公开(公告)号：CN104051487B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410090101.2

申请日：2014-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  庄俊杰 ,  洪丰基 ,  蔡纾婷 ,  林政贤 ,  蔡双吉 ,  许文义

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供了用于制造三维（3D）图像传感器结构的方法的实施例。该方法包括：提供在其中形成图像传感器并且在其上形成第一互连结构的图像传感器衬底、以及在其中形成逻辑电路并且在其上形成第二互连结构的逻辑衬底；以第一和第二互连结构夹置在逻辑衬底和图像传感器衬底之间的构造，将逻辑衬底接合至图像传感器衬底；以及形成从逻辑衬底延伸到第一互连结构的导电部件，由此将逻辑电路电耦合至图像传感器。本发明还提供了图像传感器结构。

公开(公告)号：CN106298715A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510852151.4

申请日：2015-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信耀 ,  庄俊杰 ,  王俊智 ,  陈昇照 ,  杨敦年 ,  洪丰基 ,  林永隆

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/52 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544

Abstract: 本发明涉及具有在集成芯片管芯之间垂直延伸的再分布层的多维集成芯片，其中再分布层横向偏离于背侧接合焊盘。多维集成芯片具有第一集成芯片管芯，第一集成芯片管芯的多个第一金属互连层设置在布置于第一半导体衬底的前侧上的第一层间介电层内。多维集成芯片还具有第二集成芯片管芯，第二集成芯片管芯的多个第二金属互连层设置在与第一ILD层邻接的第二层间介电层内。接合焊盘设置在延伸穿过第二半导体衬底的凹槽内。再分布层在横向偏离于接合焊盘的位置处在多个第一金属互连层与多个第二金属互连层之间垂直延伸。本发明实施例涉及混合接合焊盘结构。

公开(公告)号：CN104051487A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410090101.2

申请日：2014-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  庄俊杰 ,  洪丰基 ,  蔡纾婷 ,  林政贤 ,  蔡双吉 ,  许文义

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/482 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供了用于制造三维（3D）图像传感器结构的方法的实施例。该方法包括：提供在其中形成图像传感器并且在其上形成第一互连结构的图像传感器衬底、以及在其中形成逻辑电路并且在其上形成第二互连结构的逻辑衬底；以第一和第二互连结构夹置在逻辑衬底和图像传感器衬底之间的构造，将逻辑衬底接合至图像传感器衬底；以及形成从逻辑衬底延伸到第一互连结构的导电部件，由此将逻辑电路电耦合至图像传感器。本发明还提供了图像传感器结构。

公开(公告)号：CN104051422A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310277268.5

申请日：2013-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡纾婷 ,  林政贤 ,  庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: A61N1/3931 ,  A61N1/3987 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14634 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: 本发明提供了一种互连结构及其形成方法。其中，一种半导体器件包括接合在第二芯片上的第一芯片。第一芯片包括第一衬底和在第一IMD层中形成的第一互连部件。第二芯片包括第二衬底和在第二IMD层中形成的第二互连部件。该器件还包括：第一导电插塞，其形成在第一衬底和第一IMD层内，其中，第一导电插塞连接至第一互连部件；以及第二导电插塞，第二导电插塞穿过第一衬底和第一IMD层并部分地穿过第二IMD层而形成，其中，第二导电插塞连接至第二互连部件。

公开(公告)号：CN101853872B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201010158451.X

申请日：2010-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  刘汉琦 ,  王文德 ,  庄俊杰

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02165

Abstract: 本发明提供一种图像感测装置及其制造方法。该图像感测装置包含一具有一前端及一背端的装置基材。装置基材具有一辐射感测区域，其可感测具有一相对应波长的辐射。图像传感器也包含一形成于装置基材的前端上的第一层。第一层具有一第一折射系数及一第一厚度，第一厚度为第一折射系数的函数。图像传感器具有一形成于第一层上的第二层。第二层不同于第一层并具有一第二折射系数及一第二厚度，第二厚度为第二折射系数的函数。本发明可以将像素对于辐射的吸收最佳化。

公开(公告)号：CN101281928B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810005300.3

申请日：2008-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘人诚 ,  杨敦年 ,  洪志明 ,  王文德 ,  庄俊杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L27/146 ,  H01L31/08 ,  H01L31/0248

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14812

Abstract: 本发明是有关于一种半导体装置及其应用。此半导体装置包括硅基材、形成于硅基材上的第一磊晶半导体层、形成覆盖在第一磊晶半导体层上的第二磊晶半导体层、以及位在第二磊晶半导体层上的影像感测器。其中第一磊晶半导体层具有第一型掺质及第一掺质浓度，而第二磊晶半导体层则具有第一型掺质及浓度低于第一掺质浓度的第二掺质浓度。

公开(公告)号：CN102446944A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110356117.X

申请日：2008-01-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  林志旻 ,  傅文键 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643

Abstract: 一种影像传感器装置。该装置包含：半导体衬底，具有像素区与周边区；光传感元件，形成于该像素区中；至少一个晶体管，形成于该像素区与该周边区中，具有源/漏极区；第一氧化层，在该源/漏极区形成之前形成，且覆盖于该光传感元件上；以及第二氧化层，在该源/漏极区形成之后形成，且覆盖于该第一氧化层上。本发明能够以简单有效的方式降低影像传感器中的暗电流。

公开(公告)号：CN101783319B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200910211246.2

申请日：2009-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  洪志明 ,  陈保同

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L24/82 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105

Abstract: 公开了一种制造具有改进的焊接性能的半导体器件的方法。该方法包括设置具有前表面和后表面的衬底；在衬底的前表面上形成一个或多个传感器元件；在衬底的前表面上方形成一个或多个金属化层，其中形成第一金属化层包括在衬底的前表面上方形成第一导电层；将第一导电层从所述衬底的第一区域中去除；在衬底的前表面上方形成第二导电层；以及将第二导电层的部分从衬底的第一区域和第二区域中去除，其中第一区域中的第一金属化层包括第二导电层，第二区域中的第一金属化层包括第二导电层和第二导电层。

公开(公告)号：CN118825043A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410752988.0

申请日：2024-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  陈信宏 ,  许文义 ,  金秉颉 ,  洪丰基 ,  陈铭恩 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种光学器件及其制造方法。光学器件包括第一管芯层和第二管芯层。第一管芯层包括：第一衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一像素结构和第二像素结构；像素间隔离结构，设置在第一衬底中，并且围绕第一像素结构和第二像素结构；以及浮置扩散区，设置在第一衬底中，并且位于第一像素结构和第二像素结构之间。第二管芯层包括：第二衬底，包括第三表面和与第三表面相对的第四表面；以及像素晶体管组，设置在第二衬底的第三表面上，并且电连接至第一像素结构和第二像素结构。

公开(公告)号：CN109273476B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201811250894.4

申请日：2014-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  蔡双吉 ,  林政贤 ,  庄俊杰

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及具有改进的暗电流性能的图像传感器。本发明提供了一种半导体图像传感器件。该图像传感器包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体衬底。半导体衬底包括被配置为感测从第二侧投射向衬底的辐射的辐射感测区域。第一层设置在半导体衬底的第二侧上方。第一层具有第一能带隙。第二层设置在第一层上方。第二层具有第二能带隙。第三层设置在第二层上方。第三层具有第三能带隙。第二能带隙小于第一能带隙和第三能带隙。