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公开(公告)号：CN119855263A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411953378.3
申请日：2024-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种图像传感器集成芯片(IC)结构。图像传感器IC结构包括分别设置在衬底内的像素阵列的多个像素区内的多个图像感测元件。层间介电(ILD)结构设置在衬底的表面上，并围绕一个或多个互连件。多个三维(3D)电容器布置在多个像素区中的相应像素区内，并通过一个或多个互连件耦合到多个图像感测元件中的一个图像感测元件。多个3D电容器包括平行于衬底的表面延伸的基体区和沿着垂直于衬底的表面的方向从基体区向外延伸的一个或多个指状物。本申请还公开了形成图像传感器集成芯片结构的方法。
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公开(公告)号：CN114883281A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110598984.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括顶层、底层及中间层。底层包括在第一半导体衬底上方的第一内连线结构及在第一内连线结构上方的第一正面接合结构。中间层介于顶层与底层之间并与其电耦合。中间层包括在第二半导体衬底上方的第二内连线结构、介于顶层与第二内连线结构之间的第二正面接合结构及介于第二半导体衬底与第一正面接合结构之间的背面接合结构。第二正面接合结构的接合特征包括与第二内连线结构接触的第一接合通孔、在第一接合通孔上方的第一接合接点及在第一接合接点的底部与第一接合通孔的顶部之间的阻障层界面。
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公开(公告)号：CN114759011A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110504233.5
申请日：2021-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 一些实施例涉及半导体结构，该半导体结构包括半导体衬底以及设置在半导体衬底上方的n个互连结构。互连结构包括介电结构和在介电结构中彼此堆叠的多个金属线。衬底通孔(TSV)延伸穿过半导体衬底以接触多个金属线中的金属线。保护套沿着TSV的外侧壁设置，并且将TSV的外侧壁与互连结构的介电结构分开。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN114649359A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210178632.1
申请日：2022-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器及形成图像传感器的方法。根据本发明的半导体器件包括半导体层、设置在该半导体层中的多个金属隔离部件、设置在该多个金属隔离部件正上方的金属栅格以及设置在该金属栅格上方的多个微透镜部件。本申请的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN114497097A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210016514.0
申请日：2022-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 半导体器件包括具有彼此相对的前侧和背侧的衬底。多个光电探测器设置在像素区域内的衬底中。隔离结构设置在像素区域内和光电探测器之间。隔离结构包括从衬底的背侧延伸至衬底中的位置的背侧隔离结构。导电插塞结构设置在外围区域内的衬底中。导电帽设置在衬底的背侧上，并且从像素区域延伸至外围区域，并且将背侧隔离结构电连接至导电插塞结构。导电接触件定位在导电插塞结构上，并且通过导电插塞结构和导电帽电连接至背侧隔离结构。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109273476B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201811250894.4
申请日：2014-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及具有改进的暗电流性能的图像传感器。本发明提供了一种半导体图像传感器件。该图像传感器包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体衬底。半导体衬底包括被配置为感测从第二侧投射向衬底的辐射的辐射感测区域。第一层设置在半导体衬底的第二侧上方。第一层具有第一能带隙。第二层设置在第一层上方。第二层具有第二能带隙。第三层设置在第二层上方。第三层具有第三能带隙。第二能带隙小于第一能带隙和第三能带隙。
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公开(公告)号：CN103390624B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210513212.0
申请日：2012-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 用于形成图像传感器的方法实施例包括：在支撑光电二极管的半导体的表面上方形成抗反射涂层；在抗反射涂层上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成缓冲氧化物层；以及通过蚀刻选择性地去除缓冲氧化物层的一部分，该蚀刻停止层在蚀刻期间保护抗反射涂层。图像传感器实施例包括：设置在阵列区和外围区的半导体，该半导体支撑阵列区中的光电二极管；设置在半导体的表面上方的抗反射涂层；设置在抗反射涂层上方的蚀刻停止层，阵列区中的光电二极管上方的蚀刻停止层的厚度小于外围区中的蚀刻停止层的厚度；以及设置在外围区中的蚀刻停止层上方的缓冲氧化物层。本发明还提供了用于BSI图像传感器的背面结构。
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公开(公告)号：CN103681454A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210519773.1
申请日：2012-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/761 , H01L21/76237 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L29/0649
Abstract: 半导体器件的隔离。本发明提供用于隔离半导体器件的系统和方法。实施例包括横向离开半导体器件的源极/漏极区域的隔离区域并且具有在源极/漏极区域之间的隔离区域上方延伸的介电材料。可以通过在衬底上方形成穿过层的开口；沿着开口的侧壁沉积介电材料；在沉积之后将离子注入到衬底内；以及用另一介电材料填充开口来形成隔离区域。
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公开(公告)号：CN103390625A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210519818.5
申请日：2012-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了用于BSI图像传感器的背面结构和方法。在实施例中，提供衬底，该衬底具有传感器阵列区和外围区并且具有正面和背面；在背面上方形成底部抗反射涂层(BARC)至第一厚度，其位于传感器阵列区和外围区上方；在BARC上方形成第一介电层；形成金属覆盖物；从传感器阵列区上方选择性去除金属覆盖物；从传感器阵列区上方选择性去除第一介电层，其中，在选择性去除第一介电层的过程中还去除一部分第一厚度的BARC并且保留第一厚度BARC的剩余物；在BARC的剩余物上方和金属覆盖物上方形成第二介电层；以及在第二介电层上方形成钝化层。
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公开(公告)号：CN103378114A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310020044.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463
Abstract: 一种用于减小图像传感器中的串扰的方法包括：提供背照式图像传感器晶圆，在该背照式图像传感器晶圆中形成隔离区域，其中，该隔离区域包围着光电有源区域，在该光电有源区域中从背照式图像传感器晶圆的背面形成开口，并且利用介电材料覆盖该开口的上端，从而形成了嵌在背照式图像传感器晶圆的隔离区域中的气隙。本发明还提供了一种减少图像传感器中的串扰的设备和方法。
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