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公开(公告)号：CN113161420B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202110008411.5
申请日：2021-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。
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公开(公告)号：CN118522739A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410498955.8
申请日：2024-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及图像传感器集成芯片。图像传感器集成芯片包括多个栅极结构，沿着衬底的多个像素区域内的第一侧布置。蚀刻阻挡结构布置在多个栅极结构的相邻栅极结构之间的衬底的第一侧上。接触蚀刻停止层(CESL)布置在多个栅极结构的相邻栅极结构之间的蚀刻阻挡结构上。隔离结构，设置在衬底的一个或多个侧壁之间并且从衬底的第二侧延伸到衬底的第一侧。蚀刻阻挡结构垂直地位于隔离结构和CESL之间。本发明的实施例还提供了形成图像传感器集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN116504796A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210955856.9
申请日：2022-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器，该图像传感器包括设置在衬底内的多个光电探测器。衬底包括与背侧表面相对的前侧表面。外部隔离结构设置在衬底中并且横向围绕多个光电探测器。外部隔离结构具有第一高度。内部隔离结构在外部隔离结构的侧壁之间间隔开。内部隔离结构设置在多个光电探测器中的相邻的光电探测器之间。外部隔离结构与内部隔离结构分别从背侧表面朝着前侧表面延伸。内部隔离结构包括小于第一高度的第二高度。根据本发明的其他实施例，还提供了用于形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN115117019A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210331398.1
申请日：2022-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本公开涉及集成电路芯片及其形成方法。本公开的各种实施例涉及一种集成电路(IC)芯片，其中键合焊盘结构延伸到具有高过孔密度的柱状结构。例如，互连结构位于衬底的正面，并且包括形成柱状结构的第一键合导线、第二键合导线和一个或多个键合过孔。键合过孔从第一键合导线延伸到第二键合导线。键合焊盘结构被插入衬底的与正面相反的背面，并且延伸至第一键合导线。第一键合导线或第二键合导线在平行于衬底的顶表面的平面上的第一投影具有第一面积，并且键合过孔在该平面上的第二投影具有第二面积，第二面积为第一面积的10％或更多，使得过孔密度较高。
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公开(公告)号：CN114824084A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210054079.0
申请日：2022-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种形成电容器结构的方法。该方法包括在下电极层上方形成电容器介电层，以及在电容器介电层上方形成上电极层。蚀刻上电极层以界定上电极且暴露电容器介电层的部分。间隔结构形成在上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上并且还沿着上电极的侧壁形成。蚀刻间隔结构以从上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上方去除间隔结构且限定间隔件。根据间隔件蚀刻电容器介电层和下电极层以限定电容器介电层和下电极。本公开还涉及一种电容器结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114765246A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110947819.9
申请日：2021-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)。所述IC包括设置在半导体衬底之上的第一金属间介电(IMD)结构。金属‑绝缘体‑金属(MIM)装置设置在第一IMD结构之上。所述MIM装置包括彼此间隔开的至少三个金属板。所述MIM装置还包括多个电容器绝缘体结构，其中所述多个电容器绝缘体结构中的每一者设置在所述至少三个金属板中的相邻的金属板之间且对所述相邻的金属板进行电隔离。
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公开(公告)号：CN113451246A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110034765.7
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及集成芯片结构。集成芯片结构包括设置在衬底的第一侧上的标准通孔。过尺寸通孔设置在衬底的第一侧上，并且与标准通孔横向分隔开。过尺寸通孔具有大于标准通孔的宽度。互连线垂直接触过尺寸通孔。衬底通孔(TSV)从衬底的第二侧延伸并且穿过衬底，以物理接触过尺寸通孔或互连线。TSV具有小于过尺寸通孔的宽度的最小宽度。本申请的实施例还涉及形成集成芯片结构的方法。
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公开(公告)号：CN113257796A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110037764.8
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/00 , H01L23/498 , H01L23/535
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种包含接合到第二集成电路管芯的第一集成电路管芯的三维集成电路(IC)堆叠。第一集成电路管芯包含第一半导体衬底、配置在第一半导体衬底的前侧上的第一内连线结构以及配置在第一内连线结构上方的第一接合结构。第二集成电路管芯包含第二半导体衬底、配置在第二半导体衬底的前侧上的第二内连线结构以及配置在第二半导体衬底的背侧上的第二接合结构。第一接合结构面向第二接合结构。另外，三维集成电路堆叠包含从第二接合结构延伸到第二半导体衬底的背侧且热耦合到第一内连线结构或第二内连线结构中的至少一个的第一背侧接触件。
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公开(公告)号：CN112018068A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010467796.7
申请日：2020-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本申请的各个实施例针对集成电路(IC)，其中屏蔽结构阻止电荷从衬底通孔(TSV)附近迁移至半导体器件。在一些实施例中，该IC包括衬底、互连结构、半导体器件、TSV和屏蔽结构。互连结构位于衬底的前侧上并且包括导线。半导体器件位于衬底的前侧上，位于衬底和互连结构之间。TSV从衬底的背侧完全穿过衬底延伸到导线，并且包括金属。屏蔽结构包括PN结，PN结完全延伸穿过衬底，并且位于半导体器件和TSV之间。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。
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公开(公告)号：CN107482028B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710859812.5
申请日：2012-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构，其中，一种半导体器件包括：衬底，包括结合光电二极管的像素区域；栅格，设置在衬底上方并具有限定与像素区域垂直对准的腔的壁；滤色器材料，设置在栅格的壁之间的腔中。
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