公开(公告)号：CN114664871A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202110867118.4

申请日：2021-07-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨开云

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本公开涉及一种包含衬底的集成芯片。光检测器布置在衬底内。沟槽隔离结构在光检测器的相对侧上延伸到衬底中。沟槽隔离结构将光检测器与相邻光检测器分离。第一钝化层位于衬底的侧壁与沟槽隔离结构的侧壁之间。第一钝化层包含氢化非晶硅。

公开(公告)号：CN113314551A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110032269.8

申请日：2021-01-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨开云 ,  陈春元 ,  李静宜

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本公开的各种实施例涉及一种具有光电探测器的图像传感器，光电探测器设置在半导体衬底中。光电探测器包括具有第一掺杂类型的第一掺杂区。深阱区设置在半导体衬底内，其中深阱区从半导体衬底的背侧表面延伸到第一掺杂区的顶表面。第二掺杂区设置在半导体衬底内且毗邻第一掺杂区。第二掺杂区及深阱区包括具有第二掺杂类型的第一掺杂剂，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，其中第一掺杂剂包括镓。

公开(公告)号：CN117995695A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311506447.1

申请日：2023-11-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴国铭 ,  杨开云 ,  陈昇照 ,  萧豪毅 ,  杨哲维 ,  蔡正原 ,  喻中一

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/54 ,  H01L23/24 ,  H10B80/00

摘要： 本文描述的一些实施包括形成集成电路的方法。此方法包括使用支撑填充混合物，其包括在半导体衬底的堆叠的侧向间隙区中以及沿着半导体衬底的堆叠的周边区的各种类型的复合颗粒的组合。组合中包含的一种类型的复合颗粒可以是尺寸相对较小，并包含光滑的表面，可允许复合颗粒深入到侧向间隙区中。包含多种类型的复合颗粒组合的支撑填充混合物的特性可以控制下游制造期间的热诱导应力，以减少支撑填充混合物及/或半导体衬底的堆叠中出现缺陷的可能性。