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公开(公告)号：CN106298718B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201610474165.1
申请日：2016-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L27/146
Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种三维(3D)集成电路(IC)。3DIC包括第一衬底，该第一衬底包括配置为在第一方向上从光源接收光的光电检测器。互连结构设置在第一衬底上方并且包括以交替的方式彼此堆叠的多个金属层和绝缘层。多个金属层中的一个离光源最近，并且多个金属层中的另一个离光源最远。接合焊盘凹槽从离光源最近的3DIC的表面中的开口延伸至互连结构内并且终止在接合焊盘处。接合焊盘与3DIC的表面分隔开并且与多个金属层中的离光源最远的一个直接接触。本发明的实施例还提供了集成电路、前照式传感器和背照式传感器。
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公开(公告)号：CN106298715B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201510852151.4
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488
Abstract: 本发明涉及具有在集成芯片管芯之间垂直延伸的再分布层的多维集成芯片，其中再分布层横向偏离于背侧接合焊盘。多维集成芯片具有第一集成芯片管芯，第一集成芯片管芯的多个第一金属互连层设置在布置于第一半导体衬底的前侧上的第一层间介电层内。多维集成芯片还具有第二集成芯片管芯，第二集成芯片管芯的多个第二金属互连层设置在与第一ILD层邻接的第二层间介电层内。接合焊盘设置在延伸穿过第二半导体衬底的凹槽内。再分布层在横向偏离于接合焊盘的位置处在多个第一金属互连层与多个第二金属互连层之间垂直延伸。本发明实施例涉及混合接合焊盘结构。
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公开(公告)号：CN106469701B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610595263.0
申请日：2016-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了半导体器件结构。该半导体器件结构包括具有第一表面、第二表面和凹槽的第一半导体衬底。第二表面与第一表面相对。该凹槽穿过第一半导体衬底。该半导体器件结构包括位于第二表面上方的第一布线层。该半导体器件结构包括第一接合焊盘，该第一接合焊盘位于凹槽中并且延伸至第一布线层以电连接至第一布线层。该半导体器件结构包括位于第一接合焊盘上方的镍层。该半导体器件结构包括位于镍层上方的金层。本发明的实施例还涉及半导体器件结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN107039478A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611245732.2
申请日：2016-12-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开一些实施例关于集成芯片与其形成方法，集成芯片具有通孔支撑结构于接合垫下。集成芯片具有影像感测单元配置于基板中。接合垫区延伸穿过基板以达配置于介电结构中的第一金属内连线线路，接合垫区横向偏离影像感测单元，且介电结构沿着基板正面。接合垫配置于接合垫区中，并接触第一金属内连线线路。通孔支撑结构配置于介电结构中并具有一或多个通孔，且通孔与接合垫的间隔有第一金属内连线线路。一或多个其他通孔配置于介电结构中，并横向偏离接合垫区。通孔的尺寸大于其他通孔。
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公开(公告)号：CN106298718A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610474165.1
申请日：2016-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L27/146
Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种三维(3D)集成电路(IC)。3DIC包括第一衬底，该第一衬底包括配置为在第一方向上从光源接收光的光电检测器。互连结构设置在第一衬底上方并且包括以交替的方式彼此堆叠的多个金属层和绝缘层。多个金属层中的一个离光源最近，并且多个金属层中的另一个离光源最远。接合焊盘凹槽从离光源最近的3DIC的表面中的开口延伸至互连结构内并且终止在接合焊盘处。接合焊盘与3DIC的表面分隔开并且与多个金属层中的离光源最远的一个直接接触。本发明的实施例还提供了集成电路、前照式传感器和背照式传感器。
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公开(公告)号：CN106469701A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610595263.0
申请日：2016-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/52 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了半导体器件结构。该半导体器件结构包括具有第一表面、第二表面和凹槽的第一半导体衬底。第二表面与第一表面相对。该凹槽穿过第一半导体衬底。该半导体器件结构包括位于第二表面上方的第一布线层。该半导体器件结构包括第一接合焊盘，该第一接合焊盘位于凹槽中并且延伸至第一布线层以电连接至第一布线层。该半导体器件结构包括位于第一接合焊盘上方的镍层。该半导体器件结构包括位于镍层上方的金层。本发明的实施例还涉及半导体器件结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN106298715A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510852151.4
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/49838 , H01L23/52 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544
Abstract: 本发明涉及具有在集成芯片管芯之间垂直延伸的再分布层的多维集成芯片，其中再分布层横向偏离于背侧接合焊盘。多维集成芯片具有第一集成芯片管芯，第一集成芯片管芯的多个第一金属互连层设置在布置于第一半导体衬底的前侧上的第一层间介电层内。多维集成芯片还具有第二集成芯片管芯，第二集成芯片管芯的多个第二金属互连层设置在与第一ILD层邻接的第二层间介电层内。接合焊盘设置在延伸穿过第二半导体衬底的凹槽内。再分布层在横向偏离于接合焊盘的位置处在多个第一金属互连层与多个第二金属互连层之间垂直延伸。本发明实施例涉及混合接合焊盘结构。
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公开(公告)号：CN114464638A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210050133.4
申请日：2022-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各种实施例针对包括高脚焊盘结构的集成电路(IC)芯片。导线在半导体衬底的正面上位于半导体衬底的下方。另外，沟槽隔离结构延伸至半导体衬底的正面中。高脚焊盘结构嵌入至半导体衬底的与正面相对的背面中。高脚焊盘结构包括焊盘主体和焊盘凸起。焊盘凸起位于焊盘主体下方，并且从焊盘主体穿过半导体衬底的部分和沟槽隔离结构，朝向导线凸出。焊盘主体位于半导体衬底的部分上方，并且通过半导体衬底的部分与沟槽隔离结构分隔开。本申请的实施例提供了集成电路芯片、集成电路封装件及形成焊盘结构的方法。
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