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公开(公告)号：CN109841574B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201810067968.4
申请日：2018-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/146
Abstract: 本申请公开了CMOS图像传感器及其形成方法。本公开涉及具有多深沟槽隔离(MDTI)结构的CMOS图像传感器，以及相关联的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域被布置在衬底内并分别包括光电二极管。边界深沟槽隔离(BDTI)结构被布置在相邻像素区域之间，从衬底的背面延伸到衬底内的第一深度，并围绕光电二极管。多深沟槽隔离(MDTI)结构被布置在各个像素区域内，从衬底的背面延伸到衬底内的第二深度，并覆盖光电二极管。电介质层填充在BDTI结构的BDTI沟槽和MDTI结构的MDTI沟槽中。
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公开(公告)号：CN109585466A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810662951.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开实施例涉及具有被背侧深沟槽隔离结构围绕的光学二极管的互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及相关形成方法。在一些实施例，多个像素区是置于基底中且分别具有光学二极管。背侧深沟槽隔离结构是置于相邻的像素区间，从基底的背侧延伸至基底内部。背侧深沟槽隔离结构包括掺杂层与介电填充层，掺杂层顺着深沟槽的侧壁表面排列，介电填充层填充深沟槽的剩余空间。通过形成所公开的背侧深沟槽隔离结构，其功能是作为掺杂阱与隔离结构，简化了从基底的前侧进行的注入工艺，因此改善了曝光分辨率、光学二极管的电荷满载量及销接电压。
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公开(公告)号：CN106972036A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610910247.6
申请日：2016-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L27/14605 , H01L27/14612 , H01L27/14683
Abstract: 本发明涉及具有改进的DTI结构的BSI图像传感器，及其相关的形成方法。在一些实施例中，BSI图像传感器包括设置在衬底内并且对应于多个像素区域的多个图像感测元件。深沟槽隔离(DTI)栅格设置在相邻的图像感测元件之间并且从衬底的上表面延伸至衬底内的位置。DTI栅格包括设置在衬底的上表面下方的气隙，该气隙具有被第一介电层包围的下部和被第二介电层密封的一些上部。本发明还提供了集成电路及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103515400A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210439407.5
申请日：2012-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14687
Abstract: 用作CMOS图像传感器ARC层的多孔硅。提供一种半导体器件。该半导体器件包括通过衬底支撑的金属化层，设置在金属化层上方的二极管和部分掺杂的硅层，设置在二极管和部分掺杂的硅层上方的缓冲层；以及设置在缓冲层上方的抗反射涂层，该抗反射涂层由多孔硅形成。
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公开(公告)号：CN110838499B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910750283.4
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括用以增强性能的复合背照式(CBSI)结构的图像传感器。在一些实施例中，第一沟槽隔离结构延伸到衬底的背侧至第一深度并且包括一对第一沟槽隔离段。光电探测器位于衬底中、第一沟槽隔离段之间并且邻接所述第一沟槽隔离段。第二沟槽隔离结构位于第一沟槽隔离段之间并且延伸到衬底的背侧中至小于第一深度的第二深度。第二沟槽隔离结构包括一对第二沟槽隔离段。吸收增强结构位于光电探测器上面、第二沟槽隔离段之间，并且凹进至半导体衬底的背侧。吸收增强结构和第二沟槽隔离结构共同限定CBSI结构。本发明的实施例还涉及形成图像传感器的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112820744A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010519137.3
申请日：2020-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 通过为反射器提供接地连接来解决降低图像传感装置(特别是近红外检测器)中的噪声的问题。反射器可通过将反射器耦合到衬底的接地区域的通孔来接地。衬底的接地区域可以是接近于衬底的表面形成的P+掺杂区域。具体来说，P+掺杂区域可以是光电二极管的部分。替代地，反射器可通过形成在衬底的前侧上方的金属内连线结构来接地。
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公开(公告)号：CN109817649B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201810661608.7
申请日：2018-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请实施例提供一种影像感测器装置结构及其形成方法。所述影像感测器装置结构包括一基板，且所述基板掺杂有一第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构包括形成于基板中的一光感测区域，且所述光感测区域掺杂有与第一导电类型不同的一第二导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构还包括延伸进入光感测区域的一掺杂区域，且所述掺杂区域掺杂有第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构也包括形成于掺杂区域上的多个滤色器。
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公开(公告)号：CN110838499A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910750283.4
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括用以增强性能的复合背照式(CBSI)结构的图像传感器。在一些实施例中，第一沟槽隔离结构延伸到衬底的背侧至第一深度并且包括一对第一沟槽隔离段。光电探测器位于衬底中、第一沟槽隔离段之间并且邻接所述第一沟槽隔离段。第二沟槽隔离结构位于第一沟槽隔离段之间并且延伸到衬底的背侧中至小于第一深度的第二深度。第二沟槽隔离结构包括一对第二沟槽隔离段。吸收增强结构位于光电探测器上面、第二沟槽隔离段之间，并且凹进至半导体衬底的背侧。吸收增强结构和第二沟槽隔离结构共同限定CBSI结构。本发明的实施例还涉及形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN109841574A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810067968.4
申请日：2018-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/146
Abstract: 本申请公开了CMOS图像传感器及其形成方法。本公开涉及具有多深沟槽隔离(MDTI)结构的CMOS图像传感器，以及相关联的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域被布置在衬底内并分别包括光电二极管。边界深沟槽隔离(BDTI)结构被布置在相邻像素区域之间，从衬底的背面延伸到衬底内的第一深度，并围绕光电二极管。多深沟槽隔离(MDTI)结构被布置在各个像素区域内，从衬底的背面延伸到衬底内的第二深度，并覆盖光电二极管。电介质层填充在BDTI结构的BDTI沟槽和MDTI结构的MDTI沟槽中。
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公开(公告)号：CN109817649A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201810661608.7
申请日：2018-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请实施例提供一种影像感测器装置结构及其形成方法。所述影像感测器装置结构包括一基板，且所述基板掺杂有一第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构包括形成于基板中的一光感测区域，且所述光感测区域掺杂有与第一导电类型不同的一第二导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构还包括延伸进入光感测区域的一掺杂区域，且所述掺杂区域掺杂有第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构也包括形成于掺杂区域上的多个滤色器。
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