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公开(公告)号：CN107665919A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710624530.7
申请日：2017-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 林浩雄
IPC: H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7849 , H01L21/02381 , H01L21/02546 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L21/26506 , H01L21/324 , H01L29/0676 , H01L29/1037 , H01L29/1054 , H01L29/267 , H01L29/36 , H01L29/66522 , H01L29/66568 , H01L29/66795 , H01L29/7842 , H01L29/7843 , H01L29/785 , H01L29/0657 , H01L29/0603
Abstract: 一种半导体元件，包括自基板突出的半导体鳍片、半导体鳍片上方的栅极电极、半导体鳍片与栅极电极之间的栅极绝缘层、半导体鳍片的相对侧上设置的源极区域与漏极区域、源极区域与漏极区域之间的区域中所形成的第一应力源。第一应力源包括一种选自由He、Ne及Ga组成的群组的材料。
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公开(公告)号：CN113809041A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202011433089.2
申请日：2020-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H01L27/108 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器、一种具有金属‑绝缘体‑金属电容器的集成半导体装置以及其制造方法。所述金属‑绝缘体‑金属电容器包含第一金属层、第二金属层以及位于第二金属层与第一金属层之间的介电层。第一金属层、第二金属层以及介电层可形成梳状结构，其中所述梳状结构包含第一齿结构和至少一个第二齿结构。
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公开(公告)号：CN110277449A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201811083332.5
申请日：2018-09-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 林浩雄
Abstract: 本揭示叙述半导体装置例如晶体管，其包括位于基板上方、作为通道区的薄的半导金属层。此薄的半导金属层具有能隙开口并表现出半导体性质。所述的半导体装置包括源极/漏极区，此源极/漏极区包括较厚的半导金属层，位于作为通道区的薄的半导金属层上方。此较厚的半导金属层表现出金属性质。用于源极/漏极区的半导金属包括相同于或相似于通道区的半导金属的半导金属材料。
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公开(公告)号：CN117995695A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311506447.1
申请日：2023-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本文描述的一些实施包括形成集成电路的方法。此方法包括使用支撑填充混合物，其包括在半导体衬底的堆叠的侧向间隙区中以及沿着半导体衬底的堆叠的周边区的各种类型的复合颗粒的组合。组合中包含的一种类型的复合颗粒可以是尺寸相对较小，并包含光滑的表面，可允许复合颗粒深入到侧向间隙区中。包含多种类型的复合颗粒组合的支撑填充混合物的特性可以控制下游制造期间的热诱导应力，以减少支撑填充混合物及/或半导体衬底的堆叠中出现缺陷的可能性。
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公开(公告)号：CN109326520A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810731569.3
申请日：2018-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 林浩雄
IPC: H01L21/311 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括形成源极区域、漏极区域、以及覆盖源极区域与漏极区域之间的通道区域的栅极介电层和栅极电极，形成绝缘层于源极区域、漏极区域、以及栅极电极之上，形成穿过绝缘层并分别暴露出源极区域的一部分、漏极区域的一部分、以及栅极电极的一部分的第一通孔、第二通孔、以及第三通孔，形成源极接触件于第一通孔中以电性连接源极区域，形成漏极接触件于第二通孔中以电性连接漏极区域，以及形成栅极接触件于第三通孔中以电性连接栅极电极。第一通孔、第二通孔、以及第三通孔中的一个或多个是通过聚焦离子束的离子轰击并且随后进行热退火制程，从而去除绝缘层的一部分来形成。
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公开(公告)号：CN109216457A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201711331673.5
申请日：2017-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 林浩雄
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种半导体元件，包括从基材突出的半导体鳍、在半导体鳍上方的栅电极、在半导体鳍与栅电极之间的栅极绝缘层、设置在半导体鳍的相对侧面上的源极及漏极区域、在源极及漏极区域之间的区域中形成的第一应力物。第一应力物是包括于渐变深度形成的多个渐变部分的渐变的应变应力物。第一应力物经配置以产生渐变的压缩应力或渐变的拉伸应力之一。
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公开(公告)号：CN113809041B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202011433089.2
申请日：2020-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H10B12/00 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器、一种具有金属‑绝缘体‑金属电容器的集成半导体装置以及其制造方法。所述金属‑绝缘体‑金属电容器包含第一金属层、第二金属层以及位于第二金属层与第一金属层之间的介电层。第一金属层、第二金属层以及介电层可形成梳状结构，其中所述梳状结构包含第一齿结构和至少一个第二齿结构。
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公开(公告)号：CN114765194A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111020894.7
申请日：2021-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例是涉及一种具有包括与背侧表面相对的前侧表面的半导体衬底的图像传感器。多个光检测器设置在半导体衬底中。隔离结构自半导体衬底的背侧表面延伸到半导体衬底中且设置在相邻光检测器之间。隔离结构包含金属芯、设置在半导体衬底与金属芯之间的导电衬层以及设置在导电衬层与半导体衬底之间的第一介电衬层。金属芯包括第一金属材料，且导电衬层包括第一金属材料和与第一金属材料不同的第二金属材料。
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公开(公告)号：CN114335034A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110250032.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种集成芯片，包括：第一图像感测元件及第二图像感测元件，布置在衬底之上。第一微透镜布置在第一图像感测元件之上，且第二微透镜布置在第二图像感测元件之上。复合深沟槽隔离结构布置在第一图像感测元件与第二图像感测元件之间。复合深沟槽隔离结构包括：下部部分，布置在衬底之上；以及上部部分，布置在下部部分之上。下部部分包含第一材料，且上部部分包含具有比第一材料低的反射率的第二材料。
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