构；以及形成具有第一层部分和第二层部分的势垒层。第一层部分形成在沟槽的未被外延结构覆盖的侧壁部分上。该方法还包括：在外延结构上并与势垒层相邻地形成覆盖层；选择性地掺杂外延结构和覆盖层的区域；在掺杂区域上选择性地形成硅化物层；在硅化物层上沉积蚀刻停止层；以及通过蚀刻停止层在硅化物层上形成导电塞。
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公开(公告)号：CN113314550B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010960076.4
申请日：2020-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种图像传感器。所述图像传感器包括设置在衬底内的图像传感器元件。衬底包含第一材料。图像传感器元件包括有源层，有源层包含与第一材料不同的第二材料。缓冲层设置在有源层与衬底之间。缓冲层沿着有源层的外侧壁及底表面延伸。顶盖结构上覆在有源层上。有源层的外侧壁在顶盖结构的外侧壁之间在侧向上间隔开，使得顶盖结构在有源层的外边缘之上连续地延伸。
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公开(公告)号：CN117840916A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410174142.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B53/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明实施例涉及一种化学机械抛光设备及其操作方法。一种用于化学机械抛光的设备包含垫调节器。所述垫调节器包含具有第一表面的第一盘及具有第二表面的第二盘。所述第一表面含有具有第一平均粒径的多个第一磨粒且所述第二表面含有具有大于所述第一平均粒径的第二平均粒径的多个第二磨粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109807749A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201810992219.2
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017 , B24B37/10
Abstract: 本发明实施例涉及一种化学机械抛光设备及其操作方法。一种用于化学机械抛光的设备包含垫调节器。所述垫调节器包含具有第一表面的第一盘及具有第二表面的第二盘。所述第一表面含有具有第一平均粒径的多个第一磨粒且所述第二表面含有具有大于所述第一平均粒径的第二平均粒径的多个第二磨粒。
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公开(公告)号：CN113314550A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010960076.4
申请日：2020-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种图像传感器。所述图像传感器包括设置在衬底内的图像传感器元件。衬底包含第一材料。图像传感器元件包括有源层，有源层包含与第一材料不同的第二材料。缓冲层设置在有源层与衬底之间。缓冲层沿着有源层的外侧壁及底表面延伸。顶盖结构上覆在有源层上。有源层的外侧壁在顶盖结构的外侧壁之间在侧向上间隔开，使得顶盖结构在有源层的外边缘之上连续地延伸。
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公开(公告)号：CN113380843A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110502178.6
申请日：2021-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了具有图像传感器的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上沉积介电层；在介电层和衬底内形成沟槽；在沟槽内形成外延结构；以及形成具有第一层部分和第二层部分的势垒层。第一层部分形成在沟槽的未被外延结构覆盖的侧壁部分上。该方法还包括：在外延结构上并与势垒层相邻地形成覆盖层；选择性地掺杂外延结构和覆盖层的区域；在掺杂区域上选择性地形成硅化物层；在硅化物层上沉积蚀刻停止层；以及通过蚀刻停止层在硅化物层上形成导电塞。
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