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公开(公告)号：CN117096168A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310783756.7
申请日：2023-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/71 , H04N25/76
Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器及其形成方法，该图像传感器包括设置在衬底内的多个光电探测器。光电探测器分别设置在多个像素区域内。浮动扩散节点沿着多个像素区域的中间区域处的衬底的前侧表面设置。多个阱区域设置在多个像素区域的拐角处的衬底内。隔离结构延伸到衬底的背侧表面中。隔离结构包括设置在相邻像素区域之间的多个伸长隔离组件、与浮动扩散节点对准的中间隔离组件以及与多个阱区域对准的多个外围隔离组件。伸长隔离组件具有第一高度，并且中间隔离组件和外围隔离组件具有小于第一高度的第二高度。
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公开(公告)号：CN115224056A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210114063.4
申请日：2022-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器的背侧上的沟槽隔离结构内的金属栅格耦接至接触焊盘，使得金属栅格上的电压随着接触焊盘上的电压连续变化。一个或多个导电结构将金属栅格直接耦接至接触焊盘。导电结构可以绕过图像传感器的前侧。金属栅格上的偏置电压可以通过接触焊盘改变，由此可以根据图像传感器的应用、其使用环境或其操作模式动态调整减少串扰和增加量子效率之间的权衡。本申请的实施例还涉及图像传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN108807317A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710834344.6
申请日：2017-09-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/06 , G06F17/5072 , G06F17/5081 , H01L21/78 , H01L22/34 , H01L23/3114 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53233 , H01L23/53257 , H01L23/53261 , H01L23/5329 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L29/0649 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/02311 , H01L2224/02371 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03464 , H01L2224/03614 , H01L2224/03827 , H01L2224/03848 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/061 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/11 , H01L2224/13026 , H01L2224/1308
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。
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公开(公告)号：CN120035240A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510130323.0
申请日：2025-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各个实施例针对包括位于衬底上方的互连结构的器件。接合结构位于互连结构上方。该接合结构包括设置在第一区域中的第一多个导电接合焊盘和设置在第二区域中的第二多个导电接合焊盘。第二区域与第一区域的至少一侧相邻。第一多个导电接合焊盘的第一节距小于第二多个导电接合焊盘的第二节距。本公开的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法和封装件。
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公开(公告)号：CN115249719A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210084432.X
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及具有由BDTI结构围绕的图像感测元件的图像传感器以及相关的形成方法。在一些实施例中，第一图像感测元件和第二图像感测元件在图像感测管芯内彼此相邻布置。像素介电堆叠件沿图像感测管芯的位于图像感测元件上面的背面设置。像素介电堆叠件包括第一高k介电层和第二高k介电层。BDTI结构设置在第一图像感测元件和第二图像感测元件之间并且从图像传感器管芯的背面延伸至图像传感器管芯内的位置。BDTI结构包括由隔离介电堆叠件围绕的沟槽填充层。像素介电堆叠件具有与隔离介电堆叠件的组分不同的组分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114551487A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210094845.6
申请日：2022-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一些实施例涉及一种图像传感器。该图像传感器包括半导体衬底，该半导体衬底包括像素区和外围区。背面隔离结构延伸至半导体衬底的背面中并横向包围像素区。该背面隔离结构包括金属芯，并且介电衬垫将金属芯与半导体衬底分离。导电部件设置在半导体衬底的正面上方。贯穿衬底通孔从半导体衬底的背面延伸穿过外围区以与导电部件接触。该贯穿衬底通孔与背面隔离结构横向偏移。导电桥设置在半导体衬底的背面下方并将背面隔离结构的金属芯电耦合至贯穿衬底通孔。本申请的实施例提供了图像传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114464637A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210042467.7
申请日：2022-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器包括像素和隔离结构。像素包括光敏区域和紧邻光敏区域的电路区域。隔离结构位于像素上方，其中，隔离结构包括导电栅格和覆盖导电栅格的侧壁的介电结构，并且隔离结构包括与光敏区域重叠的开口或凹槽。隔离结构围绕光敏区域的外围区域。本申请的实施例还涉及制造图像传感器的方法和半导体器件。
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公开(公告)号：CN116646363A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310461292.8
申请日：2023-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种图像传感器、用于形成图像传感器和相关器件结构的方法。在衬底中形成分离多个像素区域的背侧深沟槽隔离(BDTI)结构。BDTI结构包围多个光电二极管并且包括布置在多个像素区域的交叉处的第一BDTI组件和布置在多个像素区域的剩余周边处的第二BDTI组件。第一BDTI组件具有自衬底的背侧起的第一深度，第一深度小于第二BDTI组件的第二深度。
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公开(公告)号：CN114649359A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210178632.1
申请日：2022-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器及形成图像传感器的方法。根据本发明的半导体器件包括半导体层、设置在该半导体层中的多个金属隔离部件、设置在该多个金属隔离部件正上方的金属栅格以及设置在该金属栅格上方的多个微透镜部件。本申请的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN108807317B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201710834344.6
申请日：2017-09-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。
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