公开(公告)号：CN112599545A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202010522719.7

申请日：2020-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴东庭 ,  王铨中 ,  刘人诚 ,  黄益民 ,  郭晋嘉

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种半导体结构，所述半导体结构包括设置在半导体衬底内的裂纹阻止结构。所述半导体衬底具有背侧表面及与背侧表面相对的前侧表面。光电探测器设置在半导体衬底内且在器件区内横向间隔开。内连结构沿着前侧表面设置。内连结构包括密封环结构。裂纹阻止结构设置在所述半导体衬底内且上覆在密封环结构上。裂纹阻止结构围绕器件区连续延伸。

公开(公告)号：CN109841641A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811124968.X

申请日：2018-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭晋嘉 ,  吴东庭 ,  施俊吉 ,  黄益民

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开实施例关于具有将光同调地朝影像感测器反射的横向共振结构的半导体装置。半导体装置包括影像感测单元配置于基板中。射线吸收区配置于基板中及影像感测器上，并包含具有特征尺寸与外侧边界的凸状物阵列。包含多个深沟槽隔离结构的共振结构位影像感测单元的两侧上。深沟槽隔离结构围绕凸状物阵列的外侧边界。深沟槽隔离结构的内侧表面与凸状物阵列的外侧边界横向地隔有反射长度，因此影响反射回影像感测器的光的同调反射。上述反射长度取决于凸状物阵列的特征尺寸。

公开(公告)号：CN114765190A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110563472.8

申请日：2021-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄正宇 ,  庄君豪 ,  周耕宇 ,  江伟杰 ,  郭晋嘉 ,  吴纹浩 ,  陈华茂 ,  张志光

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器以及用于形成图像传感器的方法，其中像素间沟槽隔离结构由低透射率层限定。在一些实施例中，图像传感器包括像素的阵列和像素间沟槽隔离结构。像素的阵列位于衬底上，并且阵列的像素包括位于衬底中的单独的光电探测器。像素间沟槽隔离结构位于衬底中。此外，像素间沟槽隔离结构沿着像素的边界延伸，并且单独地围绕光电探测器，以将光电探测器彼此分隔开。像素间沟槽隔离结构由对于入射辐射具有低透射率的低透射率层限定，使得像素间沟槽隔离结构对于入射辐射具有低透射率。低透射率层可以例如是或包括金属和/或一些其他合适的材料。

公开(公告)号：CN114709230A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210187727.X

申请日：2022-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄国钦 ,  王子睿 ,  陈华茂 ,  郭晋嘉 ,  山下雄一郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请公开了背面二极管设计。描述了一种半导体器件，其包括通过位于第一管芯中的互连结构接合到第二管芯的第一管芯。第一管芯包括：具有第一电极和第二电极的光电二极管，位于第一电介质层的第一侧上；以及位于第一电介质层中的第一互连结构、第二互连结构和第三互连结构。第一互连结构和第二互连结构分别连接到第一电极和与第一电极的极性相反的第二电极。第二互连结构和第三互连结构延伸到与第一电介质层的第一侧相反的第二侧。第二管芯包括第二电介质层和位于第二电介质层中的连接第二互连结构和第三互连结构的第四互连结构。

公开(公告)号：CN109841641B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201811124968.X

申请日：2018-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭晋嘉 ,  吴东庭 ,  施俊吉 ,  黄益民

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开实施例关于具有将光同调地朝影像感测器反射的横向共振结构的半导体装置。半导体装置包括影像感测单元配置于基板中。射线吸收区配置于基板中及影像感测器上，并包含具有特征尺寸与外侧边界的凸状物阵列。包含多个深沟槽隔离结构的共振结构位影像感测单元的两侧上。深沟槽隔离结构围绕凸状物阵列的外侧边界。深沟槽隔离结构的内侧表面与凸状物阵列的外侧边界横向地隔有反射长度，因此影响反射回影像感测器的光的同调反射。上述反射长度取决于凸状物阵列的特征尺寸。