公开(公告)号：CN113206152B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202011287806.5

申请日：2020-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦羽 ,  程仲良

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括第一栅极结构，第一栅极结构包括第一界面层、设置在第一界面层上方的第一栅极介电层，以及设置在第一栅极介电层上方的第一栅电极。半导体器件还包括第二栅极结构，第二栅极结构包括第二界面层、设置在第二界面层上方的第二栅极介电层，以及设置在第二栅极介电层上方的第二栅电极。第一界面层包含与第二界面层不同量的偶极材料。

公开(公告)号：CN113005428B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202011503282.9

申请日：2020-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑文豪 ,  戴逸明 ,  陈彦羽 ,  朱玄之

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52

Abstract: 一种薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法，薄膜沉积系统在一薄膜沉积室中在一基板上沉积一薄膜。该薄膜沉积系统通过使一流体流入该薄膜沉积室中来沉积该薄膜。该薄膜沉积系统包括一副产物感测器，该副产物感测器感测一排放流体中的该流体的副产物。该薄膜沉积系统基于这些副产物来调整该流体的流动速率。

公开(公告)号：CN113264330B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202110126700.5

申请日：2021-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李彦乐 ,  陈彦羽 ,  陈韦志 ,  廖泰翔 ,  詹凯评

IPC: B65G35/00 ,  B65G43/00 ,  H01L21/677

Abstract: 描述了一种与自动物料搬运系统关联的架空运输车辆(overhead transportvehicle)与运输紧急产品的方法。架空运输车辆为自动物料搬运系统提供特征，当控制自动物料搬运系统中交通的逻辑算法由于意外问题而无法在q时间内按处理步骤顺序将前开式晶圆传送盒(FOUP)自一个工具传输至后续工具时，自动物料搬运系统能够通过这些特征减少晶圆厂操作员进行手动紧急产品救援的次数。在此描述了架空运输车辆上的帮助晶圆厂操作员发现有问题产品的指示器。亦描述了在主电源故障的情况下使用的架空运输车辆上的备用电源。

公开(公告)号：CN113889426A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110723724.9

申请日：2021-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李镇宇 ,  陈彦羽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了半导体处理装置和方法，其中，预清洁室从金属栅极层沉积室接收半导体晶圆，并且至少部分地去除金属栅极层上的氧化物层。在一些实施例中，半导体处理装置包括多个金属栅极层沉积室。每个金属栅极层沉积室配置为在半导体晶圆上形成金属栅极层。装置的至少一个预清洁室配置为从金属栅极层沉积室中的一个接收半导体晶圆，并且至少部分地去除金属栅极层上的氧化物层。

公开(公告)号：CN113539925A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110184841.2

申请日：2021-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑文豪 ,  朱玄之 ,  陈彦羽

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 一种晶圆支撑件、半导体处理系统及其方法，半导体处理系统包括晶圆支撑件和控制系统。晶圆支撑件包括多个加热元件和多个温度感测器。这些加热元件加热由支撑系统支撑的半导体晶圆。这些温度感测器生成指示温度的感测器信号。控制系统回应于这些感测器信号而选择性地控制这些加热元件。

公开(公告)号：CN113265693A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110191246.1

申请日：2021-02-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗坤 ,  朱玄之 ,  潘建勳 ,  陈彦羽 ,  戴逸明

IPC: C25D17/00 ,  C25D21/00 ,  C25D21/06 ,  C25D21/02 ,  C25D21/12 ,  C25D21/08

Abstract: 一种处理系统及处理用过电化学电镀浴的方法，处理系统包含：容器、中空构件、至少一个侧面出口、臂构件及第二入口端口。容器包括第一侧面及第二侧面。容器包括在容器的第二侧面上的第一入口端口及在容器的第一侧面上的第一出口端口。第一侧面与第二侧面垂直地间隔开。中空构件位于容器中。中空构件设置在垂直方向上。中空构件包括顶部端部及底部端部。至少一侧面出口配置在中空构件的侧面上。臂构件包括第一端部及第二端部。臂构件的第一端部连接到中空构件的侧面出口。第二入口端口位于中空构件的底部端部处，第二入口端口耦接到容器的第一入口端口。

公开(公告)号：CN109750265B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201810523374.X

申请日：2018-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱玄之 ,  潘建勋 ,  陈彦羽 ,  林群智

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/46 ,  C23C14/54

Abstract: 提供一种溅镀系统及其方法。在一实施例中，溅镀系统包含接收基板的腔室，位于腔室中的溅镀靶材，以及位于溅镀靶材上方的电磁铁阵列。电磁铁阵列包含多个电磁铁。

公开(公告)号：CN112750828A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011188822.9

申请日：2020-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦羽 ,  程仲良

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了一种具有不同栅极结构构造的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在衬底上的第一对源极/漏极区和第二延源极/漏极区，第一纳米结构沟道区和第二纳米结构沟道区，以及具有彼此不同的有效功函值的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构和第二栅极结构包括第一高K栅极介电层和第二高K栅极介电层，具有彼此不同的厚度的第一阻挡金属层和第二阻挡金属层，分别设置在第一阻挡金属层和第二阻挡金属层上的具有彼此基本相等的厚度的第一功函金属(WFM)氧化物层和第二功函金属氧化物层，设置在第一功函金属氧化物层和第一阻挡金属层之间的第一偶极层，以及设置在第二功函金属氧化物层和第二阻挡金属层之间的第二偶极层。

公开(公告)号：CN109755119B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201810457817.X

申请日：2018-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程仲良 ,  陈彦羽

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请提供了具有栅极结构的集成电路和形成该集成电路的方法的实例。在一些实例中，接收工件，该工件包括具有沟道区域的衬底。在沟道区域上形成栅极电介质，在栅极电介质上形成含有掺杂剂的层。将工件退火，以将掺杂剂转移到栅极电介质，以及在退火后去除层。在一些这样的实例中，在去除层之后，在栅极电介质上形成功函数层，以及在功函数层上形成填充材料以形成栅极结构。本发明还提供了形成集成电路的各种方法。

公开(公告)号：CN109768013B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201810178766.7

申请日：2018-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程仲良 ,  陈韦任 ,  陈彦羽 ,  林明贤

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明的实施例公开了鳍式场效应晶体管器件以及用于调整鳍式场效应晶体管器件的阈值电压的方法。示例性方法包括在第一栅极结构中形成第一开口，并且在第二栅极结构中形成第二开口。第一栅极结构设置在第一鳍结构上方，并且第二栅极结构设置在第二鳍结构上方。该方法还包括通过以下步骤填充第一开口和第二开口：形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成阈值电压调整层，回蚀第二开口中的阈值电压调整层，在阈值电压调整层上方形成功函层以及在功函层上方形成金属填充层。阈值电压调整层包括钽和氮。回蚀使用含氯化钨的前体。