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公开(公告)号：CN114725134A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110541713.9
申请日：2021-05-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种集成芯片，包含衬底和像素。像素包含光检测器。光检测器处于衬底中。集成芯片更包含延伸到衬底中的第一内部沟槽隔离结构和外部沟槽隔离结构。第一内部沟槽隔离结构以第一封闭回路侧向包围光检测器。外部沟槽隔离结构沿着像素的边界以第二封闭回路侧向包围第一内部沟槽隔离结构，且与第一内部沟槽隔离结构侧向分离。此外，集成芯片包含散射结构，散射结构至少部分地由第一内部沟槽隔离结构定义出且配置成增大辐射照射于外部沟槽隔离结构上的角度。
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公开(公告)号：CN110838499B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910750283.4
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括用以增强性能的复合背照式(CBSI)结构的图像传感器。在一些实施例中，第一沟槽隔离结构延伸到衬底的背侧至第一深度并且包括一对第一沟槽隔离段。光电探测器位于衬底中、第一沟槽隔离段之间并且邻接所述第一沟槽隔离段。第二沟槽隔离结构位于第一沟槽隔离段之间并且延伸到衬底的背侧中至小于第一深度的第二深度。第二沟槽隔离结构包括一对第二沟槽隔离段。吸收增强结构位于光电探测器上面、第二沟槽隔离段之间，并且凹进至半导体衬底的背侧。吸收增强结构和第二沟槽隔离结构共同限定CBSI结构。本发明的实施例还涉及形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN110957333B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201910211325.7
申请日：2019-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器封装。图像传感器封装件包括封装衬底和布置在封装衬底上方的图像传感器芯片。该集成电路器件还包括位于图像传感器芯片上面的保护层，该保护层具有平坦的顶面和内衬并且接触保护层下面的结构的底面，以及在图像传感器芯片的外周周围间隔开的晶圆上屏蔽结构。由于被内置保护层代替而不再需要分立的盖玻璃或红外滤光器和相应的介入材料，图像传感器封装件的高度可以减小。由于被内置的晶圆上光屏蔽结构代替而不再需要分立的遮光罩和相应的介入材料，图像传感器封装件的尺寸可以减小。本发明的实施例还涉及晶圆级图像传感器封装件。
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公开(公告)号：CN109560093B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201810763436.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体图像传感器。本发明实施例揭露一种背照式BSI图像传感器，其包括：衬底，其包括正面及与所述正面对置的背面；及多个像素传感器，其布置成阵列。所述像素传感器中的每一个包括：感光装置，其位于所述衬底中；彩色滤光器，其位于所述背面上的所述感光装置上方；及光学结构，其位于所述背面上的所述彩色滤光器上方。所述光学结构包括第一侧壁，且所述第一侧壁及大体上与所述衬底的前表面平行的平面形成大于0°的夹角。
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公开(公告)号：CN114388539A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110409110.3
申请日：2021-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底内的图像感测元件。栅极结构沿着衬底的前侧设置。衬底的背侧包括一个或多个第一成角度的表面，该一个或多个第一成角度的表面限定设置在图像感测元件上方的中心扩散器。衬底的背侧还包括第二成角度的表面，该第二成角度的表面限定横向地围绕中心扩散器的多个外围扩散器。多个外围扩散器的尺寸小于中心扩散器的尺寸。本发明的实施例涉及集成芯片的形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112992945A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011465419.6
申请日：2020-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)及形成集成芯片的方法。所述集成芯片包括位于衬底中的第一相位检测自动聚焦(PDAF)光电检测器及第二PDAF光电检测器。第一电磁辐射(EMR)漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第一PDAF光电检测器的周边以内。第一EMR漫反射器与第一PDAF光电检测器的第一侧间隔开第一距离且与第一PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第一距离小的第二距离。第二EMR漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第二PDAF光电检测器的周边以内。第二EMR漫反射器与第二PDAF光电检测器的第一侧间隔开第三距离且与第二PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第三距离小的第四距离。
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公开(公告)号：CN110838499A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910750283.4
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括用以增强性能的复合背照式(CBSI)结构的图像传感器。在一些实施例中，第一沟槽隔离结构延伸到衬底的背侧至第一深度并且包括一对第一沟槽隔离段。光电探测器位于衬底中、第一沟槽隔离段之间并且邻接所述第一沟槽隔离段。第二沟槽隔离结构位于第一沟槽隔离段之间并且延伸到衬底的背侧中至小于第一深度的第二深度。第二沟槽隔离结构包括一对第二沟槽隔离段。吸收增强结构位于光电探测器上面、第二沟槽隔离段之间，并且凹进至半导体衬底的背侧。吸收增强结构和第二沟槽隔离结构共同限定CBSI结构。本发明的实施例还涉及形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN110783351A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910035883.2
申请日：2019-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例涉及一种具有高透射率的窄带滤波器和包括窄带滤波器的图像传感器。在一些实施例中，滤波器包括第一分布式布拉格反射器(DBR)、第二DBR、位于第一和第二DBR之间的缺陷层、以及多个柱状结构。柱状结构延伸穿过缺陷层并具有与缺陷层的折射率不同的折射率。第一和第二DBR限定低透射带，并且缺陷层限定划分低透射带的高透射带。柱状结构将高透射带移向更低或更高的波长，这取决于柱状结构的折射率和柱状结构的填充因子。本发明实施例涉及具有高透射率的窄带滤波器。
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公开(公告)号：CN109427832A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711246847.8
申请日：2017-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14607 , H01L27/14601 , H01L27/1463
Abstract: 本公开实施例涉及影像感应器集成芯片，其具有的深沟槽隔离结构具有反射元件。影像感应器集成芯片包含影像感应元件安排在基底内，多个突出部沿着基底的第一侧安排在影像感应元件之上，一或更多吸收增强层安排在这些突出部上方且在突出部之间，多个深沟槽隔离结构安排于沟槽内且设置于影像感应元件的相对两侧，并从基底的第一侧延伸至基底内，这些深沟槽隔离结构各自包含反射元件，其具有一或更多反射区配置为反射电磁辐射。通过使用反射元件反射电磁辐射，使相邻的像素区之间的串音(cross-talk)减少，藉此改善影像感应器集成芯片的效能。
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公开(公告)号：CN106469740A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610085865.1
申请日：2016-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/332 , H04N5/2254 , H01L27/1465 , H01L27/14625 , H01L27/14683
Abstract: 本发明的实施例涉及一种图像传感器，包括：衬底、多个可见光光敏器件、红外光敏器件、多个滤色器、红外带通滤波器、微透镜层和红外滤波器层。多个可见光光敏器件和红外光敏器件设置在衬底中，其中，多个可见光光敏器件和红外光敏器件布置为阵列。分别设置多个滤色器以覆盖多个可见光光敏器件。另外，设置红外带通滤波器以覆盖红外光敏器件。此外，微透镜层设置在多个滤色器和红外带通滤波器上。设置红外滤波器层以覆盖多个可见光光敏器件。
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