公开(公告)号：CN116544252A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310316871.3

申请日：2023-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨皓麟 ,  王俊智 ,  王子睿 ,  王铨中 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及背侧照明图像设备的结构和方法。一种图像传感器结构包括：第一衬底，具有前侧和背侧；光电检测器，设置在第一衬底的前侧上并且沿着第一方向横跨尺寸Dp；栅极电极，形成在第一衬底的前侧上并且部分地与光电检测器交叠；掺杂区域，作为浮动扩散区域，形成在第一衬底的前侧上并且被设置为靠近光电检测器；和互连结构，设置在第一衬底的前侧上并上覆于栅极电极。互连结构包括第一金属层和位于第一金属层之上的第二金属层，第二金属层还包括第一金属特征和第二金属特征，第一金属特征和第二金属特征沿着第一方向间隔开距离Ds，第一金属特征连接到掺杂区域，并且第一比Ds/Dp大于0.3。

公开(公告)号：CN109841574B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201810067968.4

申请日：2018-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴尉壮 ,  洪丰基 ,  洪升晖 ,  陈春元 ,  江彦廷 ,  刘人诚 ,  王俊智 ,  杨敦年

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/146

Abstract: 本申请公开了CMOS图像传感器及其形成方法。本公开涉及具有多深沟槽隔离(MDTI)结构的CMOS图像传感器，以及相关联的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域被布置在衬底内并分别包括光电二极管。边界深沟槽隔离(BDTI)结构被布置在相邻像素区域之间，从衬底的背面延伸到衬底内的第一深度，并围绕光电二极管。多深沟槽隔离(MDTI)结构被布置在各个像素区域内，从衬底的背面延伸到衬底内的第二深度，并覆盖光电二极管。电介质层填充在BDTI结构的BDTI沟槽和MDTI结构的MDTI沟槽中。

公开(公告)号：CN106298718B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201610474165.1

申请日：2016-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信耀 ,  王俊智 ,  杨敦年 ,  洪丰基 ,  王明璁 ,  周世培

IPC: H01L23/488 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种三维(3D)集成电路(IC)。3DIC包括第一衬底，该第一衬底包括配置为在第一方向上从光源接收光的光电检测器。互连结构设置在第一衬底上方并且包括以交替的方式彼此堆叠的多个金属层和绝缘层。多个金属层中的一个离光源最近，并且多个金属层中的另一个离光源最远。接合焊盘凹槽从离光源最近的3DIC的表面中的开口延伸至互连结构内并且终止在接合焊盘处。接合焊盘与3DIC的表面分隔开并且与多个金属层中的离光源最远的一个直接接触。本发明的实施例还提供了集成电路、前照式传感器和背照式传感器。

公开(公告)号：CN109712960A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201810662285.3

申请日：2018-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄诗涵 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王俊智 ,  林杏芝 ,  高敏峰

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/768 ,  H01L23/64

Abstract: 本公开实施例涉及具有电感器的集成电路，电感器具有一或多个线圈沿着垂直面排列，垂直面与下方基板相交。在一些实施例中，集成电路包含多个导电布线层，其具有导线和导通孔设置于与第一基板邻接的一或多个介电结构中。这些导电布线层定义出具有一或多个线圈的电感器，这些线圈各自包含垂直延伸区段沿着与第一基板相交的平面排列，垂直延伸区段具有多个上述导线和导通孔。

公开(公告)号：CN107026184A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710061474.0

申请日：2017-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何承颖 ,  卢彦池 ,  洪丰基 ,  王俊智 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/552

Abstract: 在本公开的某些实施例中，涉及集成晶片结构，其具有导体遮蔽结构的配置，以避免第一裸晶中的装置制造的辐射影响第二裸晶中的影像感应元件。导体接合结构具有附有一个或多个半导体装置的第一集成晶片裸晶以及附有影像感应元件阵列的第二集成晶片裸晶。混合接合界面区排列于第一集成晶片裸晶与第二集成晶片裸晶之间。导体接合结构排列于混合接合界面区之中，且配置为将第一集成晶片裸晶电性连接于第二集成晶片裸晶。导体遮蔽结构排列于混合接合界面区之中，且在一个或多个半导体装置与影像感应元件阵列之间横向延伸。

