公开(公告)号：CN116632019A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310313550.8

申请日：2023-03-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄伟志 ,  蔡双吉 ,  林杏芝 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 提供了图像传感器及其形成方法。根据本发明的图像传感器包括：第一光电二极管，沿方向设置在第二光电二极管和第三光电二极管之间；第一深沟槽隔离(DTI)部件，设置在第一光电二极管和第二光电二极管之间；以及第二DTI部件，设置在第一光电二极管和第三光电二极管之间。第一DTI部件的深度大于第二DTI部件的深度。第二光电二极管的量子效率小于第一光电二极管的量子效率。

公开(公告)号：CN103426893B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310058918.7

申请日：2013-02-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  洪丰基

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14687

摘要： 本发明涉及一种器件，该器件包括具有正面和背面的半导体衬底。多个图像传感器设置在该半导体衬底的正面上。多个清色滤色器设置在该半导体衬底的背面上。多个金属环围绕多个清色滤色器。本发明还提供了一种具有分离的滤色器的BSI图像传感器芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN103378112B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210536910.2

申请日：2012-12-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  蔡双吉

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

摘要： 提供了减少光敏二极管之间的串扰的系统和方法。在实施例中，第一滤色器在第一光敏二极管上方形成而第二滤色器在第二光敏二极管上方形成，间隙在第一滤色器和第二滤色器之间形成。间隙将起到反射光的作用，否则光将从第一滤色器跨越到第二滤色器，从而减少第一光敏二极管和第二光敏二极管之间的串扰。也可以在第一光敏二极管和第二光敏二极管之间形成反射栅格以协助反射并进一步减少串扰量。本发明还提供了图像传感器器件和方法。

公开(公告)号：CN103700677A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310031116.7

申请日：2013-01-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴政达 ,  焦圣杰 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  蔡双吉

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14698 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

摘要： 在衬底的正面中形成光电检测器。从衬底的背面减薄衬底。将多种掺杂剂从背面引入减薄衬底中。对减薄衬底中的多种掺杂剂进行退火。在减薄衬底的背面上方沉积抗反射层。在抗反射层上方形成微透镜。在上述步骤的至少一个步骤之后，实施至少一次紫外线(UV)辐射处理。本发明还提供了图像装置及其形成方法。

公开(公告)号：CN103681661A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310131836.0

申请日：2013-04-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈愉婷 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  林政贤 ,  蔡双吉

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 晶圆中的划线。一种晶圆包括布置成行和列的多个芯片。多条第一划线位于多个芯片的行之间。多条第一划线中的每一条划线都包括其中具有金属部件的含金属部件划线和平行于含金属部件划线且邻接含金属部件划线的不含金属部件划线。多条第二划线位于多个芯片的列之间。

公开(公告)号：CN103390624A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210513212.0

申请日：2012-12-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  周耕宇 ,  蔡双吉 ,  高敏峰

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 用于形成图像传感器的方法实施例包括：在支撑光电二极管的半导体的表面上方形成抗反射涂层；在抗反射涂层上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成缓冲氧化物层；以及通过蚀刻选择性地去除缓冲氧化物层的一部分，该蚀刻停止层在蚀刻期间保护抗反射涂层。图像传感器实施例包括：设置在阵列区和外围区的半导体，该半导体支撑阵列区中的光电二极管；设置在半导体的表面上方的抗反射涂层；设置在抗反射涂层上方的蚀刻停止层，阵列区中的光电二极管上方的蚀刻停止层的厚度小于外围区中的蚀刻停止层的厚度；以及设置在外围区中的蚀刻停止层上方的缓冲氧化物层。本发明还提供了用于BSI图像传感器的背面结构。

公开(公告)号：CN114388539A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110409110.3

申请日：2021-04-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 周耕宇 ,  庄君豪 ,  刘人诚 ,  桥本一明 ,  陈铭恩 ,  丁世汎 ,  蔡双吉 ,  江伟杰

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底内的图像感测元件。栅极结构沿着衬底的前侧设置。衬底的背侧包括一个或多个第一成角度的表面，该一个或多个第一成角度的表面限定设置在图像感测元件上方的中心扩散器。衬底的背侧还包括第二成角度的表面，该第二成角度的表面限定横向地围绕中心扩散器的多个外围扩散器。多个外围扩散器的尺寸小于中心扩散器的尺寸。本发明的实施例涉及集成芯片的形成方法。

公开(公告)号：CN107482028A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710859812.5

申请日：2012-08-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  林政贤 ,  王文德

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明公开了降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构，其中，一种半导体器件包括：衬底，包括结合光电二极管的像素区域；栅格，设置在衬底上方并具有限定与像素区域垂直对准的腔的壁；滤色器材料，设置在栅格的壁之间的腔中。

公开(公告)号：CN104051478B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310422086.2

申请日：2013-09-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  林政贤 ,  庄俊杰 ,  高敏峰

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14692

摘要： 本发明公开了一种制造图像传感器件（诸如BSI图像传感器）的方法和用此方法制造的图像传感器，其中，防止了BARC层中的电荷被金属屏蔽接地件中的相反电荷不期望的中和，从而减少暗电流并且提高器件的性能。图像传感器包括具有在与其正面相邻处形成的多个辐射传感器的衬底、形成在衬底背面上方的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上方的BARC层、设置在BARC层上方的金属栅格、从金属栅格延伸进入衬底内以实现接地目的的一个或多个金属接地件以及设置在每一个金属接地件的侧壁与周围的BARC层之间的侧壁绝缘层。侧壁绝缘层使金属接地件与周围的BARC层电隔离。

公开(公告)号：CN102790058B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210005717.6

申请日：2012-01-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  王文德 ,  林月秋

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件，包括：器件衬底，具有正面和背面。该半导体器件还包括互连结构，设置在器件衬底的正面上，互连结构具有n层金属层。该半导体器件还包括接合焊盘，设置在器件衬底的背面上，该接合焊盘延伸穿过互连结构，并且直接接触n层金属层的第n层金属层。本发明还提供一种带有接合焊盘的半导体器件及其制造方法。