公开(公告)号：CN111986999A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010199511.6

申请日：2020-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈则安 ,  褚志彪 ,  李连忠 ,  张文豪 ,  曾建智 ,  温诏凯

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明的实施例涉及形成半导体器件的方法，包括在第一衬底上方沉积铜层，对铜层进行退火，在铜层上沉积六方氮化硼(hBN)膜，以及从铜层去除hBN膜。可以将hBN膜转移至第二衬底。

公开(公告)号：CN116504796A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202210955856.9

申请日：2022-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江彦廷 ,  陈彦瑜 ,  张文豪 ,  许慈轩 ,  洪丰基 ,  丁世汎 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器，该图像传感器包括设置在衬底内的多个光电探测器。衬底包括与背侧表面相对的前侧表面。外部隔离结构设置在衬底中并且横向围绕多个光电探测器。外部隔离结构具有第一高度。内部隔离结构在外部隔离结构的侧壁之间间隔开。内部隔离结构设置在多个光电探测器中的相邻的光电探测器之间。外部隔离结构与内部隔离结构分别从背侧表面朝着前侧表面延伸。内部隔离结构包括小于第一高度的第二高度。根据本发明的其他实施例，还提供了用于形成图像传感器的方法。

公开(公告)号：CN111986999B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202010199511.6

申请日：2020-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈则安 ,  褚志彪 ,  李连忠 ,  张文豪 ,  曾建智 ,  温诏凯

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明的实施例涉及形成半导体器件的方法，包括在第一衬底上方沉积铜层，对铜层进行退火，在铜层上沉积六方氮化硼(hBN)膜，以及从铜层去除hBN膜。可以将hBN膜转移至第二衬底。

公开(公告)号：CN113871453A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111141899.5

申请日：2021-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李明洋 ,  李连忠 ,  叶涵 ,  张文豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括沟道区、第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件、栅极结构以及第一金属接触件及第二金属接触件。沟道区包含二维半导体材料。第一二维金属质接触件设置在沟道区的一侧处且包含二维金属质材料。第二二维金属质接触件设置在沟道区的相对的侧处且包含二维金属质材料。栅极结构在第一二维金属质接触件与第二二维金属质接触件的中间设置在沟道区上。第一金属接触件相对于沟道区设置在第一二维金属质接触件的相对的侧处。第二金属接触件相对于沟道区设置在第二二维金属质接触件的相对的侧处。第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件从侧面接触沟道区以形成侧向半导体‑金属质结。

公开(公告)号：CN111834460A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010294799.5

申请日：2020-04-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈则安 ,  李连忠 ,  张文豪 ,  曾建智

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体元件，包含基板、通道层、绝缘层、源极/漏极触点、栅极介电层，及栅电极。通道层位于基板上方且包含二维(two dimensional；2D)材料。绝缘层在通道层上。源极/漏极触点位于通道层上方。栅极介电层位于绝缘层及通道层上方。栅电极位于栅极介电层上方且在源极/漏极触点之间。