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公开(公告)号：CN112599545A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010522719.7
申请日：2020-06-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种半导体结构，所述半导体结构包括设置在半导体衬底内的裂纹阻止结构。所述半导体衬底具有背侧表面及与背侧表面相对的前侧表面。光电探测器设置在半导体衬底内且在器件区内横向间隔开。内连结构沿着前侧表面设置。内连结构包括密封环结构。裂纹阻止结构设置在所述半导体衬底内且上覆在密封环结构上。裂纹阻止结构围绕器件区连续延伸。
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公开(公告)号：CN104051433A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310302532.6
申请日：2013-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/522 , H01L21/31116 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开提供了一种防止在半导体晶圆背侧的加工过程中产生电弧的方法。本方法包括在背侧上方沉积介电层以及在介电层上方沉积抗电弧层。抗电弧层是导电层，但不用于传导信号或电能。方法进一步包括蚀刻穿过半导体晶圆的多个材料层的开口。开口露出位于半导体晶圆的前侧的导电层。此外，本方法包括在开口中沉积导电层，以形成穿过晶圆的互连件。本文也公开了根据本方法制造的半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN111106135B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201911011387.X
申请日：2019-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底的像素区域内的图像感测元件。多个导电互连层设置在沿着衬底的第一侧布置的介电结构内。衬底的第二侧包括布置在图像感测元件正上方的多个内表面。多个内表面分别包括沿着平面延伸的基本平坦的表面。根据本申请的实施例，还提供了集成芯片以及形成集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN109841641B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201811124968.X
申请日：2018-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开实施例关于具有将光同调地朝影像感测器反射的横向共振结构的半导体装置。半导体装置包括影像感测单元配置于基板中。射线吸收区配置于基板中及影像感测器上，并包含具有特征尺寸与外侧边界的凸状物阵列。包含多个深沟槽隔离结构的共振结构位影像感测单元的两侧上。深沟槽隔离结构围绕凸状物阵列的外侧边界。深沟槽隔离结构的内侧表面与凸状物阵列的外侧边界横向地隔有反射长度，因此影响反射回影像感测器的光的同调反射。上述反射长度取决于凸状物阵列的特征尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111106135A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911011387.X
申请日：2019-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底的像素区域内的图像感测元件。多个导电互连层设置在沿着衬底的第一侧布置的介电结构内。衬底的第二侧包括布置在图像感测元件正上方的多个内表面。多个内表面分别包括沿着平面延伸的基本平坦的表面。根据本申请的实施例，还提供了集成芯片以及形成集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN104051433B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201310302532.6
申请日：2013-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/522 , H01L21/31116 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开提供了一种防止在半导体晶圆背侧的加工过程中产生电弧的方法。本方法包括在背侧上方沉积介电层以及在介电层上方沉积抗电弧层。抗电弧层是导电层，但不用于传导信号或电能。方法进一步包括蚀刻穿过半导体晶圆的多个材料层的开口。开口露出位于半导体晶圆的前侧的导电层。此外，本方法包括在开口中沉积导电层，以形成穿过晶圆的互连件。本文也公开了根据本方法制造的半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN103456751B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310153835.6
申请日：2013-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了在背面金属和像素阵列之间具有低阶梯高度的CMOS图像传感器及其形成方法。CMOS图像传感器可包括器件晶圆。导电部件可形成在器件晶圆的背面。器件晶圆可包括形成在其中的像素。钝化层可形成在器件晶圆的背面和导电部件上方。栅格膜可形成在钝化层上方。可图案化栅格膜以容纳滤色片。栅格膜图案可使滤色片与器件晶圆中的对应像素对齐。栅格膜形成在导电部件上方的部分可减少至与导电部件相邻的栅格膜的部分基本平齐。根据蚀刻工艺、化学机械工艺和它们的组合来执行图案化和减少。
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公开(公告)号：CN103456751A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310153835.6
申请日：2013-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了在背面金属和像素阵列之间具有低阶梯高度的CMOS图像传感器及其形成方法。CMOS图像传感器可包括器件晶圆。导电部件可形成在器件晶圆的背面。器件晶圆可包括形成在其中的像素。钝化层可形成在器件晶圆的背面和导电部件上方。栅格膜可形成在钝化层上方。可图案化栅格膜以容纳滤色片。栅格膜图案可使滤色片与器件晶圆中的对应像素对齐。栅格膜形成在导电部件上方的部分可减少至与导电部件相邻的栅格膜的部分基本平齐。根据蚀刻工艺、化学机械工艺和它们的组合来执行图案化和减少。
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公开(公告)号：CN109841641A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811124968.X
申请日：2018-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开实施例关于具有将光同调地朝影像感测器反射的横向共振结构的半导体装置。半导体装置包括影像感测单元配置于基板中。射线吸收区配置于基板中及影像感测器上，并包含具有特征尺寸与外侧边界的凸状物阵列。包含多个深沟槽隔离结构的共振结构位影像感测单元的两侧上。深沟槽隔离结构围绕凸状物阵列的外侧边界。深沟槽隔离结构的内侧表面与凸状物阵列的外侧边界横向地隔有反射长度，因此影响反射回影像感测器的光的同调反射。上述反射长度取决于凸状物阵列的特征尺寸。
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