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公开(公告)号：CN109585466A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810662951.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开实施例涉及具有被背侧深沟槽隔离结构围绕的光学二极管的互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及相关形成方法。在一些实施例，多个像素区是置于基底中且分别具有光学二极管。背侧深沟槽隔离结构是置于相邻的像素区间，从基底的背侧延伸至基底内部。背侧深沟槽隔离结构包括掺杂层与介电填充层，掺杂层顺着深沟槽的侧壁表面排列，介电填充层填充深沟槽的剩余空间。通过形成所公开的背侧深沟槽隔离结构，其功能是作为掺杂阱与隔离结构，简化了从基底的前侧进行的注入工艺，因此改善了曝光分辨率、光学二极管的电荷满载量及销接电压。
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公开(公告)号：CN106611765B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201610711927.5
申请日：2016-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例涉及CMOS图像传感器及相关的形成方法，该图像传感器具有布置在深沟槽隔离结构与图像感测元件之间的掺杂区域。在一些实施例中，CMOS图像传感器具有设置在半导体衬底内的像素区域。像素区域具有配置为将辐射转换为电信号的图像感测元件。多个背侧深沟槽隔离(BDTI)结构在像素区域的相对侧上延伸进半导体衬底。掺杂区域横向布置在BDTI结构之间并且使图像感测元件与BDTI结构和半导体衬底的背侧分离。图像感测元件与BDTI结构的分离防止图像感测元件与BDTI结构的边缘附近的界面缺陷相互作用，并且从而减少暗电流和白像素数量。
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公开(公告)号：CN109801931B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201810749873.0
申请日：2018-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明一些实施例公开一种半导体结构和半导体结构制造方法。其中，半导体结构包含：半导体衬底，其具有前表面及背向所述前表面的后表面；填充材料，其从所述前表面延伸到所述半导体衬底中且不穿透所述半导体衬底，所述填充材料包含上部分及下部分，所述上部分与所述半导体衬底接触；及外延层，其加衬于所述填充材料的所述下部分与所述半导体衬底之间。本发明一些实施例还公开一种相关联制造方法。
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公开(公告)号：CN104600084B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201410534556.9
申请日：2014-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31144 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了包括反射引导层的图像传感器及其制造方法。公开了多种图像传感器结构以及形成图像传感器的方法。根据一个实施例，结构包括：衬底，包括光电二极管；衬底上的氧化物层，位于氧化物层中并与光电二极管相对应的凹槽；反射引导材料，位于每个凹槽的侧壁上；以及滤色片，均设置在相应的一个凹槽中。氧化物层和反射引导材料在滤色片之间形成栅格，至少氧化物层的一部分和反射引导材料的一部分设置在相邻的滤色片之间。
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公开(公告)号：CN106611765A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610711927.5
申请日：2016-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例涉及CMOS图像传感器及相关的形成方法，该图像传感器具有布置在深沟槽隔离结构与图像感测元件之间的掺杂区域。在一些实施例中，CMOS图像传感器具有设置在半导体衬底内的像素区域。像素区域具有配置为将辐射转换为电信号的图像感测元件。多个背侧深沟槽隔离(BDTI)结构在像素区域的相对侧上延伸进半导体衬底。掺杂区域横向布置在BDTI结构之间并且使图像感测元件与BDTI结构和半导体衬底的背侧分离。图像感测元件与BDTI结构的分离防止图像感测元件与BDTI结构的边缘附近的界面缺陷相互作用，并且从而减少暗电流和白像素数量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109768061B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201811229019.8
申请日：2018-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像感测装置及其制作方法。本发明实施例涉及一种半导体图像传感器装置，其包含半导体衬底、辐射感测区及第一隔离结构。所述辐射感测区在所述半导体衬底中。所述第一隔离结构在所述半导体衬底中且邻近于所述辐射感测区。所述第一隔离结构包含在所述半导体衬底中的底部隔离部分、在所述半导体衬底中的上隔离部分，及包围所述上隔离部分的侧壁的扩散阻障层。
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公开(公告)号：CN109585466B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201810662951.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开实施例涉及具有被背侧深沟槽隔离结构围绕的光学二极管的互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及相关形成方法。在一些实施例，多个像素区是置于基底中且分别具有光学二极管。背侧深沟槽隔离结构是置于相邻的像素区间，从基底的背侧延伸至基底内部。背侧深沟槽隔离结构包括掺杂层与介电填充层，掺杂层顺着深沟槽的侧壁表面排列，介电填充层填充深沟槽的剩余空间。通过形成所公开的背侧深沟槽隔离结构，其功能是作为掺杂阱与隔离结构，简化了从基底的前侧进行的注入工艺，因此改善了曝光分辨率、光学二极管的电荷满载量及销接电压。
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公开(公告)号：CN109768061A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811229019.8
申请日：2018-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像感测装置及其制作方法。本发明实施例涉及一种半导体图像传感器装置，其包含半导体衬底、辐射感测区及第一隔离结构。所述辐射感测区在所述半导体衬底中。所述第一隔离结构在所述半导体衬底中且邻近于所述辐射感测区。所述第一隔离结构包含在所述半导体衬底中的底部隔离部分、在所述半导体衬底中的上隔离部分，及包围所述上隔离部分的侧壁的扩散阻障层。
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公开(公告)号：CN104600084A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410534556.9
申请日：2014-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31144 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了包括反射引导层的图像传感器及其制造方法。公开了多种图像传感器结构以及形成图像传感器的方法。根据一个实施例，结构包括：衬底，包括光电二极管；衬底上的氧化物层，位于氧化物层中并与光电二极管相对应的凹槽；反射引导材料，位于每个凹槽的侧壁上；以及滤色片，均设置在相应的一个凹槽中。氧化物层和反射引导材料在滤色片之间形成栅格，至少氧化物层的一部分和反射引导材料的一部分设置在相邻的滤色片之间。
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公开(公告)号：CN109817649B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201810661608.7
申请日：2018-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请实施例提供一种影像感测器装置结构及其形成方法。所述影像感测器装置结构包括一基板，且所述基板掺杂有一第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构包括形成于基板中的一光感测区域，且所述光感测区域掺杂有与第一导电类型不同的一第二导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构还包括延伸进入光感测区域的一掺杂区域，且所述掺杂区域掺杂有第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构也包括形成于掺杂区域上的多个滤色器。
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