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公开(公告)号：CN114725134A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110541713.9
申请日：2021-05-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种集成芯片，包含衬底和像素。像素包含光检测器。光检测器处于衬底中。集成芯片更包含延伸到衬底中的第一内部沟槽隔离结构和外部沟槽隔离结构。第一内部沟槽隔离结构以第一封闭回路侧向包围光检测器。外部沟槽隔离结构沿着像素的边界以第二封闭回路侧向包围第一内部沟槽隔离结构，且与第一内部沟槽隔离结构侧向分离。此外，集成芯片包含散射结构，散射结构至少部分地由第一内部沟槽隔离结构定义出且配置成增大辐射照射于外部沟槽隔离结构上的角度。
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公开(公告)号：CN112992945A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011465419.6
申请日：2020-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)及形成集成芯片的方法。所述集成芯片包括位于衬底中的第一相位检测自动聚焦(PDAF)光电检测器及第二PDAF光电检测器。第一电磁辐射(EMR)漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第一PDAF光电检测器的周边以内。第一EMR漫反射器与第一PDAF光电检测器的第一侧间隔开第一距离且与第一PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第一距离小的第二距离。第二EMR漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第二PDAF光电检测器的周边以内。第二EMR漫反射器与第二PDAF光电检测器的第一侧间隔开第三距离且与第二PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第三距离小的第四距离。
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公开(公告)号：CN100573199C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710106750.7
申请日：2007-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B3/00 , H01L21/71 , H01L27/146
CPC classification number: G02B3/0056 , G02B3/0018
Abstract: 一种微透镜装置及其制造方法，该微透镜装置的制造方法，借由沉积微透镜材料层于基材上，其中基材包括光感应器。接着，微透镜材料层经曝光及显影后，定义出微透镜材料元件，其包括第一微透镜材料元件及第二微透镜材料元件。每一第二微透镜材料元件的厚度实质厚于每一第一微透镜材料元件。之后，加热微透镜材料元件而形成微透镜阵列，其包括第一微透镜阵列元件及第二微透镜阵列元件，而每一第一微透镜阵列元件及每一第二微透镜阵列元件分别对应于第一微透镜材料元件及第二微透镜材料元件。本发明还公开了该微透镜装置。本发明能改善CMOS影像感应器灵敏度。
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公开(公告)号：CN100379008C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200410057062.2
申请日：2004-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 一种可促进有效入射光均一度的影像传感器。一实施例中，改变设置于影像传感器不同区域中的微透镜的尺寸以平衡不同区域的亮度，每一微透镜的尺寸为一该微透镜至芯片中心距离的函数。另一实施例中，改变微透镜中心与对应感测区中心的距离以平衡不同区域的亮度，且对应的彩色滤光单元亦将移动以使微透镜坐落在对应的彩色滤光单元上，而不在邻近的彩色滤光单元上，微透镜中心与对应感测区中心的距离为一对应感测区至芯片中心距离的函数。
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公开(公告)号：CN1885526A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610083628.8
申请日：2006-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/78 , H01L27/146 , G02B5/23
Abstract: 本发明是有关于一种处理基材的方法及其应用元件。此基材具有至少一滤光区、复数个焊垫以及复数个切割线，其中这些切割线环绕滤光区与焊垫。形成第一平坦化层于基材上。此第一平坦化层在上述的滤光区、焊垫与切割线上具有实质平坦的上表面。在第一平坦化层覆盖于上述的焊垫与切割线上时，形成至少一彩色光阻层于第一平坦化层上且位于滤光区中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1591883A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410057062.2
申请日：2004-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 一种可促进有效入射光均一度的影像传感器。一实施例中，改变设置于影像传感器不同区域中的微透镜的尺寸以平衡不同区域的亮度，每一微透镜的尺寸为一该微透镜至芯片中心距离的函数。另一实施例中，改变微透镜中心与对应感测区中心的距离以平衡不同区域的亮度，且对应的彩色滤光单元亦将移动以使微透镜坐落在对应的彩色滤光单元上，而不在邻近的彩色滤光单元上，微透镜中心与对应感测区中心的距离为一对应感测区至芯片中心距离的函数。
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公开(公告)号：CN112992945B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202011465419.6
申请日：2020-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种集成芯片(IC)及形成集成芯片的方法。所述集成芯片包括位于衬底中的第一相位检测自动聚焦(PDAF)光电检测器及第二PDAF光电检测器。第一电磁辐射(EMR)漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第一PDAF光电检测器的周边以内。第一EMR漫反射器与第一PDAF光电检测器的第一侧间隔开第一距离且与第一PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第一距离小的第二距离。第二EMR漫反射器沿着衬底的背侧设置且设置在第二PDAF光电检测器的周边以内。第二EMR漫反射器与第二PDAF光电检测器的第一侧间隔开第三距离且与第二PDAF光电检测器的第二侧间隔开比第三距离小的第四距离。
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公开(公告)号：CN110957337B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201910794239.3
申请日：2019-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露提供一种图像传感器以及用于形成图像传感器的方法。在一些实施例中，图像传感器包含设置于半导体衬底中的光电探测器。具有实质平坦上表面的波导滤波器设置于光电探测器上方。波导滤波器包含设置于滤光器栅结构中的滤光器。滤光器包含半透明且具有第一折射率的第一材料。滤光器栅结构包含半透明且具有小于第一折射率的第二折射率的第二材料。
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公开(公告)号：CN100458571C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610007891.9
申请日：2006-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14627
Abstract: 本发明提供了一种形成微透镜的方法与半导体影像感测装置。首先，提供一基底，而基底具有至少一光感测元件。接着，于该基底上，形成一光敏层。以一光罩进行第一次曝光。以该光罩进行第二次曝光。去除部分的该光敏层，以使存留的部分的该光敏层形成至少一微透镜。对该微透镜进行回流。本发明所述的形成微透镜的方法与半导体影像感测装置，可以制作比较薄且焦距长的透镜，而且能够降低微透镜两两粘合的问题。
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公开(公告)号：CN112117289B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010546967.5
申请日：2020-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括波长可调窄带滤色器的图像传感器以及用于形成图像传感器的方法。在一些实施例中，图像传感器包括衬底、第一光电探测器、第二光电探测器和滤色器。第一光电探测器和第二光电探测器相邻地位于衬底中。滤色器位于第一光电探测器和第二光电探测器上面，并且包括第一分布式布拉格反射器(DBR)、第二DBR以及位于第一DBR和第二DBR之间的中间层。中间层的厚度在第一光电探测器上面具有第一厚度值并且在第二光电探测器上面具有第二厚度值。在一些实施例中，滤色器限于单个中间层。在其它实施例中，滤色器还包括第二中间层，第二中间层限定嵌入第一中间层中的柱状结构并且具有与第一中间层不同的折射率。
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