-
公开(公告)号：CN101853872B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010158451.X
申请日：2010-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L31/02165
Abstract: 本发明提供一种图像感测装置及其制造方法。该图像感测装置包含一具有一前端及一背端的装置基材。装置基材具有一辐射感测区域，其可感测具有一相对应波长的辐射。图像传感器也包含一形成于装置基材的前端上的第一层。第一层具有一第一折射系数及一第一厚度，第一厚度为第一折射系数的函数。图像传感器具有一形成于第一层上的第二层。第二层不同于第一层并具有一第二折射系数及一第二厚度，第二厚度为第二折射系数的函数。本发明可以将像素对于辐射的吸收最佳化。
-
公开(公告)号：CN102074563A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910178474.4
申请日：2009-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/316
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L27/14603 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14685 , H04N3/155
Abstract: 公开了一种图像感测的系统和方法。一个实施例包括具有像素区域和逻辑区域的衬底。第一抗氧化保护层(RPO)形成在像素区域的上方，但是不在逻辑区域的上方。硅化物接触件形成在像素区域中形成的有源器件的顶部上，但是不在像素区域中的衬底的表面上，并且硅化物接触件形成在有源器件的顶部上和逻辑区域中的衬底的表面上。第二RPO形成在像素区域和逻辑区域的上方，接触蚀刻阻挡层形成在第二RPO的上方。当光从衬底的背面入射到传感器时，这些层有助于将光反射回图像传感器，也有助于防止过蚀刻产生的损害。
-
公开(公告)号：CN102034843A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010503787.5
申请日：2010-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L21/2652 , H01L21/266 , H01L21/76232 , H01L27/14627 , H01L27/1463
Abstract: 本发明揭示一种半导体装置的制造方法，包括：在一基底上方形成具有一开口的一保护层；通过开口而在一基底区内注入一掺杂物，该保护层保护不同的基底区；以及缩减保护层的厚度。一不同的型态包括：蚀刻一基底，以在其内形成一凹口；通过位于基底上方的一保护层内的一开口，在凹口内的一基底区注入一掺杂物；以及缩减保护层的厚度。另一型态包括：在一基底上形成一保护层；在保护层上方形成具有一开口的光致抗蚀剂；通过开口来蚀刻保护层，以露出基底；蚀刻基底，以在基底内形成一凹口；在一基底部注入一掺杂物，而保护层保护位于其下方一不同的基底部；以及蚀刻保护层以缩减其厚度。本发明使得易于进行掺杂物的注入。
-
公开(公告)号：CN102074563B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN200910178474.4
申请日：2009-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/316
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L27/14603 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14685 , H04N3/155
Abstract: 公开了一种图像感测的系统和方法。一个实施例包括具有像素区域和逻辑区域的衬底。第一抗氧化保护层(RPO)形成在像素区域的上方，但是不在逻辑区域的上方。硅化物接触件形成在像素区域中形成的有源器件的顶部上，但是不在像素区域中的衬底的表面上，并且硅化物接触件形成在有源器件的顶部上和逻辑区域中的衬底的表面上。第二RPO形成在像素区域和逻辑区域的上方，接触蚀刻阻挡层形成在第二RPO的上方。当光从衬底的背面入射到传感器时，这些层有助于将光反射回图像传感器，也有助于防止过蚀刻产生的损害。
-
公开(公告)号：CN102034843B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010503787.5
申请日：2010-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L21/2652 , H01L21/266 , H01L21/76232 , H01L27/14627 , H01L27/1463
Abstract: 本发明揭示一种半导体装置的制造方法，包括：在一基底上方形成具有一开口的一保护层；通过开口而在一基底区内注入一掺杂物，该保护层保护不同的基底区；以及缩减保护层的厚度。一不同的型态包括：蚀刻一基底，以在其内形成一凹口；通过位于基底上方的一保护层内的一开口，在凹口内的一基底区注入一掺杂物；以及缩减保护层的厚度。另一型态包括：在一基底上形成一保护层；在保护层上方形成具有一开口的光致抗蚀剂；通过开口来蚀刻保护层，以露出基底；蚀刻基底，以在基底内形成一凹口；在一基底部注入一掺杂物，而保护层保护位于其下方一不同的基底部；以及蚀刻保护层以缩减其厚度。本发明使得易于进行掺杂物的注入。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101262000B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200710153619.6
申请日：2007-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14654 , H01L27/1463
Abstract: 本发明提供一种图像传感装置、其形成方法及半导体装置，该图像传感装置包括：半导体基底，其具有第一类型导电性；半导体层，其具有该第一类型导电性，该半导体层在该半导体基底上方；以及多个像素，在该半导体层中；其中该半导体层包括第一深阱区及第二深阱区，该第一深阱区具有该第一类型导电性，该第一深阱区在该多个像素下方，该第二深阱区具有第二类型导电性，该第二类型导电性与该第一类型导电性不同，且该第二深阱区在该第一深阱区下方。本发明提供高效率且有成本效益的装置及其形成方法，可以降低串音干扰。
-
公开(公告)号：CN101783318B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910173958.X
申请日：2009-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/76 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L21/761 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14634
Abstract: 本发明提供了一种制造图像传感器器件的方法。该方法包括：提供具有正面和背面的半导体衬底；在半导体衬底的正面形成第一隔离结构；从背面减薄半导体衬底；以及在半导体衬底的背面形成第二隔离结构。第一和第二隔离结构相对于彼此移动。
-
公开(公告)号：CN101409300A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810127697.3
申请日：2008-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 本发明涉及背面照明影像传感器及其制造方法，该背面照明影像传感器包含基板及传感器。上述的基板具有正面及背面，且传感器位于基板的正面内。上述传感器包含至少一光二极管、及一空乏区，其中上述空乏区的位于基板的背面内，空乏区的深度小于基板厚度的20％。
-
公开(公告)号：CN101262000A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710153619.6
申请日：2007-09-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14654 , H01L27/1463
Abstract: 本发明提供一种图像传感装置、其形成方法及半导体装置，该图像传感装置包括：半导体基底，其具有第一类型导电性；半导体层，其具有该第一类型导电性，该半导体层在该半导体基底上方；以及多个像素，在该半导体层中；其中该半导体层包括第一深阱区及第二深阱区，该第一深阱区具有该第一类型导电性，该第一深阱区在该多个像素下方，该第二深阱区具有第二类型导电性，该第二类型导电性与该第一类型导电性不同，且该第二深阱区在该第一深阱区下方。本发明提供高效率且有成本效益的装置及其形成方法，可以降低串音干扰。
-
公开(公告)号：CN101409300B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810127697.3
申请日：2008-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 本发明涉及背面照明影像传感器及其制造方法，该背面照明影像传感器包含基板及传感器。上述的基板具有正面及背面，且传感器位于基板的正面内。上述传感器包含至少一光二极管、及一空乏区，其中上述空乏区的位于基板的背面内，空乏区的深度小于基板厚度的20％。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.027 seconds)
