公开(公告)号：CN114765190A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110563472.8

申请日：2021-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄正宇 ,  庄君豪 ,  周耕宇 ,  江伟杰 ,  郭晋嘉 ,  吴纹浩 ,  陈华茂 ,  张志光

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器以及用于形成图像传感器的方法，其中像素间沟槽隔离结构由低透射率层限定。在一些实施例中，图像传感器包括像素的阵列和像素间沟槽隔离结构。像素的阵列位于衬底上，并且阵列的像素包括位于衬底中的单独的光电探测器。像素间沟槽隔离结构位于衬底中。此外，像素间沟槽隔离结构沿着像素的边界延伸，并且单独地围绕光电探测器，以将光电探测器彼此分隔开。像素间沟槽隔离结构由对于入射辐射具有低透射率的低透射率层限定，使得像素间沟槽隔离结构对于入射辐射具有低透射率。低透射率层可以例如是或包括金属和/或一些其他合适的材料。

公开(公告)号：CN114709230A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210187727.X

申请日：2022-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄国钦 ,  王子睿 ,  陈华茂 ,  郭晋嘉 ,  山下雄一郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请公开了背面二极管设计。描述了一种半导体器件，其包括通过位于第一管芯中的互连结构接合到第二管芯的第一管芯。第一管芯包括：具有第一电极和第二电极的光电二极管，位于第一电介质层的第一侧上；以及位于第一电介质层中的第一互连结构、第二互连结构和第三互连结构。第一互连结构和第二互连结构分别连接到第一电极和与第一电极的极性相反的第二电极。第二互连结构和第三互连结构延伸到与第一电介质层的第一侧相反的第二侧。第二管芯包括第二电介质层和位于第二电介质层中的连接第二互连结构和第三互连结构的第四互连结构。