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公开(公告)号：CN113838876A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202011433066.1
申请日：2020-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露涉及一种包括衬底的图像传感器。光电探测器位于衬底中。沟槽位于衬底中且由衬底的侧壁及上表面界定。第一隔离层沿着衬底的界定沟槽的侧壁及上表面延伸。第一隔离层包含第一介电材料。第二隔离层位于第一隔离层之上。第二隔离层加衬于第一隔离层。第二隔离层包含第二介电材料。第三隔离层位于第二隔离层之上。第三隔离层填充沟槽且加衬于第二隔离层。第三隔离层包含第三材料。第一隔离层的第一厚度对第二隔离层的第二厚度的比率是约0.17到0.38。
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公开(公告)号：CN113838876B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202011433066.1
申请日：2020-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露涉及一种包括衬底的图像传感器。光电探测器位于衬底中。沟槽位于衬底中且由衬底的侧壁及上表面界定。第一隔离层沿着衬底的界定沟槽的侧壁及上表面延伸。第一隔离层包含第一介电材料。第二隔离层位于第一隔离层之上。第二隔离层加衬于第一隔离层。第二隔离层包含第二介电材料。第三隔离层位于第二隔离层之上。第三隔离层填充沟槽且加衬于第二隔离层。第三隔离层包含第三材料。第一隔离层的第一厚度对第二隔离层的第二厚度的比率是约0.17到0.38。
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公开(公告)号：CN115881700A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210492239.X
申请日：2022-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/522 , H10N97/00
Abstract: 本发明的各个实施例针对用于金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的非晶底部电极结构(BES)。MIM电容器包括底部电极、位于底部电极上面的绝缘层以及位于绝缘层上面的顶部电极。底部电极包括晶体BES和非晶BES，并且非晶BES位于晶体BES上面并且形成底部电极的顶面。因为非晶BES是非晶的，而不是晶体的，所以与晶体BES的顶面相比，非晶BES的顶面可以具有小粗糙度。因为非晶BES形成底部电极的顶面，所以与如果晶体BES形成顶面的情况相比，底部电极的顶面可以具有小粗糙度。小粗糙度可以提高MIM电容器的使用寿命。本申请的实施例还涉及集成电路(IC)以及形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法。
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公开(公告)号：CN113889573A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110168187.6
申请日：2021-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02
Abstract: 本申请的各个实施例涉及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。该MIM电容器包括布置在半导体衬底上方的底部电极。顶部电极布置在底部电极上方并位于该底部电极上面。电容器绝缘体结构布置在底部电极与顶部电极之间。该电容器绝缘体结构包括彼此垂直堆叠的至少三个介电结构。就所述介电结构的介电材料而言，该电容器绝缘体结构的下半部是其上半部的镜像。本申请的实施例还涉及用于形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113053855A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110197888.2
申请日：2021-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/64 , H01L27/08 , H01L21/768 , H01L21/822
Abstract: 本发明的各种实施例针对三维(3D)沟槽电容器及其形成方法。在一些实施例中，第一衬底位于第二衬底上面，使得第一衬底的正面面对第二衬底的正面。第一沟槽电容器和第二沟槽电容器分别延伸至第一衬底的正面和第二衬底的正面中。多个导线和多个通孔堆叠在第一沟槽电容器和第二沟槽电容器之间，并且电连接至第一沟槽电容器和第二沟槽电容器。第一贯穿衬底通孔(TSV)从第一衬底的背面延伸穿过第一衬底，并且导线和通孔将第一TSV电连接至第一沟槽电容器和第二沟槽电容器。第一沟槽电容器和第二沟槽电容器及其之间的电连接共同限定3D沟槽电容器。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构和集成电路。
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公开(公告)号：CN112542544A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010265592.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02
Abstract: 本申请的各个实施例针对一种形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法，MIM电容器包括增强的界面层以减少击穿故障。在一些实施例中，在衬底上方沉积底部电极层。在底部电极层的顶面上形成原生氧化物层，原生氧化物层与顶面具有第一粘附强度。执行等离子体处理工艺以用界面层代替原生氧化物层。界面层是导电的并且与底部电极层的顶面具有第二粘附强度，并且第二粘附强度大于第一粘附强度。在界面层上沉积绝缘体层。在绝缘体层上沉积顶部电极层。图案化顶部电极层、底部电极层、绝缘体层和界面层以形成MIM电容器。本发明的实施例还涉及金属‑绝缘体‑金属电容器。
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公开(公告)号：CN113053855B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110197888.2
申请日：2021-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/64 , H01L27/08 , H01L21/768 , H01L21/822
Abstract: 本发明的各种实施例针对三维(3D)沟槽电容器及其形成方法。在一些实施例中，第一衬底位于第二衬底上面，使得第一衬底的正面面对第二衬底的正面。第一沟槽电容器和第二沟槽电容器分别延伸至第一衬底的正面和第二衬底的正面中。多个导线和多个通孔堆叠在第一沟槽电容器和第二沟槽电容器之间，并且电连接至第一沟槽电容器和第二沟槽电容器。第一贯穿衬底通孔(TSV)从第一衬底的背面延伸穿过第一衬底，并且导线和通孔将第一TSV电连接至第一沟槽电容器和第二沟槽电容器。第一沟槽电容器和第二沟槽电容器及其之间的电连接共同限定3D沟槽电容器。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构和集成电路。
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公开(公告)号：CN113249710A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202011460736.9
申请日：2020-12-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 根据一些实施例，提供一种用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括将一半导体晶圆装载至一腔室中。该方法亦包括自该腔室产生一废气流。该方法进一步包括通过将一处理气体供应至该腔室中而在该半导体晶圆上沉积一膜。另外，该方法包括利用一气体感测器来侦测该废气流中的该处理气体的一浓度且根据该侦测的一结果产生一侦测信号。该方法进一步包括在该膜形成于该半导体晶圆上之后，将一清洗气体供应至该腔室中持续一时间段。该时间段是基于该侦测信号来判定。
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公开(公告)号：CN112542544B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202010265592.5
申请日：2020-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N97/00
Abstract: 本申请的各个实施例针对一种形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法，MIM电容器包括增强的界面层以减少击穿故障。在一些实施例中，在衬底上方沉积底部电极层。在底部电极层的顶面上形成原生氧化物层，原生氧化物层与顶面具有第一粘附强度。执行等离子体处理工艺以用界面层代替原生氧化物层。界面层是导电的并且与底部电极层的顶面具有第二粘附强度，并且第二粘附强度大于第一粘附强度。在界面层上沉积绝缘体层。在绝缘体层上沉积顶部电极层。图案化顶部电极层、底部电极层、绝缘体层和界面层以形成MIM电容器。本发明的实施例还涉及金属‑绝缘体‑金属电容器。
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