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公开(公告)号：CN101330003A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810085960.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/75
Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。
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公开(公告)号：CN113838876B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202011433066.1
申请日：2020-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露涉及一种包括衬底的图像传感器。光电探测器位于衬底中。沟槽位于衬底中且由衬底的侧壁及上表面界定。第一隔离层沿着衬底的界定沟槽的侧壁及上表面延伸。第一隔离层包含第一介电材料。第二隔离层位于第一隔离层之上。第二隔离层加衬于第一隔离层。第二隔离层包含第二介电材料。第三隔离层位于第二隔离层之上。第三隔离层填充沟槽且加衬于第二隔离层。第三隔离层包含第三材料。第一隔离层的第一厚度对第二隔离层的第二厚度的比率是约0.17到0.38。
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公开(公告)号：CN113889573A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110168187.6
申请日：2021-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02
Abstract: 本申请的各个实施例涉及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。该MIM电容器包括布置在半导体衬底上方的底部电极。顶部电极布置在底部电极上方并位于该底部电极上面。电容器绝缘体结构布置在底部电极与顶部电极之间。该电容器绝缘体结构包括彼此垂直堆叠的至少三个介电结构。就所述介电结构的介电材料而言，该电容器绝缘体结构的下半部是其上半部的镜像。本申请的实施例还涉及用于形成金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法。
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公开(公告)号：CN101330003B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200810085960.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/75
Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。
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公开(公告)号：CN113838876A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202011433066.1
申请日：2020-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露涉及一种包括衬底的图像传感器。光电探测器位于衬底中。沟槽位于衬底中且由衬底的侧壁及上表面界定。第一隔离层沿着衬底的界定沟槽的侧壁及上表面延伸。第一隔离层包含第一介电材料。第二隔离层位于第一隔离层之上。第二隔离层加衬于第一隔离层。第二隔离层包含第二介电材料。第三隔离层位于第二隔离层之上。第三隔离层填充沟槽且加衬于第二隔离层。第三隔离层包含第三材料。第一隔离层的第一厚度对第二隔离层的第二厚度的比率是约0.17到0.38。
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公开(公告)号：CN106409880A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610525328.4
申请日：2016-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0257 , H01L21/02636 , H01L21/187 , H01L21/223 , H01L21/283 , H01L21/30 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/76254 , H01L21/768 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L25/00 , H01L27/14634 , H01L27/1469 , H01L29/0684 , H01L29/167 , H01L29/36 , H01L2224/16235 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L21/02587 , H01L24/83
Abstract: 一种示例性半导体晶圆包括具有第一掺杂浓度的底部半导体层、位于底部半导体层上方的中间半导体层和位于中间半导体层上方的顶部半导体层。中间半导体层具有大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，并且顶部半导体层具有小于第二掺杂浓度的第三掺杂浓度。底部半导体层的横向表面是半导体晶圆的外表面，并且底部半导体层、中间半导体层和顶部半导体层的侧壁基本对齐。本发明实施例涉及用于集成封装件的半导体晶圆。
