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公开(公告)号：CN107026184A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710061474.0
申请日：2017-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 在本公开的某些实施例中，涉及集成晶片结构，其具有导体遮蔽结构的配置，以避免第一裸晶中的装置制造的辐射影响第二裸晶中的影像感应元件。导体接合结构具有附有一个或多个半导体装置的第一集成晶片裸晶以及附有影像感应元件阵列的第二集成晶片裸晶。混合接合界面区排列于第一集成晶片裸晶与第二集成晶片裸晶之间。导体接合结构排列于混合接合界面区之中，且配置为将第一集成晶片裸晶电性连接于第二集成晶片裸晶。导体遮蔽结构排列于混合接合界面区之中，且在一个或多个半导体装置与影像感应元件阵列之间横向延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104037102B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201310226966.2
申请日：2013-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/753 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80121 , H01L2224/80204 , H01L2224/80209 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介电层与第二封装元件的表面处的第二表面介电层接合。在混合接合之后，对该接合对执行热压缩退火。
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公开(公告)号：CN104037102A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310226966.2
申请日：2013-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/753 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80121 , H01L2224/80204 , H01L2224/80209 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介电层与第二封装元件的表面处的第二表面介电层接合。在混合接合之后，对该接合对执行热压缩退火。
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公开(公告)号：CN113035892A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011517536.2
申请日：2020-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种感光像素，包含：衬底、感光区、浮动扩散区、转移栅极以及控制电极。感光区位于衬底内。浮动扩散区位于感光区旁边的衬底内。转移栅极安置在衬底上且延伸到感光区中。控制电极位于衬底上且延伸到浮动扩散区中。
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公开(公告)号：CN107026184B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201710061474.0
申请日：2017-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 在本公开的某些实施例中，涉及集成晶片结构，其具有导体遮蔽结构的配置，以避免第一裸晶中的装置制造的辐射影响第二裸晶中的影像感应元件。导体接合结构具有附有一个或多个半导体装置的第一集成晶片裸晶以及附有影像感应元件阵列的第二集成晶片裸晶。混合接合界面区排列于第一集成晶片裸晶与第二集成晶片裸晶之间。导体接合结构排列于混合接合界面区之中，且配置为将第一集成晶片裸晶电性连接于第二集成晶片裸晶。导体遮蔽结构排列于混合接合界面区之中，且在一个或多个半导体装置与影像感应元件阵列之间横向延伸。
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公开(公告)号：CN106373940A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610512057.9
申请日：2016-07-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/31111 , H01L21/3212 , H01L21/76807 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76871 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53238 , H01L24/80 , H01L24/89 , H01L25/50 , H01L2224/05025 , H01L2224/05147 , H01L2224/08145 , H01L2224/215 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0104 , H01L2924/01072 , H01L2224/80 , H01L23/522 , H01L21/76838
Abstract: 提供了使用基于铜合金的混合接合件的集成电路(IC)。该IC包括彼此垂直堆叠的一对半导体结构。该对半导体结构包括相应的介电层和布置在介电层中的相应的金属部件。金属部件包括具有铜和再生金属的铜合金。IC进一步包括布置在半导体结构之间的界面处的混合接合件。混合接合件包括将介电层接合在一起的第一接合件和将金属部件接合在一起的第二接合件。第二接合件包括布置在金属部件的铜晶粒之间且由再生金属填充的空隙。还提供了使用基于铜合金的混合接合件用于将一对半导体结构接合在一起的方法。本发明实施例涉及用于使产率改进的使用铜合金的混合接合件。
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