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公开(公告)号：CN113529043B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202110089203.2
申请日：2021-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种沉积系统和方法，本公开的沉积系统提供透过延长靶材替换间隔来降低溅镀制程成本的特征。沉积系统提供磁性元件的阵列，此磁性元件的阵列会产生磁场并基于靶材厚度测量数据来重新定向磁场。阵列中的至少一个磁性元件会倾斜以调节或改变磁场方向并使磁场聚焦在靶材的一个区域上，其中此区域具有比其他区域更多的靶材材料。因此，在此区域上会发生更多的离子(例如，氩离子)轰击，以在靶材表面上产生更均匀的侵蚀。
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公开(公告)号：CN113529043A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110089203.2
申请日：2021-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种沉积系统和方法，本公开的沉积系统提供透过延长靶材替换间隔来降低溅镀制程成本的特征。沉积系统提供磁性元件的阵列，此磁性元件的阵列会产生磁场并基于靶材厚度测量数据来重新定向磁场。阵列中的至少一个磁性元件会倾斜以调节或改变磁场方向并使磁场聚焦在靶材的一个区域上，其中此区域具有比其他区域更多的靶材材料。因此，在此区域上会发生更多的离子(例如，氩离子)轰击，以在靶材表面上产生更均匀的侵蚀。
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公开(公告)号：CN115198236A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210032415.1
申请日：2022-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种沉积系统及沉积方法，沉积系统能够控制沉积在基材上的靶材材料的量和/或沉积在基材上的靶材材料的方向。根据本揭露的沉积系统包含基材处理腔。沉积系统包含位于基材处理腔室中的基材基座，基材基座配置以支撑基材。靶材围住基材处理腔室。准直器具有多个中空结构设置在靶材与基材之间，其中中空结构的至少一者的长度是可调整的。
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公开(公告)号：CN114763605A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210014909.7
申请日：2022-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种用于去除气流中颗粒的装置、晶圆处理系统以及将气流输送至反应室的方法，用于去除气流中颗粒的装置包括第一圆柱形部分，其用以接收含有靶气体及颗粒的气流；可旋转装置，其布置在第一圆柱形部分内，且用以在旋转动作中产生离心力以使颗粒转离可旋转装置；第二圆柱形部分，其耦接至第一圆柱形部分且用以接收靶气体；及第三圆柱形部分，其耦接至第一圆柱形部分且围绕第二圆柱形部分，第三圆柱形部分用以接收转向颗粒。
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公开(公告)号：CN113005428A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011503282.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 一种薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法，薄膜沉积系统在一薄膜沉积室中在一基板上沉积一薄膜。该薄膜沉积系统通过使一流体流入该薄膜沉积室中来沉积该薄膜。该薄膜沉积系统包括一副产物感测器，该副产物感测器感测一排放流体中的该流体的副产物。该薄膜沉积系统基于这些副产物来调整该流体的流动速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113005428B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202011503282.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 一种薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法，薄膜沉积系统在一薄膜沉积室中在一基板上沉积一薄膜。该薄膜沉积系统通过使一流体流入该薄膜沉积室中来沉积该薄膜。该薄膜沉积系统包括一副产物感测器，该副产物感测器感测一排放流体中的该流体的副产物。该薄膜沉积系统基于这些副产物来调整该流体的流动速率。
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公开(公告)号：CN113539925A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110184841.2
申请日：2021-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种晶圆支撑件、半导体处理系统及其方法，半导体处理系统包括晶圆支撑件和控制系统。晶圆支撑件包括多个加热元件和多个温度感测器。这些加热元件加热由支撑系统支撑的半导体晶圆。这些温度感测器生成指示温度的感测器信号。控制系统回应于这些感测器信号而选择性地控制这些加热元件。
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公开(公告)号：CN113265693A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110191246.1
申请日：2021-02-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种处理系统及处理用过电化学电镀浴的方法，处理系统包含：容器、中空构件、至少一个侧面出口、臂构件及第二入口端口。容器包括第一侧面及第二侧面。容器包括在容器的第二侧面上的第一入口端口及在容器的第一侧面上的第一出口端口。第一侧面与第二侧面垂直地间隔开。中空构件位于容器中。中空构件设置在垂直方向上。中空构件包括顶部端部及底部端部。至少一侧面出口配置在中空构件的侧面上。臂构件包括第一端部及第二端部。臂构件的第一端部连接到中空构件的侧面出口。第二入口端口位于中空构件的底部端部处，第二入口端口耦接到容器的第一入口端口。
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公开(公告)号：CN113539925B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202110184841.2
申请日：2021-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 一种晶圆支撑件、半导体处理系统及其方法，半导体处理系统包括晶圆支撑件和控制系统。晶圆支撑件包括多个加热元件和多个温度感测器。这些加热元件加热由支撑系统支撑的半导体晶圆。这些温度感测器生成指示温度的感测器信号。控制系统回应于这些感测器信号而选择性地控制这些加热元件。
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