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公开(公告)号：CN113314549B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010706218.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种具有设置在衬底内的光电探测器的图像传感器。衬底具有前侧表面及后侧表面。吸收增强结构沿衬底的后侧表面设置且上覆在光电探测器上。吸收增强结构包括从衬底的后侧表面向外延伸的多个突起。所述多个突起中的每一突起包括相对的弯曲侧壁。
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公开(公告)号：CN114628257A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110418756.8
申请日：2021-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50
Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括可形成第一晶片与第二晶片的结合总成，第一晶片包括第一半导体衬底，第二晶片包括第二半导体衬底。可将第二半导体衬底薄化到第一厚度且可在结合总成的外围处形成晶片间壕沟沟槽。可在晶片间壕沟沟槽中以及在第二半导体衬底的后侧表面之上形成保护性材料层。可移除第二半导体衬底的位于晶片间壕沟沟槽外的外围部分，并且保护性材料层的圆柱形部分在侧向上环绕结合总成的其余部分。在保护性材料层的圆柱形部分保护结合总成的其余部分的同时，可通过执行至少一个薄化工艺将第二半导体衬底薄化到第二厚度。
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公开(公告)号：CN111668121B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201910164096.8
申请日：2019-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种晶圆接合结构及其形成方法。晶圆接合结构的形成方法包括形成第一晶圆以及将第二晶圆接合到第一晶圆的接合介电层及接合垫。形成第一晶圆包括以下工艺。提供半导体结构，半导体结构的边缘具有第一塌边区域。形成附加介电层，以填补第一塌边区域。在半导体结构及附加介电层上形成具有开口的接合介电层。形成导电层于接合介电层上并填入开口中，其中在附加介电层上方的导电层具有凸起。进行移除工艺，以移除位于接合介电层上的导电层，余留在开口中的导电层形成接合垫，其中移除工艺包括平坦化工艺，且凸起被平坦化工艺移除。
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公开(公告)号：CN109801931B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201810749873.0
申请日：2018-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明一些实施例公开一种半导体结构和半导体结构制造方法。其中，半导体结构包含：半导体衬底，其具有前表面及背向所述前表面的后表面；填充材料，其从所述前表面延伸到所述半导体衬底中且不穿透所述半导体衬底，所述填充材料包含上部分及下部分，所述上部分与所述半导体衬底接触；及外延层，其加衬于所述填充材料的所述下部分与所述半导体衬底之间。本发明一些实施例还公开一种相关联制造方法。
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公开(公告)号：CN109326617B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201711116403.2
申请日：2017-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像检测装置的制造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内，第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿过第一隔离结构并延伸于基底内的一第二沟槽。上述方法包括形成一第二隔离结构于第二沟槽内。上述方法包括形成一光检测区于基底内。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔离结构的一第一底部及光检测区的背侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109326617A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201711116403.2
申请日：2017-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像检测装置的制造方法，包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分，以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内，第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第三部分，以形成穿过第一隔离结构并延伸于基底内的一第二沟槽。上述方法包括形成一第二隔离结构于第二沟槽内。上述方法包括形成一光检测区于基底内。上述方法包括去除基底的一第四部分，以露出第二隔离结构的一第一底部及光检测区的背侧。
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公开(公告)号：CN108010926A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201710661769.1
申请日：2017-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14625 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/1462
Abstract: 本发明实施例涉及对CMOS图像传感器的选择性沉积与平坦化。此外，本发明实施例还涉及一种用以简化切割道开口填充工艺且进一步改进导电垫制作工艺的表面均匀性的方法。在半导体衬底上方形成钝化层，并穿过所述钝化层及所述半导体衬底形成切割道开口。为了填充所述切割道开口，在所述切割道开口内于导电垫上方形成第一介电层且所述第一介电层延伸于所述钝化层上方。所述第一介电层是通过选择性沉积工艺而形成，使得所述第一介电层以大于其形成所述钝化层上的沉积速率的沉积速率形成于所述导电垫上。
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公开(公告)号：CN104347645A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310456351.9
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种有源像素传感器及其相关的形成方法，其中，有源像素传感器具有在制造过程中降低对下面的栅极介电层的损害的栅极介电保护层。在一些实施例中，有源像素传感器具有设置在半导体衬底内的光电检测器。具有第一栅极结构的转移晶体管位于设置在半导体衬底之上的第一栅极介电层上。具有第二栅极结构的复位晶体管位于第一栅极介电层上。栅极介电保护层设置栅极氧化物上在第一栅极结构和第二栅极结构之间延伸的位置处以及位于光电检测器上方的位置处。栅极介电保护层保护第一栅极介电层在有源像素传感器的制造过程中免于蚀刻步骤。
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公开(公告)号：CN113178434A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110002263.6
申请日：2021-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L21/18
Abstract: 本发明涉及用于形成多维集成芯片结构的方法。在一些实施例中，方法可以通过将第二衬底接合至第一衬底的上表面来实施。第一边缘修整切割沿第一环路实施，并且延伸至第二衬底的第一外围部分中。第二边缘修整切割沿第二环路实施，并且延伸至第二衬底的第二外围部分中并且延伸至第一衬底中。第三边缘修整切割沿第三环路实施，并且延伸至第一衬底的第三外围部分中。本申请的实施例还涉及多维集成芯片结构。
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