公开(公告)号：CN107403813B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201710286357.4

申请日：2017-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢祈鸣 ,  黄志辉 ,  李昇展 ,  曹荣志 ,  梁耀祥

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，该方法包括在衬底上方形成具有第一膜应力类型和第一膜应力强度的第一膜，和形成具有第二膜应力类型和第二膜应力强度且位于第一膜上方的第二膜。第二膜应力类型不同于第一膜应力类型。第二膜应力强度与第一膜应力强度大致相同。第二膜补偿由第一膜对衬底的非平坦性的应力引起的影响。

公开(公告)号：CN106972036A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610910247.6

申请日：2016-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江彦廷 ,  王俊智 ,  杨敦年 ,  曾晓晖 ,  黄志辉 ,  丁世汎 ,  周世培 ,  李昇展

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明涉及具有改进的DTI结构的BSI图像传感器，及其相关的形成方法。在一些实施例中，BSI图像传感器包括设置在衬底内并且对应于多个像素区域的多个图像感测元件。深沟槽隔离(DTI)栅格设置在相邻的图像感测元件之间并且从衬底的上表面延伸至衬底内的位置。DTI栅格包括设置在衬底的上表面下方的气隙，该气隙具有被第一介电层包围的下部和被第二介电层密封的一些上部。本发明还提供了集成电路及其形成方法。

公开(公告)号：CN104051419B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201310463691.4

申请日：2013-10-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡纾婷 ,  林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  黄志辉 ,  陈升照 ,  周世培 ,  林佳洁

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种堆叠式集成电路（IC）器件及方法。该堆叠式IC器件包括第一半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的介电块以及形成在第一衬底上方的第一金属间介电层中的多个第一导电部件。该堆叠式IC器件还包括接合至第一半导体元件上的第二半导体元件。第二半导体元件包括第二衬底以及形成在第二衬底上方的第二金属间介电层中的多个第二导电部件。该堆叠式IC器件还包括连接在第一导电部件和第二导电部件之间的导电深互连插塞。导电深互连插塞通过介电块、第一金属间介电层和第二金属间介电层隔离。本发明还公开了用于堆叠式器件的互连结构。

公开(公告)号：CN103489884A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310175434.0

申请日：2013-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹钧涵 ,  赖志育 ,  黄志辉 ,  吴政达 ,  杜友伦 ,  王俊智 ,  丁世汎 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L31/02164 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/148 ,  H01L51/4273

Abstract: 一种包含半导体衬底的图像传感器器件，该半导体衬底包括阵列区和暗电平校正区。该阵列区包含多个辐射感应像素。该暗电平校正区包含一个或多个参考像素。该衬底具有正面和背面。该图像传感器器件包括在衬底背面上形成的第一压缩应变层。该第一压缩应变层包含氧化硅，且带有负电荷。该第二压缩应变层包含氮化硅，且带有负电荷。在暗电平校正区的至少一部分上方形成金属屏蔽件。图像传感器器件包括在金属屏蔽件上和在第二压缩应变层上形成的第三压缩应变层。该第三压缩应变层包含氧化硅。通过该第三压缩应变层保护金属屏蔽件的侧壁。本发明提供具有压缩层的图像传感器。

公开(公告)号：CN102376724A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110218318.3

申请日：2011-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄志辉 ,  蔡正原 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供了一种呈现改进的量子效率的图像传感器器件。例如，提供了一种背照式(BSI)图像传感器器件，包括：具有前表面和后表面的基板；设置在基板的前表面处的感光区；以及设置在基板的后表面上方的抗反射层。当在小于700nm的波长处进行测量时，抗反射层具有大于或等于约2.2的折射率以及小于或等于约0.05的消光系数。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层及其制造方法。

公开(公告)号：CN101894789A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010183416.3

申请日：2010-05-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李资良 ,  郑培仁 ,  傅竹韵 ,  陈其贤 ,  黄志辉 ,  彭治棠 ,  连浩明

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/76232

Abstract: 本发明一实施例提供一种隔离结构的制造方法，包括：提供一基底；于该基底的一顶表面中形成一沟槽；于该沟槽中部分填充一第一氧化硅；将该第一氧化硅的一表面暴露于一气相混合物，该气相混合物包括NH3及一含氟化合物；将该基底加热至介于100℃至200℃的一温度；以及于该沟槽中填充一第二氧化硅，以使所形成的该隔离结构不具有空隙。

公开(公告)号：CN115663006A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211439745.9

申请日：2017-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张朝钦 ,  李昇展 ,  黄志辉 ,  蔡建欣 ,  吴正一 ,  周佳兴 ,  林艺民 ,  林明辉 ,  李锦思

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体图像传感器件及其制造方法。半导体图像传感器件包括衬底、第一像素和第二像素、以及隔离结构。第一像素和第二像素设置在衬底中，其中，第一和第二像素为相邻像素。隔离结构设置在衬底中并且介于第一和第二像素之间，其中，隔离结构包括介电层，并且介电层包括碳氧氮化硅(SiOCN)。

公开(公告)号：CN110277310A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201811137035.4

申请日：2018-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林永隆 ,  萧豪毅 ,  黄志辉 ,  曾国华 ,  周正贤

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请涉及半导体装置的制造方法。本发明实施例提供一种用于晶片接合的方法，其包含：提供晶片；在第一晶片的顶表面上形成牺牲层；修整所述第一晶片的边缘以获得第一晶片面积；清洁所述第一晶片的所述顶表面；去除所述牺牲层；和将所述第一晶片的所述顶表面接合到第二晶片，所述第二晶片具有大于所述第一晶片面积的第二晶片面积。

公开(公告)号：CN107403813A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710286357.4

申请日：2017-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢祈鸣 ,  黄志辉 ,  李昇展 ,  曹荣志 ,  梁耀祥

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，该方法包括在衬底上方形成具有第一膜应力类型和第一膜应力强度的第一膜，和形成具有第二膜应力类型和第二膜应力强度且位于第一膜上方的第二膜。第二膜应力类型不同于第一膜应力类型。第二膜应力强度与第一膜应力强度大致相同。第二膜补偿由第一膜对衬底的非平坦性的应力引起的影响。

公开(公告)号：CN104037102B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201310226966.2

申请日：2013-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  黄信华 ,  黄志辉 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  卢彦池 ,  施俊吉 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介电层与第二封装元件的表面处的第二表面介电层接合。在混合接合之后，对该接合对执行热压缩退火。