公开(公告)号：CN106972036A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610910247.6

申请日：2016-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江彦廷 ,  王俊智 ,  杨敦年 ,  曾晓晖 ,  黄志辉 ,  丁世汎 ,  周世培 ,  李昇展

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明涉及具有改进的DTI结构的BSI图像传感器，及其相关的形成方法。在一些实施例中，BSI图像传感器包括设置在衬底内并且对应于多个像素区域的多个图像感测元件。深沟槽隔离(DTI)栅格设置在相邻的图像感测元件之间并且从衬底的上表面延伸至衬底内的位置。DTI栅格包括设置在衬底的上表面下方的气隙，该气隙具有被第一介电层包围的下部和被第二介电层密封的一些上部。本发明还提供了集成电路及其形成方法。

公开(公告)号：CN104037139A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310239271.8

申请日：2013-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昆仑 ,  杜友伦 ,  王俊智

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/0901 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明公开了一种接合结构及其形成方法，其中一种封装件，其包括第一封装元件和第二封装元件。第一细长接合焊盘位于第一封装元件表面，第一细长接合焊盘具有沿第一纵向的第一长度和小于第一长度的第一宽度。第二细长接合焊盘位于第二封装元件表面。第二细长接合焊盘与第一细长接合焊盘接合。第二细长接合焊盘具有沿第二纵向的第二长度和小于第二长度的第二宽度。第二纵向与第一纵向不平行。

公开(公告)号：CN103515400A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210439407.5

申请日：2012-11-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 丁世汎 ,  江彦廷 ,  王俊智

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: 用作CMOS图像传感器ARC层的多孔硅。提供一种半导体器件。该半导体器件包括通过衬底支撑的金属化层，设置在金属化层上方的二极管和部分掺杂的硅层，设置在二极管和部分掺杂的硅层上方的缓冲层；以及设置在缓冲层上方的抗反射涂层，该抗反射涂层由多孔硅形成。

公开(公告)号：CN103489884A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310175434.0

申请日：2013-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹钧涵 ,  赖志育 ,  黄志辉 ,  吴政达 ,  杜友伦 ,  王俊智 ,  丁世汎 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L31/02164 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/148 ,  H01L51/4273

Abstract: 一种包含半导体衬底的图像传感器器件，该半导体衬底包括阵列区和暗电平校正区。该阵列区包含多个辐射感应像素。该暗电平校正区包含一个或多个参考像素。该衬底具有正面和背面。该图像传感器器件包括在衬底背面上形成的第一压缩应变层。该第一压缩应变层包含氧化硅，且带有负电荷。该第二压缩应变层包含氮化硅，且带有负电荷。在暗电平校正区的至少一部分上方形成金属屏蔽件。图像传感器器件包括在金属屏蔽件上和在第二压缩应变层上形成的第三压缩应变层。该第三压缩应变层包含氧化硅。通过该第三压缩应变层保护金属屏蔽件的侧壁。本发明提供具有压缩层的图像传感器。

公开(公告)号：CN102237274B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201010530391.X

申请日：2010-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许凯钧 ,  杜友伦 ,  王从建 ,  许慈轩 ,  王俊智

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14698 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明包括使用激光光束激光退火具有多裸片的晶片的方法、以具有多扫描路径、激光射击的扫描模式中的激光光束激光退火背面照明图像感测器的阵列的方法。每个互补金属氧化物半导体图像感测器具有感测器阵列区和周边电路。此方法借由感测器阵列区长度和周边电路长度决定激光光束的尺寸，使激光光束覆盖整数个感测器阵列区，至少一直排激光光束在背面照明图像感测器的阵列上。进一步决定扫描模式，使激光光束的边界在激光退火期间不会与感测器阵列区重叠只与周边电路重叠。当制造背面照明互补金属氧化物半导体图像感测器时决定激光光束尺寸和激光退火扫描模式的方法以避免在图像感测器的感测器阵列区内发生对应激光扫描边界效应的暗模式条纹图案。