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公开(公告)号：CN109728009B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201810926984.4
申请日：2018-08-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明实施例揭露一种单光子雪崩二极管SPAD图像传感器以及相关制造方法。所述SPAD图像传感器包含：衬底，其具有第一导电类型，所述衬底具有前表面及后表面；深沟槽隔离DTI，其从所述衬底的所述前表面朝向所述后表面延伸，所述DTI具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述衬底的所述前表面齐平；外延层，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述外延层包围所述DTI的侧壁及所述第二表面；及注入区，其具有所述第一导电类型，所述注入区从所述衬底的所述前表面延伸到所述后表面。还揭露一种用于制造所述SPAD图像传感器的相关方法。
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公开(公告)号：CN115148750A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110918224.0
申请日：2021-08-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开的各种实施例涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括沿着衬底的像素。所述像素包括具有第一掺杂类型的第一半导体区。第二半导体区直接位于所述第一半导体区上方。所述第二半导体区具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，并且在p‑n结处与所述第一半导体区交汇。环形第三半导体区在侧向上围绕所述第一半导体区及所述第二半导体区。所述环形第三半导体区具有所述第一掺杂类型。环形第四半导体区在侧向上围绕所述环形第三半导体区。所述环形第四半导体区具有所述第二掺杂类型。环形第五半导体区直接位于所述环形第三半导体区上方，并具有所述第二掺杂类型。
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公开(公告)号：CN114709230A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210187727.X
申请日：2022-02-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请公开了背面二极管设计。描述了一种半导体器件，其包括通过位于第一管芯中的互连结构接合到第二管芯的第一管芯。第一管芯包括：具有第一电极和第二电极的光电二极管，位于第一电介质层的第一侧上；以及位于第一电介质层中的第一互连结构、第二互连结构和第三互连结构。第一互连结构和第二互连结构分别连接到第一电极和与第一电极的极性相反的第二电极。第二互连结构和第三互连结构延伸到与第一电介质层的第一侧相反的第二侧。第二管芯包括第二电介质层和位于第二电介质层中的连接第二互连结构和第三互连结构的第四互连结构。
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公开(公告)号：CN109585468B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810764049.2
申请日：2018-07-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 山下雄一郎
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明实施例公开一种单光子雪崩二极管SPAD图像传感器以及相关制造方法。所述SPAD图像传感器包含：衬底，其具有前表面及后表面；沟槽隔离，其在所述衬底中，所述沟槽隔离从所述衬底的所述前表面朝向所述衬底的所述后表面延伸，所述沟槽隔离具有第一表面及与所述第一表面对置的第二表面，所述第一表面与所述衬底的所述前表面共面，所述第二表面与所述衬底的所述后表面相距大于0的距离；其中所述衬底包含：第一层，其掺杂有第一导电类型的掺杂物，所述第一层从所述衬底的所述后表面朝向所述沟槽隔离延伸且横向围绕所述沟槽隔离的侧壁的至少一部分。
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公开(公告)号：CN109728009A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810926984.4
申请日：2018-08-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明实施例揭露一种单光子雪崩二极管SPAD图像传感器以及相关制造方法。所述SPAD图像传感器包含：衬底，其具有第一导电类型，所述衬底具有前表面及后表面；深沟槽隔离DTI，其从所述衬底的所述前表面朝向所述后表面延伸，所述DTI具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述衬底的所述前表面齐平；外延层，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述外延层包围所述DTI的侧壁及所述第二表面；及注入区，其具有所述第一导电类型，所述注入区从所述衬底的所述前表面延伸到所述后表面。还揭露一种用于制造所述SPAD图像传感器的相关方法。
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公开(公告)号：CN109585467B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810763440.0
申请日：2018-07-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 山下雄一郎
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明一些实施例揭露一种图像传感器和图像传感器制造方法。所述图像传感器包含：共同节点，其重度掺杂有第一导电类型的掺杂物，所述共同节点在衬底内且毗连所述衬底的前表面；和传感节点，其重度掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂物，所述传感节点在所述衬底内且毗连所述衬底的所述前表面；互连结构，其中所述衬底的所述前表面面向所述互连结构；分布式布拉格反射器DBR，其介于所述衬底的所述前表面与所述互连结构之间；第一接触插塞，其穿过所述DBR且使所述共同节点耦合到所述互连结构；和第二接触插塞，其穿过所述DBR且使所述传感节点耦合到所述互连结构。
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公开(公告)号：CN105990383B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201510673820.1
申请日：2015-10-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明的实施例提供了一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构。光电二极管布置在半导体衬底内。复合栅格包括：金属栅格和低折射率(低n)栅格。金属栅格包括位于半导体衬底上面并且对应于光电二极管中的一个的第一开口。低n栅格包括位于半导体衬底上面并且对应于光电二极管中的一个的第二开口。滤色器布置在相应的光电二极管的第一开口和第二开口中并且滤色器的折射率大于低n栅格的折射率。滤色器的上表面相对于复合栅格的上表面偏移。本发明也提供了一种用于制造BSI像素传感器的方法。本发明的实施例还涉及用于降低背照式图像传感器中的串扰的复合栅格结构。
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公开(公告)号：CN106206629B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201510775863.0
申请日：2015-11-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了无注入损伤的图像传感器及其方法。本发明公开了一种图像传感器。该图像传感器包括外延层、多个插头结构和互连结构。其中多个插头结构形成在外延层中，并且每个插头结构具有掺杂的侧壁，外延层和掺杂的侧壁形成多个光电二极管，多个插头结构被用于分开相邻的光电二极管，并且外延层和掺杂的侧壁通过插头结构连接到互连结构。本发明还公开了加工该图像传感器相关的方法。该方法包括：提供在第二型掺杂外延衬底层上具有第一型掺杂外延衬底层的衬底；在第一型掺杂外延衬底层中形成多个隔离沟槽；沿多个隔离沟槽的侧壁和底部形成第二型掺杂区域；以及通过沉积金属填充多个隔离沟槽。
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公开(公告)号：CN105990384B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510759939.0
申请日：2015-11-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685
摘要： 本发明提供了一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构。光电二极管布置在半导体衬底内。金属栅格位于半导体衬底上面并且由金属栅格部分组成，金属栅格部分分别围绕光电二极管的外围，从而使得金属栅格内的第一开口分别位于光电二极管上面。低‑n栅格由低‑n栅格部分组成，低‑n栅格部分分别围绕光电二极管的相应的外围，从而使得低‑n栅格内的第二开口分别位于光电二极管上面。滤色镜布置在光电二极管的第一开口和第二开口中，并且滤色镜的折射率大于低‑n栅格的折射率。衬底隔离栅格延伸至半导体衬底中并且由隔离栅格部分组成，隔离栅格部分分别围绕光电二极管的外围。本发明还提供了一种用于制造BSI像素传感器的方法。
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公开(公告)号：CN109585469A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810764726.0
申请日：2018-07-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 山下雄一郎
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明实施例涉及一种单光子雪崩二极管图像传感器及其制造方法。所述SPAD图像传感器包含：衬底，其具有前表面及后表面；其中所述衬底包含感测区，且所述感测区包含：共同节点，其重度掺杂有第一导电类型的掺杂物，所述共同节点是在所述衬底内且毗连所述衬底的所述后表面；感测节点，其重度掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂物，所述感测节点是在所述衬底内且毗连所述衬底的所述前表面；及第一层，其掺杂有所述第一导电类型的掺杂物而介于所述共同节点与所述感测节点之间。
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