公开(公告)号：CN114388539A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110409110.3

申请日：2021-04-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周耕宇 ,  庄君豪 ,  刘人诚 ,  桥本一明 ,  陈铭恩 ,  丁世汎 ,  蔡双吉 ,  江伟杰

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底内的图像感测元件。栅极结构沿着衬底的前侧设置。衬底的背侧包括一个或多个第一成角度的表面，该一个或多个第一成角度的表面限定设置在图像感测元件上方的中心扩散器。衬底的背侧还包括第二成角度的表面，该第二成角度的表面限定横向地围绕中心扩散器的多个外围扩散器。多个外围扩散器的尺寸小于中心扩散器的尺寸。本发明的实施例涉及集成芯片的形成方法。

公开(公告)号：CN118825043A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410752988.0

申请日：2024-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  陈信宏 ,  许文义 ,  金秉颉 ,  洪丰基 ,  陈铭恩 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种光学器件及其制造方法。光学器件包括第一管芯层和第二管芯层。第一管芯层包括：第一衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一像素结构和第二像素结构；像素间隔离结构，设置在第一衬底中，并且围绕第一像素结构和第二像素结构；以及浮置扩散区，设置在第一衬底中，并且位于第一像素结构和第二像素结构之间。第二管芯层包括：第二衬底，包括第三表面和与第三表面相对的第四表面；以及像素晶体管组，设置在第二衬底的第三表面上，并且电连接至第一像素结构和第二像素结构。

公开(公告)号：CN118522739A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410498955.8

申请日：2024-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈信宏 ,  许文义 ,  陈韦龙 ,  陈铭恩 ,  洪丰基 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及图像传感器集成芯片。图像传感器集成芯片包括多个栅极结构，沿着衬底的多个像素区域内的第一侧布置。蚀刻阻挡结构布置在多个栅极结构的相邻栅极结构之间的衬底的第一侧上。接触蚀刻停止层(CESL)布置在多个栅极结构的相邻栅极结构之间的蚀刻阻挡结构上。隔离结构，设置在衬底的一个或多个侧壁之间并且从衬底的第二侧延伸到衬底的第一侧。蚀刻阻挡结构垂直地位于隔离结构和CESL之间。本发明的实施例还提供了形成图像传感器集成芯片的方法。

公开(公告)号：CN222485203U

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202323453061.7

申请日：2023-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗宪 ,  黄正宇 ,  刘人诚 ,  周耕宇 ,  陈铭恩 ,  丁世汎

IPC: H10F39/18

Abstract: 本实用新型提供一种影像传感器，包括半导体衬底、光侦测器、上部钝化层、中间钝化层以及背侧隔离结构。所述半导体衬底，具有前侧及背侧。所述光侦测器，位于所述半导体衬底内。所述上部钝化层，位于所述背侧上。所述中间钝化层，位于所述上部钝化层与所述背侧之间，其中所述中间钝化层所具有的折射率在所述半导体衬底的折射率与所述上部钝化层的折射率之间。所述背侧隔离结构，延伸至所述背侧中以在侧向上环绕所述光侦测器，所述背侧隔离结构包括芯体及位于所述芯体与所述半导体衬底之间的介电衬垫。所述芯体包括衬底嵌入式金属栅格，所述衬底嵌入式金属栅格穿过所述中间钝化层且延伸至所述半导体衬底中。