公开(公告)号：CN113380845A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110601878.0

申请日：2021-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪志明 ,  王子睿 ,  黄冠杰 ,  施俊吉

IPC: H01L27/146

Abstract: 光伏单元包括：含锗阱，嵌入在单晶硅衬底中并延伸至单晶硅衬底的近侧水平表面，其中，含锗阱包括大于50％原子百分比的锗。含硅覆盖结构位于含锗阱的顶面上，并包括大于42％原子百分比的硅。该含硅覆盖结构防止含锗阱氧化。可通过注入第一导电类型的掺杂剂和第二导电类型的掺杂剂来在沟槽内或横跨沟槽形成光伏结。本申请的实施例还涉及包括光检测器的半导体结构和形成光检测器的方法。

公开(公告)号：CN101281928A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810005300.3

申请日：2008-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘人诚 ,  杨敦年 ,  洪志明 ,  王文德 ,  庄俊杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L27/146 ,  H01L31/08 ,  H01L31/0248

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14812

Abstract: 本发明是有关于一种半导体装置及其应用。此半导体装置包括半导体基材、形成于半导体基材上的第一磊晶半导体层、形成覆盖在第一磊晶半导体层上的第二磊晶半导体层、以及位在第二磊晶半导体层上的影像感测器。其中第一磊晶半导体层具有第一型掺质及第一掺质浓度，而第二磊晶半导体层则具有第一型掺质及浓度低于第一掺质浓度的第二掺质浓度。

公开(公告)号：CN109470159A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811003344.2

申请日：2018-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李承宗 ,  罗益全 ,  林训鹏 ,  洪志明

IPC: G01B11/14

Abstract: 本公开提供一种光学测试方法以及一种光学测试系统，该光学测试方法包括发射光通过设置在一固持器上的一被测光学元件的两个基板之间的一间隙，以产生多个光束。所述光学测试方法还包括驱动固持器及其上的被测光学元件移动到N个位置。所述光学测试方法还包括接收来自在所述N个位置的被测光学元件的所述光束中的一者，以产生N个第一强度信号。此外，所述光学测试方法包括根据所述N个第一强度信号和参考数据来确定被测光学元件的间隙的大小。

公开(公告)号：CN101281928B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810005300.3

申请日：2008-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘人诚 ,  杨敦年 ,  洪志明 ,  王文德 ,  庄俊杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L27/146 ,  H01L31/08 ,  H01L31/0248

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14812

Abstract: 本发明是有关于一种半导体装置及其应用。此半导体装置包括硅基材、形成于硅基材上的第一磊晶半导体层、形成覆盖在第一磊晶半导体层上的第二磊晶半导体层、以及位在第二磊晶半导体层上的影像感测器。其中第一磊晶半导体层具有第一型掺质及第一掺质浓度，而第二磊晶半导体层则具有第一型掺质及浓度低于第一掺质浓度的第二掺质浓度。

公开(公告)号：CN101783319B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200910211246.2

申请日：2009-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  洪志明 ,  陈保同

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L24/82 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105

Abstract: 公开了一种制造具有改进的焊接性能的半导体器件的方法。该方法包括设置具有前表面和后表面的衬底；在衬底的前表面上形成一个或多个传感器元件；在衬底的前表面上方形成一个或多个金属化层，其中形成第一金属化层包括在衬底的前表面上方形成第一导电层；将第一导电层从所述衬底的第一区域中去除；在衬底的前表面上方形成第二导电层；以及将第二导电层的部分从衬底的第一区域和第二区域中去除，其中第一区域中的第一金属化层包括第二导电层，第二区域中的第一金属化层包括第二导电层和第二导电层。

公开(公告)号：CN113380841B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202110103343.0

申请日：2021-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖英凯 ,  江欣益 ,  陈祥麟 ,  朱怡欣 ,  刘柏均 ,  黄冠杰 ,  洪志明 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的实施例涉及一种集成芯片。该集成芯片包括具有第一半导体材料的衬底。第二半导体材料设置在该第一半导体材料上。该第二半导体材料是IV族半导体或III‑V族化合物半导体。钝化层设置在该第二半导体材料上。该钝化层包括该第一半导体材料。第一掺杂区域及第二掺杂区域延伸穿过该钝化层并进入该第二半导体材料中。本发明的实施例还提供一种形成集成芯片的方法。

公开(公告)号：CN113675229A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110880144.0

申请日：2021-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖英凯 ,  刘人诚 ,  黄冠杰 ,  洪志明 ,  朱怡欣 ,  陈祥麟 ,  江欣益

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供具有优化的Ge‑Si界面的光学传感器的方法和结构包括提供具有像素区域和逻辑区域的衬底。在一些实施例中，该方法还包括在像素区域内形成沟槽。在各个示例中，并且在形成沟槽之后，该方法还包括沿着沟槽的侧壁和底面形成掺杂半导体层。在一些实施例中，该方法还包括在沟槽内和掺杂半导体层上方形成锗层。在一些示例中，并且在形成锗层之后，该方法还包括在锗层内形成光学传感器。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN113380841A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110103343.0

申请日：2021-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖英凯 ,  江欣益 ,  陈祥麟 ,  朱怡欣 ,  刘柏均 ,  黄冠杰 ,  洪志明 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的实施例涉及一种集成芯片。该集成芯片包括具有第一半导体材料的衬底。第二半导体材料设置在该第一半导体材料上。该第二半导体材料是IV族半导体或III‑V族化合物半导体。钝化层设置在该第二半导体材料上。该钝化层包括该第一半导体材料。第一掺杂区域及第二掺杂区域延伸穿过该钝化层并进入该第二半导体材料中。本发明的实施例还提供一种形成集成芯片的方法。

公开(公告)号：CN101783319A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200910211246.2

申请日：2009-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  洪志明 ,  陈保同

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L24/82 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105

Abstract: 公开了一种制造具有改进的焊接性能的半导体器件的方法。该方法包括设置具有前表面和后表面的衬底；在衬底的前表面上形成一个或多个传感器元件；在衬底的前表面上方形成一个或多个金属化层，其中形成第一金属化层包括在衬底的前表面上方形成第一导电层；将第一导电层从所述衬底的第一区域中去除；在衬底的前表面上方形成第二导电层；以及将第二导电层的部分从衬底的第一区域和第二区域中去除，其中第一区域中的第一金属化层包括第二导电层，第二区域中的第一金属化层包括第二导电层和第二导电层。

公开(公告)号：CN101261999A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200710112236.4

申请日：2007-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪志明 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14654

Abstract: 本发明提供一种图像感测装置及其形成方法和半导体装置。其中该图像感测装置包括：半导体衬底，其具有第一类型导电性；第一材料层，在该半导体衬底上方，该第一材料层具有该第一类型导电性；第二材料层，在该第一材料层上方，该第二材料层具有第二类型导电性，该第二类型导电性与该第一类型导电性不同；以及多个象素，在该第二材料层中。本发明的装置及其制作方法能够降低串音干扰及电子溢流现象。此外，本发明提供的装置及其制作方法可以容易地和现今的半导体工艺设备及技术整合。利用本发明提供的装置及其制作方法可避免工艺设备与技术的极限。再者，本发明提供的装置及其制作方法可适用于持续缩小的象素的尺寸。