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发明公开
半导体处理装置和方法审中-实审

公开(公告)号：CN113889426A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110723724.9

申请日：2021-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李镇宇 , 陈彦羽

IPC: H01L21/67 , H01L21/28

Abstract: 提供了半导体处理装置和方法，其中，预清洁室从金属栅极层沉积室接收半导体晶圆，并且至少部分地去除金属栅极层上的氧化物层。在一些实施例中，半导体处理装置包括多个金属栅极层沉积室。每个金属栅极层沉积室配置为在半导体晶圆上形成金属栅极层。装置的至少一个预清洁室配置为从金属栅极层沉积室中的一个接收半导体晶圆，并且至少部分地去除金属栅极层上的氧化物层。

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