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公开(公告)号：CN114725134A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110541713.9
申请日：2021-05-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种集成芯片，包含衬底和像素。像素包含光检测器。光检测器处于衬底中。集成芯片更包含延伸到衬底中的第一内部沟槽隔离结构和外部沟槽隔离结构。第一内部沟槽隔离结构以第一封闭回路侧向包围光检测器。外部沟槽隔离结构沿着像素的边界以第二封闭回路侧向包围第一内部沟槽隔离结构，且与第一内部沟槽隔离结构侧向分离。此外，集成芯片包含散射结构，散射结构至少部分地由第一内部沟槽隔离结构定义出且配置成增大辐射照射于外部沟槽隔离结构上的角度。
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公开(公告)号：CN110957333B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201910211325.7
申请日：2019-03-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器封装。图像传感器封装件包括封装衬底和布置在封装衬底上方的图像传感器芯片。该集成电路器件还包括位于图像传感器芯片上面的保护层，该保护层具有平坦的顶面和内衬并且接触保护层下面的结构的底面，以及在图像传感器芯片的外周周围间隔开的晶圆上屏蔽结构。由于被内置保护层代替而不再需要分立的盖玻璃或红外滤光器和相应的介入材料，图像传感器封装件的高度可以减小。由于被内置的晶圆上光屏蔽结构代替而不再需要分立的遮光罩和相应的介入材料，图像传感器封装件的尺寸可以减小。本发明的实施例还涉及晶圆级图像传感器封装件。
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公开(公告)号：CN112992945A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011465419.6
申请日：2020-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)及形成集成芯片的方法。所述集成芯片包括位于衬底中的第一相位检测自动聚焦(PDAF)光电检测器及第二PDAF光电检测器。第一电磁辐射(EMR)漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第一PDAF光电检测器的周边以内。第一EMR漫反射器与第一PDAF光电检测器的第一侧间隔开第一距离且与第一PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第一距离小的第二距离。第二EMR漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第二PDAF光电检测器的周边以内。第二EMR漫反射器与第二PDAF光电检测器的第一侧间隔开第三距离且与第二PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第三距离小的第四距离。
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公开(公告)号：CN110783351A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910035883.2
申请日：2019-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例涉及一种具有高透射率的窄带滤波器和包括窄带滤波器的图像传感器。在一些实施例中，滤波器包括第一分布式布拉格反射器(DBR)、第二DBR、位于第一和第二DBR之间的缺陷层、以及多个柱状结构。柱状结构延伸穿过缺陷层并具有与缺陷层的折射率不同的折射率。第一和第二DBR限定低透射带，并且缺陷层限定划分低透射带的高透射带。柱状结构将高透射带移向更低或更高的波长，这取决于柱状结构的折射率和柱状结构的填充因子。本发明实施例涉及具有高透射率的窄带滤波器。
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公开(公告)号：CN112117289B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010546967.5
申请日：2020-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括波长可调窄带滤色器的图像传感器以及用于形成图像传感器的方法。在一些实施例中，图像传感器包括衬底、第一光电探测器、第二光电探测器和滤色器。第一光电探测器和第二光电探测器相邻地位于衬底中。滤色器位于第一光电探测器和第二光电探测器上面，并且包括第一分布式布拉格反射器(DBR)、第二DBR以及位于第一DBR和第二DBR之间的中间层。中间层的厚度在第一光电探测器上面具有第一厚度值并且在第二光电探测器上面具有第二厚度值。在一些实施例中，滤色器限于单个中间层。在其它实施例中，滤色器还包括第二中间层，第二中间层限定嵌入第一中间层中的柱状结构并且具有与第一中间层不同的折射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117199095A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311250755.2
申请日：2019-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0232 , H01L31/103 , H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L25/04 , H01L25/16 , H01L21/50 , H03H7/09 , H03H7/12
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及三维集成芯片。该三维集成芯片包括第一集成芯片(IC)管芯和第二IC管芯。第一IC管芯具有第一图像传感器元件，该第一图像传感器元件配置为从第一波长范围内的电磁辐射产生电信号。第二IC管芯具有第二图像传感器元件，该第二图像传感器元件配置为从不同于第一波长范围的第二波长范围内的电磁辐射产生电信号。第一带通滤波器布置在第一IC管芯和第二IC管芯之间，并配置为反射第一波长范围内的电磁辐射。本发明的实施例还涉及用于堆叠传感器的带通滤波器。
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公开(公告)号：CN110600489A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910035872.4
申请日：2019-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本发明实施例涉及图像传感器集成芯片及其形成方法。集成芯片具有布置在衬底的像素区内的图像感测元件。在位于衬底的第一侧内的沟槽中设置第一电介质。通过设置在像素区的相对侧上的第一侧壁限定沟槽。内部反射增强结构布置为沿着衬底的第一侧并且配置为将从衬底射出的辐射反射回衬底中。本发明实施例涉及半导体图像传感器。
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公开(公告)号：CN117423711A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311146484.6
申请日：2023-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各个实施例针对成像器件，该成像器件包括：第一图像传感器元件和第二图像传感器元件，分别包括设置在半导体衬底内的像素单元。第一图像传感器元件与第二图像传感器元件相邻。第一微透镜位于第一图像传感器元件上面，并且从第一图像传感器元件的像素单元的中心横向移位第一透镜移位量。第二微透镜位于第二图像传感器元件上面，并且从第二图像传感器元件的像素单元的中心横向移位不同于第一透镜移位量的第二透镜移位量。本申请的实施例还涉及形成成像器件的方法。
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公开(公告)号：CN110600489B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201910035872.4
申请日：2019-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本发明实施例涉及图像传感器集成芯片及其形成方法。集成芯片具有布置在衬底的像素区内的图像感测元件。在位于衬底的第一侧内的沟槽中设置第一电介质。通过设置在像素区的相对侧上的第一侧壁限定沟槽。内部反射增强结构布置为沿着衬底的第一侧并且配置为将从衬底射出的辐射反射回衬底中。本发明实施例涉及半导体图像传感器。
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公开(公告)号：CN115000100A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210142547.X
申请日：2022-02-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一些实施例涉及布置在衬底上的CMOS图像传感器。多个像素区域包括分别被配置为接收从所述背面进入所述衬底的辐射的多个光电二极管。边界深沟槽隔离(BDTI)结构布置在像素区域的边界区域处，并且包括在第一方向上延伸的第一组BDTI部段和在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二组BDTI部段，以横向地围绕光电二极管。BDTI结构包括第一材料。像素深沟槽隔离(PDTI)结构设置在BDTI结构内并覆盖在光电二极管上。PDTI结构包括与第一材料不同的第二材料，并且包括在第一方向上延伸的第一PDTI部段，使得第一PDTI部段由BDTI结构围绕。本申请的实施例还涉及形成CMOS图像传感器的方法。
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