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公开(公告)号：CN109470159B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201811003344.2
申请日：2018-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01B11/14
Abstract: 本公开提供一种光学测试方法以及一种光学测试系统，该光学测试方法包括发射光通过设置在一固持器上的一被测光学元件的两个基板之间的一间隙，以产生多个光束。所述光学测试方法还包括驱动固持器及其上的被测光学元件移动到N个位置。所述光学测试方法还包括接收来自在所述N个位置的被测光学元件的所述光束中的一者，以产生N个第一强度信号。此外，所述光学测试方法包括根据所述N个第一强度信号和参考数据来确定被测光学元件的间隙的大小。
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公开(公告)号：CN1845009A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610074166.3
申请日：2006-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70558 , G03F7/70533 , G03F7/70541
Abstract: 一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法。该方法包括如下步骤：定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标；测量一掩模临界尺寸；比较掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标，并据以决定一临界尺寸误差；依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量；以及依据该光刻光基准能量曝光一晶片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039247B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201610864030.6
申请日：2016-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 一种用于制造半导体器件的系统包括：第一供应器、第二供应器、混合器和施加器。第一供应器配置为供应具有第一化学品的显影液。第二供应器配置为将第二化学品供应到混合器。混合器配置为混合显影液与第二化学品，其中，第二化学品配置为在显影液中形成多个气泡。施加器配置为将混合有气泡的显影液施加至形成在衬底上的光刻胶层，其中，光刻胶层具有曝光区域，并且第一化学品配置为通过化学反应来溶解光刻胶层的曝光区域。本发明的实施例还涉及用于制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109470159A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811003344.2
申请日：2018-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01B11/14
Abstract: 本公开提供一种光学测试方法以及一种光学测试系统，该光学测试方法包括发射光通过设置在一固持器上的一被测光学元件的两个基板之间的一间隙，以产生多个光束。所述光学测试方法还包括驱动固持器及其上的被测光学元件移动到N个位置。所述光学测试方法还包括接收来自在所述N个位置的被测光学元件的所述光束中的一者，以产生N个第一强度信号。此外，所述光学测试方法包括根据所述N个第一强度信号和参考数据来确定被测光学元件的间隙的大小。
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公开(公告)号：CN113889409A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110122260.6
申请日：2021-01-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本发明的实施例是涉及一种半导体结构的形成方法及晶片。应变消除沟槽可在衬底上的外延层生长之前形成于衬底中。沟槽可减少由于外延层材料与衬底材料之间的材料特性的差异(例如，晶格失配、热膨胀系数的差异等)而在外延生长工艺期间出现在外延层上的应力和应变。沟槽所提供的应力和应变消除可减少或除去外延层和衬底中的裂纹和/或其它类型的缺陷，可减少和/或除去衬底的弯曲和翘曲，可减少衬底的断裂等。这可提高外延层的中心到边缘的质量，可以允许外延层生长在较大的衬底上。
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公开(公告)号：CN107039247A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610864030.6
申请日：2016-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 一种用于制造半导体器件的系统包括：第一供应器、第二供应器、混合器和施加器。第一供应器配置为供应具有第一化学品的显影液。第二供应器配置为将第二化学品供应到混合器。混合器配置为混合显影液与第二化学品，其中，第二化学品配置为在显影液中形成多个气泡。施加器配置为将混合有气泡的显影液施加至形成在衬底上的光刻胶层，其中，光刻胶层具有曝光区域，并且第一化学品配置为通过化学反应来溶解光刻胶层的曝光区域。本发明的实施例还涉及用于制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN100470374C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610074166.3
申请日：2006-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70558 , G03F7/70533 , G03F7/70541
Abstract: 一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法。该方法包括如下步骤：定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标；测量一掩模临界尺寸；比较掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标，并据以决定一临界尺寸误差；依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量；以及依据该光刻光基准能量曝光一晶片。
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