-
公开(公告)号：CN113005428B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202011503282.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 一种薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法，薄膜沉积系统在一薄膜沉积室中在一基板上沉积一薄膜。该薄膜沉积系统通过使一流体流入该薄膜沉积室中来沉积该薄膜。该薄膜沉积系统包括一副产物感测器，该副产物感测器感测一排放流体中的该流体的副产物。该薄膜沉积系统基于这些副产物来调整该流体的流动速率。
-
公开(公告)号：CN113265693A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110191246.1
申请日：2021-02-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种处理系统及处理用过电化学电镀浴的方法，处理系统包含：容器、中空构件、至少一个侧面出口、臂构件及第二入口端口。容器包括第一侧面及第二侧面。容器包括在容器的第二侧面上的第一入口端口及在容器的第一侧面上的第一出口端口。第一侧面与第二侧面垂直地间隔开。中空构件位于容器中。中空构件设置在垂直方向上。中空构件包括顶部端部及底部端部。至少一侧面出口配置在中空构件的侧面上。臂构件包括第一端部及第二端部。臂构件的第一端部连接到中空构件的侧面出口。第二入口端口位于中空构件的底部端部处，第二入口端口耦接到容器的第一入口端口。
-
公开(公告)号：CN109309030A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810639363.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L23/544
Abstract: 一种扫描器、校正系统及方法。扫描器包含光源，光源配置以将光线照射于晶圆的背侧。光线自晶圆的背侧反射。第一镜片配置以接收来自晶圆的背侧的光线，并反射此光线。感测器配置以接收来自第一镜片的光线，并产生对应晶圆的背侧形貌的输出信号。
-
公开(公告)号：CN110875242B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201910742708.7
申请日：2019-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置及其形成方法。用于形成结合衬垫结构的方法包括在半导体装置上形成互连结构，在互连结构上形成钝化层，经由钝化层形成至少一个开口，至少在开口中形成氧化层，及在氧化层上形成衬垫金属层。互连结构的一部分由至少一个开口而曝露。
-
公开(公告)号：CN113005428A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011503282.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 一种薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法，薄膜沉积系统在一薄膜沉积室中在一基板上沉积一薄膜。该薄膜沉积系统通过使一流体流入该薄膜沉积室中来沉积该薄膜。该薄膜沉积系统包括一副产物感测器，该副产物感测器感测一排放流体中的该流体的副产物。该薄膜沉积系统基于这些副产物来调整该流体的流动速率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101063806B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200710079429.4
申请日：2007-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 戴逸明
CPC classification number: G02B27/0006 , G03F1/64 , G03F1/82
Abstract: 本发明是有关于一种适用于解决光罩沉积物缺陷的方法与装置，其是将一气体导入一光罩装置中，以使沉积物缺陷藉由气涤清洗方式扩散排出光罩装置外；一金属遮蔽装置将光罩装置围绕容置于其中，用以减少对光罩上的沉积物缺陷以及光罩的损害；在一实施例中，金属遮蔽装置包含有一上方金属遮蔽体、光罩装置的一护膜结构、该光罩装置的复数侧支撑架、一上盖、一把手以及一把手盖体。本发明结合使用气涤清洁与金属遮蔽帮助解决沉积物缺陷问题及静电放电的损害，将不洁物的成长与沉积降至最低以解决沉积物缺陷问题，而可减少光罩在清洗后，光罩重复使用缺陷、光罩清洁频率以及光罩尺寸损耗等。此外，由于同一组光罩能制造更多晶圆而可提升光罩生产力，减少重工制造光罩。
-
公开(公告)号：CN114921760A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110854811.8
申请日：2021-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种沉积方法、沉积缺陷侦测方法及沉积系统，沉积系统能够测量在沉积系统中的至少一种薄膜特性(例如：厚度、电阻和组成)。依照本揭露的沉积系统包含基材处理腔室。依照本揭露的沉积系统包含在基材处理腔室中的基材底座，基材底座是配置以支承基材；和封闭基材处理腔室的靶材。提供包含有原位(in situ)量测装置的遮盘。
-
公开(公告)号：CN112680710A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011000987.9
申请日：2020-09-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种薄膜沉积腔、多功能遮蔽盘以及多功能遮蔽盘的使用方法。该遮蔽盘包括该遮蔽盘的一个表面上的一灯装置、一DC/RF电力装置，及一气体管道。运用此组态能够简化腔的类型，而不需要诸如一除气腔、一预清洗腔、一CVD/PVD腔的各种特定专用腔。通过使用该多功能遮蔽盘，除气功能及预清洗功能提供于一单一腔内。因此，一分离除气腔及一预清洗腔不再被需要，且腔之间的总传送时间被减小或消除。
-
公开(公告)号：CN112680707A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010920153.3
申请日：2020-09-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/50 , H01L21/687
Abstract: 本揭露提供一种能够使一工件支撑表面倾斜的灵活工件托架和使用上述工作托架的薄膜沉积腔体及薄膜沉积方法。工件托架包括安装于工件支撑表面上的一加热器。加热器包括多个加热源。加热器中的多个加热源允许针对工件的不同区将工件加热至不同温度。通过使用工件托架的可调谐加热特征及倾斜特征，本揭露可减小或消除相关技术中相关工件托架的遮挡效应问题。
-
公开(公告)号：CN110875242A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910742708.7
申请日：2019-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置及其形成方法。用于形成结合衬垫结构的方法包括在半导体装置上形成互连结构，在互连结构上形成钝化层，经由钝化层形成至少一个开口，至少在开口中形成氧化层，及在氧化层上形成衬垫金属层。互连结构的一部分由至少一个开口而曝露。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.027 seconds)
