公开(公告)号：CN104779243A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201410253422.X

申请日：2014-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何承颖 ,  陈保同 ,  王文德 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L23/585 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是3DIC密封环结构及其形成方法，本发明提供了一种半导体器件，包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括第一衬底、多个第一介电层以及多条导线，并且多条导线形成在第一衬底上方的第一介电层中。半导体器件还包括第二半导体芯片，第二半导体芯片的表面接合至第一半导体芯片的第一表面，第二半导体芯片包括第二衬底、多个第二介电层以及多条第二导线，并且多条第二导线形成在第二衬底上方的第二介电层中。半导体器件还包括从第一半导体芯片延伸至多条第二导线中的一条的第一导电部件，以及从第一半导体芯片延伸至第二半导体芯片的第一密封环结构。本发明还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103579377A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310153809.3

申请日：2013-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万孟勋 ,  朱怡欣 ,  陈思莹 ,  陈保同 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/102

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/18 ,  H04N5/378

Abstract: 一种器件包括：具有形成在其中的抬升式光电二极管的图像传感器芯片、以及位于图像传感器芯片下方并且接合至图像传感器芯片的器件芯片。该器件芯片具有电连接至抬升式光电二极管的读出电路。本发明还提供了一种具有堆叠配置的抬升式光电二极管。

公开(公告)号：CN101783319A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200910211246.2

申请日：2009-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  洪志明 ,  陈保同

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L24/82 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105

Abstract: 公开了一种制造具有改进的焊接性能的半导体器件的方法。该方法包括设置具有前表面和后表面的衬底；在衬底的前表面上形成一个或多个传感器元件；在衬底的前表面上方形成一个或多个金属化层，其中形成第一金属化层包括在衬底的前表面上方形成第一导电层；将第一导电层从所述衬底的第一区域中去除；在衬底的前表面上方形成第二导电层；以及将第二导电层的部分从衬底的第一区域和第二区域中去除，其中第一区域中的第一金属化层包括第二导电层，第二区域中的第一金属化层包括第二导电层和第二导电层。

公开(公告)号：CN112397484B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202010639846.5

申请日：2020-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钱威宇 ,  曾建贤 ,  杨敦年 ,  郑乃文 ,  陈保同 ,  朱怡欣 ,  申羽洋

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L23/64 ,  H01L25/16 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请的各个实施例针对一种半导体封装器件，包括配置为阻挡来自第一电子组件和第二电子组件的磁场和/或电场的屏蔽结构。第一电子组件和第二电子组件可以例如是传感器或一些其他合适的电子组件。在一些实施例中，第一IC芯片位于第二IC芯片上面。第一IC芯片包括第一衬底和位于第一衬底上面的第一互连结构。第二IC芯片包括第二衬底和位于第二衬底上面的第二互连结构。第一电子组件和第二电子组件分别位于第一互连结构和第二互连结构中。屏蔽结构直接位于第一电子组件和第二电子组件之间。此外，如果半导体封装器件垂直翻转，屏蔽结构基本覆盖第二电子组件和/或将基本覆盖第一电子组件。本发明的实施例还涉及半导体封装器件的形成方法。

公开(公告)号：CN103378115B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201310080243.6

申请日：2013-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈保同 ,  陈思莹 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了用于在形成CMOS图像传感器的同时去除玻璃的方法。提供了用于形成器件的方法，包括在器件晶圆上形成多个像素阵列；将载具晶圆接合至器件晶圆的第一面；在器件晶圆的第二面的上方接合衬底；减薄载具晶圆；形成与器件晶圆的第一面的电连接件；然后，使衬底与器件晶圆的第二面分离；以及随后从器件晶圆分割出多个像素阵列的单独像素阵列。公开了一种装置。本发明还提供了用于在CMOS图像传感器中玻璃去除的方法和装置。

公开(公告)号：CN102270648B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010528295.1

申请日：2010-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  周耕宇 ,  王文德 ,  陈保同

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了一种包含图像感测元件的装置及图像感测元件的制造方法，该装置包括：一基底，具有一前侧及一背侧；一第一光线感测元件及一第二光线感测元件，设置于该基底之中，该第一及第二光线感测元件用以检测透过该背侧进入该基底的光波；以及一抗反射涂布层，具有一第一折射系数，且设置于该基底的该背侧上，该抗反射涂布层具有一第一脊状结构及一第二脊状结构，分别设置于该第一光线感测元件及第二光线感测元件之上；其中该第一脊状结构及第二脊状结构由一物质所分离，该物质具有一第二折射系数，该第二折射系数小于该第一折射系数。本发明能够缩减光学干扰并增进量子效率。

公开(公告)号：CN102769021A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201110241590.3

申请日：2011-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周耕宇 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  陈保同 ,  王文德 ,  庄俊杰 ,  高敏峰

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636

Abstract: 提供了一种图像传感器件。该图像传感器件包括具有正面和背面的基板，该背面相对于正面。该基板具有像素区域和外围区域。该图像传感器件包括设置在基板的像素区域中的多个辐射感应区域。每个辐射感应区域都能够通过操作感测出通过背面投射到辐射感应区域的辐射。该图像传感器件包括设置在外围区域中的参考像素。该图像传感器件包括连接到基板的正面的互连结构。该互连结构包括多个互连层。该图像传感器件包括形成在基板的背面上方的薄膜。该薄膜使得基板受到张应力。该图像传感器件包括设置在薄膜上方的辐射阻挡器件。本发明还提供了一种带有经过改进的应力免疫的背面照明图像传感器。

公开(公告)号：CN102637701A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201110218302.2

申请日：2011-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  陈保同 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开提供一种图像传感器器件和形成图像传感器器件的方法。在实例中，图像传感器元件包括具有前表面和后表面的衬底；设置在衬底的前表面上的传感器元件，传感器元件可操作性地感应投射到衬底的后表面上的辐射；和设置在衬底的后表面上的透明导电层，透明导电层至少部分地覆盖传感器元件。将透明导电层设置成与传感器元件的底部电连接。

公开(公告)号：CN101783316A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200910143855.9

申请日：2009-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  庄俊杰 ,  陈保同 ,  王文德 ,  洪志明

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/761 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76237 ,  H01L21/2652 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明提供了一种向集成电路注入杂质离子的方法。所述方法包括：在衬底中形成第一像素和第二像素；在所述衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层以在所述第一像素和所述第二像素之间包括开口；以及通过所述开口注入多种杂质以形成隔离特征。

公开(公告)号：CN112397484A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010639846.5

申请日：2020-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钱威宇 ,  曾建贤 ,  杨敦年 ,  郑乃文 ,  陈保同 ,  朱怡欣 ,  申羽洋

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L23/64 ,  H01L25/16 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请的各个实施例针对一种半导体封装器件，包括配置为阻挡来自第一电子组件和第二电子组件的磁场和/或电场的屏蔽结构。第一电子组件和第二电子组件可以例如是传感器或一些其他合适的电子组件。在一些实施例中，第一IC芯片位于第二IC芯片上面。第一IC芯片包括第一衬底和位于第一衬底上面的第一互连结构。第二IC芯片包括第二衬底和位于第二衬底上面的第二互连结构。第一电子组件和第二电子组件分别位于第一互连结构和第二互连结构中。屏蔽结构直接位于第一电子组件和第二电子组件之间。此外，如果半导体封装器件垂直翻转，屏蔽结构基本覆盖第二电子组件和/或将基本覆盖第一电子组件。本发明的实施例还涉及半导体封装器件的形成方法。